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1. 发明公开

KR1020170132620A 음극 활물질 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：负极活性物质及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170132620A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160063724
申请日：2016-05-24
申请人： 삼성에스디아이 주식회사 , 엠케이전자 주식회사 , 세종대학교산학협력단
发明人： 서순성 , 김재혁 , 김재명 , 조종수 , 이승환 , 김기범 , 이율상 , 홍성환 , 김정태
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M10/052 , C22C28/00 , C22F1/16 , C22F1/00 , C22C1/03
CPC分类号： H01M4/38 , B22D13/02 , B22D21/007 , B22F9/008 , B22F9/04 , B22F2009/043 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C22C1/002 , C22C1/02 , C22C1/05 , C22C28/00 , H01M2/1653 , H01M4/0404 , H01M4/0435 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/623 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/027 , H01M2220/30 , H01M2300/0034 , H01M2300/004
摘要： 실리콘계합금을포함하는음극활물질로서, 상기실리콘계합금은 Si-M-M-C-B로표시되고, 상기 M및 M는서로독립적으로, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 망간(Mn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 주석(Sn), 탄탈륨(Ta) 및텅스텐(W)으로이루어진군에서선택되고, 상기실리콘계합금에서, 상기 Si, M및 M원자들의총 개수를기준으로, 상기 Si의함량은 50 원자% 내지 90 원자%이고; 상기 M의함량은 10 원자% 내지 50 원자%이고; 상기 M의함량은 0 원자% 내지 10 원자%이고, 상기 Si, M및 M의합 100 중량부를기준으로, 상기 C의함량은 0.01 중량부내지 30 중량부이고; 상기 B의함량은 0 중량부초과 5 중량부이하인, 음극활물질가제시된다. 상기음극활물질은전극판제조공정시분산안정성이우수한바, 리튬전지의수명특성이향상될수 있다.
摘要翻译：其中所述硅基合金由Si-MMCB表示，所述M和M独立地选自镁（Mg），铝（Al），钛（Ti），钒（V）（Cr），Fe（Fe），Co，Ni，Cu，Zn，Ga，Ge，Mn，其中选自硅（Zr），铌（Nb），钼（Mo），银（Ag），锡（Sn），钽（Ta）和钨（W）中的至少一种，基于M原子的总数，Si的含量为50原子％至90原子％; M的含量为10原子％至50原子％; 其中M的含量为0原子％至10原子％，基于100重量份的Si，M和M的总和，C的含量为0.01至30重量份; 并且B的含量为0重量份以上且5重量份以下。负电极活性材料在电极板制造过程中具有优异的分散稳定性，从而可以改善锂电池的寿命特性。

2. 发明公开

KR1020140032779A 콜로니 경계 내에 비스무스 또는 납을 함유하는 티타늄-철 합금 有权
标题翻译： TI-FE合金包含BI或PB在COLONY BOUNDARIES
公开(公告)号：KR1020140032779A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020120099487
申请日：2012-09-07
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 김기범 , 이찬호 , 이승환
IPC分类号： C22C14/00
CPC分类号： C22C14/00 , C22C2200/00 , C22C2202/00
摘要： The present invention provides Ti-Fe alloys. The alloys are provided with a Ti-Fe structure having colonies with Pb or Bi contained within the colony boundaries. The colonies can have a lamellar structure with an alternating arrangement of a β-Ti phase and a TiFe phase or an eutectic structure. In such alloys, the Pb or Bi of 0.3 to 1 in an atomic number can be contained when a total atomic number for the Ti and the Fe is made to be 100. More specifically, the alloys can have a composition of (Ti70.5Fe29.5)100-x(Y)x (Y is Pb or Bi, 0.3
摘要翻译：本发明提供Ti-Fe合金。该合金具有在殖民地边界内含有Pb或Bi的菌落的Ti-Fe结构。菌落可以具有层状结构，其具有β-Ti相和TiFe相或共晶结构的交替排列。在这种合金中，当Ti和Fe的总原子序数为100时，可以含有原子序数为0.3〜1的Pb或Bi。更具体地说，合金可以具有（Ti70.5Fe29 .5）100-x（Y）x（Y是Pb或Bi，0.3 <= x <= 1）。

