专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR1019930000230B1 반도체장치의 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1019930000230B1
公开(公告)日：1993-01-14
申请号：KR1019920015090
申请日：1992-08-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가야누마아끼오 , 나까무라미노루 , 아사노가쓰아끼
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/328
摘要： 내용 없음.

2. 发明授权

KR100231808B1 반도체 장치 및 그 제법 失效
公开(公告)号：KR100231808B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019900020870
申请日：1990-12-18
申请人： 소니 주식회사
发明人： 고미다까유끼 , 나까무라미노루 , 안모히로아끼 , 오우찌노리까즈 , 미와히로유끼 , 가야누마아끼오 , 고바야시고지
IPC分类号： H01L29/70
CPC分类号： H01L29/6625 , H01L21/8222 , H01L21/8224 , H01L29/735
摘要： 본 발명은 반도체 기판의 횡측 방향에 콜렉터 영역, 베이스 영역 및 에미터 영역을 가지는 래터럴형 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 그 콜렉터 영역 및 에미터 영역의 불순물 농도 피크가 기판 중에 존재하도록 구성함으로써 표면 재결합을 방지하고, 전류 증폭율의 향상과 안정화를 꾀하도록 한 것이다.
본 발명은 래터럴형 바이폴라 트랜지스터의 제법에 있어서, 제1 도전형의 베이스 영역이 되는 반도체 기판에, 한쌍의 개구를 갖는 제1 마스크를 개재하여 횡측 방향을 따라서 제2 도전형의 콜레터 영역 및 에미터 영역을 형성하는 공정과 제1 마스크의 개구 간격보다 넓은 개구 간격을 갖는 제2 마스크를 개재하여 각각 상기 콜렉터 영역 및 에미터 영역에 접속하는 제2 도전형의 고농도 영역을 형성하는 공정을 가짐으로써 베이스폭 W
B 의 단소화를 가능하게 하고, 고 f
T . 고 h
FE 화를 꾀하도록 한 것이다.
또한. 본 발명은 공통의 반도체 기판에 래터럴형 바이폴라 트랜지스터, 버티컬형 바이폴라 트랜지스터 및 가드 링을 가진 쇼트키 배리어 다이오드로 이루어지는 반도체 장치의 제법에 있서서, 공통의 마스크에 동시에 형성된 각 개구를 통하여 동일의 불순물을 도입하여 래터럴형 트랜지스터의 에미터 영역 및 콜렉터 영역, 쇼트키 배리어 다이오드의 가드 링 영역과 버틸컬형 트랜지스터의 링크 베이스 영역을 동시에 형성함으로써 성능을 나빠지게 함이 없이 공정수의 삭감을 도모한 것이다.

3. 发明授权

KR100061276B1 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100061276B1
公开(公告)日：1993-04-10
申请号：KR1019920015090
申请日：1992-08-22
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가야누마아끼오 , 나까무라미노루 , 아사노가쓰아끼
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/328

4. 发明公开

KR1019910013576A 반도체 장치 및 그 제법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019910013576A
公开(公告)日：1991-08-08
申请号：KR1019900020870
申请日：1990-12-18
申请人： 소니 주식회사
发明人： 고미다까유끼 , 나까무라미노루 , 안모히로아끼 , 오우찌노리까즈 , 미와히로유끼 , 가야누마아끼오 , 고바야시고지
IPC分类号： H01L29/70
摘要： 내용 없음.

5. 发明授权

KR100061266B1 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100061266B1
公开(公告)日：1993-04-10
申请号：KR1019840004248
申请日：1984-07-19
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가야누마아끼오 , 나까무라미노루 , 아사노가쓰아끼
IPC分类号： H01L21/78

6. 发明授权

KR1019930000229B1 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019930000229B1
公开(公告)日：1993-01-14
申请号：KR1019840004248
申请日：1984-07-19
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가야누마아끼오 , 나까무라미노루 , 아사노가쓰아끼
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L29/72 , H01L21/28525 , H01L21/30608 , H01L21/32137 , H01L21/32155 , Y10S438/924
摘要： 내용 없음.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式