3. 发明公开

KR1020080011871A 수직 정렬되는 탄소나노튜브 필름 제조 방법 失效
标题翻译：制备碳纳米管膜的方法
公开(公告)号：KR1020080011871A
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：KR1020060072540
申请日：2006-08-01
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 이내성 , 곽정춘 , 이승환
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , C01B31/02
CPC分类号： C01B32/16 , B01J6/00 , B82B3/0009 , B82B3/0066 , B82Y40/00 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/08 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , H01J2201/30469
摘要： A manufacturing method of carbon nanotube film is provided to prepare easily bucky paper through simple filtering and to obtain an emitter of field emission having even electron emitting property. A manufacturing method of carbon nanotube film having vertical arrangement comprises steps of: purifying a carbon nanotube composition containing impurities by a wet purifying method for obtaining high purity carbon nanotube; preparing carbon nanotube film by subjecting the purified carbon nanotube to a filtering process to make the carbon nanotube have vertical arrangement; and carrying out heat treatment for removing organic matters contained in the carbon nanotube film. For aqueous acid solution treatment, the carbon nanotube composition containing impurities is refluxed with aqueous acid solution of 100-110deg.C for 3-12 hours. The wet purifying method comprises steps of: treating the carbon nanotube containing impurities by means of aqueous acid solution; reacting the treated carbon nanotube composition with cationic dispersant; and filtering for extracting impurities by using organic solvent. For the reaction between the treated carbon nanotube composition and cationic dispersant, the reactants are mixed in solid state and the reaction is carried out at 90-150deg.C for 12-96 hours. In the filtering step, the reacted carbon nanotube composition is placed in a filtering vessel having filter inside which is equipped in a soxhlet extraction equipment, and the impurities are extracted by washing the carbon nanotube composition with organic solvent. For heat treatment, the temperature is maintained in the range of 300-400deg.C for 10 minutes to 1 hour in the furnace while flowing 80-120sccm of air. The carbon nanotube film preparing step comprises steps of: dispersing the purified carbon nanotube in organic solvent by ultrasonic vibration; and filtering the dispersion having dispersed carbon nanotube.
摘要翻译：提供碳纳米管膜的制造方法，通过简单的过滤制备容易的纸，并获得具有均匀电子发射性能的场致发射体。具有垂直布置的碳纳米管膜的制造方法包括以下步骤：通过用于获得高纯度碳纳米管的湿法纯化方法来纯化含有杂质的碳纳米管组合物; 通过对纯化的碳纳米管进行过滤处理以使碳纳米管具有垂直布置来制备碳纳米管膜; 并进行用于除去碳纳米管膜中所含有机物质的热处理。对于酸性水溶液处理，含有杂质的碳纳米管组合物与100-110℃的酸水溶液回流3-12小时。湿式净化方法包括以下步骤：通过酸水溶液处理含有杂质的碳纳米管; 使经处理的碳纳米管组合物与阳离子分散剂反应; 并通过使用有机溶剂提取杂质进行过滤。对于经处理的碳纳米管组合物和阳离子分散剂之间的反应，反应物以固态混合，反应在90-150℃下进行12-96小时。在过滤步骤中，将反应后的碳纳米管组合物置于过滤器内，过滤器内装有索格利特提取设备，通过用有机溶剂洗涤碳纳米管组合物提取杂质。为了进行热处理，在80-120sccm的空气中，在炉中将温度保持在300-400℃范围内10分钟至1小时。碳纳米管膜制备步骤包括以下步骤：通过超声振动将纯化的碳纳米管分散在有机溶剂中; 并对具有分散的碳纳米管的分散体进行过滤。

4. 发明授权

KR101443965B1 콜로니 경계 내에 비스무스 또는 납을 함유하는 티타늄-철 합금 有权
标题翻译：包含Bi或Pb的Ti-Fe合金在菌落边界
公开(公告)号：KR101443965B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020120099487
申请日：2012-09-07
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 김기범 , 이찬호 , 이승환
IPC分类号： C22C14/00
摘要： Ti-Fe 합금을 제공한다. 상기 합금은 콜로니들을 갖는 Ti-Fe 조직을 구비한다. 상기 콜로니 경계 내에 함유된 Pb 또는 Bi를 함유한다. 상기 콜로니는 β-Ti 상과 TiFe 상이 반복적으로 배치된 라멜라 구조를 가질 수 있고, 또한 공정조직일 수 있다. 이러한 함금에서, 상기 Pb 또는 Bi는 상기 Ti와 상기 Fe의 합계 원자수를 100으로 할 때, 0.3 내지 1의 원자수로 함유될 수 있다. 구체적으로, 상기 합금은 (Ti
70.5 Fe
29.5 )
100-x (Y)
x (Y는 Pb 또는 Bi, 0.3≤x≤1)의 조성을 가질 수 있다.

5. 发明授权

KR100863273B1 수직 정렬되는 탄소나노튜브 필름 제조 방법 失效
标题翻译：制造碳纳米管薄膜的方法
公开(公告)号：KR100863273B1
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：KR1020060072540
申请日：2006-08-01
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 이내성 , 곽정춘 , 이승환
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , C01B31/02
摘要： 본 발명은 수직 정렬된 탄소나노튜브 필름 제조 방법에 관한 것으로, 특히 불순물이 포함되는 탄소나노튜브 조성물에 대하여 산화 처리와 여과 과정을 수행함으로써, 순도 높은 탄소나노튜브를 얻고, 이 얻어진 탄소나노튜브를 유기 용매로 분산시킨 후, 필터링 과정을 수행하여 수직 방향으로 배열되는 탄소나노튜브 필름을 얻을 수 있는 수직 정렬된 탄소나노튜브 필름 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 수직 정렬된 탄소나노튜브 필름 제조 방법을 이루는 구성수단은 습식 정제 방법으로 불순물이 포함된 탄소나노튜브 조성물을 정제하여 고순도의 탄소나노튜브를 얻어내는 단계, 상기 정제되어 얻어진 탄소나노튜브에 대하여 필터링 공정을 수행하여 상기 탄소나노튜브들이 수직으로 배열된 형상을 가지는 탄소나노튜브 필름을 제조하는 단계, 상기 탄소나노튜브 필름에 포함되는 유기물을 제거하기 위하여 열처리를 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
탄소나노튜브, 정제, 전계방출 에미터

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