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1. 发明授权

KR101274764B1 진공정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석 제조방법 有权
标题翻译：使用真空精炼来放射低阿尔法放射性放射性药物的制造方法
公开(公告)号：KR101274764B1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020110054490
申请日：2011-06-07
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 정재필 , 정도현 , 쿠마산토시 , 추용철 , 이현규 , 김철희
IPC分类号： C22B25/08 , C22B9/04
CPC分类号： C22C13/00 , C22B7/006 , C22B9/04 , C22B25/04 , C22B25/08
摘要： 본 발명은 진공정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석의 제조방법으로서, 알파 방사선의 방출 및 불순물의 함량이 많은 원소재 주석을 준비하는 단계, 상기 주석을 도가니에 수용한 후 진공로에 넣는 단계 및 상기 진공로에서 증기를 통해 주석보다 높은 증기압과 낮은 끓는점을 갖는 불순물을 제거하는 단계를 포함하여, 각 원소들의 증기압의 차이를 이용하여 주석으로부터 납 및 비스무스와 같은 불순물을 대부분 제거하여 알파 방사선의 방출을 최대한 억제함으로써 전자제품의 소프트 에러 발생을 방지할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020150119987A ＴＳＶ 충전용 전해 구리 도금액 및 이를 이용한 ＴＳＶ의 충전방법 有权
标题翻译：用于通过硅填充的Cu涂层溶液以及通过硅填充硅的方法
公开(公告)号：KR1020150119987A
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020140045172
申请日：2014-04-16
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 기세호 , 정재필 , 이준형 , 추용철 , 김경흠
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/00 , C25D7/00
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/00
摘要： 본발명은 TSV 충전용전해구리도금액및 이를이용한 TSV의충전방법으로서, 황산구리(CuSO·5HO), 황산(HSO), 염화수소(HCl), 가속제, 억제제및 레벨러에, 습윤제를첨가한 TSV 충전용전해구리도금액을제조함으로써, 구리도금액의표면장력을감소시킴과동시에비아(TSV) 내에도금액의침투를용이하게하여비아내부에보이드와같은결함없이구리도금액을충전시킬수 있으며, 표면장력이낮은구리도금액에전류차단시간이적용된주기적인펄스및 역펄스의전류를인가하여비아내부에보이드와같은결함이발생되지않도록충전할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于填充硅通孔（TSV）的电解铜电镀溶液及使用其的填充TSV的方法。本发明的方法制造了用CuSO 4·5H 2 O，H 2 SO 4，HCl，促进剂，抑制剂，整平剂和润湿剂填充TSV的电解镀铜溶液，以降低镀铜溶液的表面张力，电镀溶液渗入TSV。因此，本发明的方法可以用铜电镀液填充TSV而没有空隙等缺陷。本发明的方法可以通过向具有低表面张力的镀铜溶液施加周期性脉冲和施加电流阻断时间的反向脉冲的电流来填充TSV，以防止诸如空隙的缺陷来自TSV。

3. 发明授权

KR101252137B1 전해정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석 제조방법 有权
标题翻译：使用电解精炼法制备低铝低放射性放射性铅的制造方法
公开(公告)号：KR101252137B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020100112476
申请日：2010-11-12
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 정재필 , 추용철 , 이현규 , 이승진 , 이왕구 , 박준규
IPC分类号： C25C1/12 , C25C7/06
CPC分类号： Y02P10/236
摘要： 본 발명은 전해정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석 제조방법으로서, (A) 증류수, 황산(H
2 SO
4 ), 황화주석(SnSO
4 ), 도금억제제 및 전위차 감소제를 전해조에 넣고 혼합하여 전해액을 구성하는 단계; (B) 주석(Sn)으로 이루어진 양극(130)과 티타늄(Ti)으로 이루어진 음극(140)을 형성하고, 상기 양극과 음극을 세척하는 전처리 공정을 수행하는 단계; (C) 미세전류 공급장치에 연결된 제 1 및 제 2 연결도선에 상기 양극 및 음극을 각각 설치한 후 전해정련을 실시하는 단계; (D) 상기 (C) 단계의 전해정련을 통해 양극으로부터 음극에 주석을 석출하는 단계; 및 (E) 상기 음극에 석출된 주석을 음극으로부터 분리하여 세척하는 후처리 공정을 수행하여 저알파 방사선을 방출하는 주석을 제조하는 단계를 포함하여, 순도가 높으면서도 주석의 알파 방사선 방출량을 대략 0.08~0.56CPH/㎠ 정도로 낮춘 주석을 10시간 정도의 단시간 내에 생산할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020120051178A 전해정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석 제조방법 有权
标题翻译：使用电解精炼法制备低铝低放射性放射性铅的制造方法
公开(公告)号：KR1020120051178A
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020100112476
申请日：2010-11-12
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 정재필 , 추용철 , 이현규 , 이승진 , 이왕구 , 박준규
IPC分类号： C25C1/12 , C25C7/06
CPC分类号： Y02P10/236 , C25C1/14 , C25C7/06 , Y02P10/21
摘要： PURPOSE: A method for producing tin emitting low-alpha radiation by using electrolytic refining is provided to produce tin with high purity and low emission of alpha radiation within a short time. CONSTITUTION: A method for producing tin emitting low-alpha radiation by using electrolytic refining is as follows. Distilled water, H2SO4(Sulfuric Acid), SnSO4(Stannous Sulfate), a plating inhibitor, and a potential difference reducing agent are mixed in an electrolytic cell and electrolyte is obtained. An anode(130) composed of Sn and a cathode(140) composed of Ti are formed and washed. The anode and cathode are installed on first and second lead wires(123,124) connected to a micro current supply device(110) and electrolytically refined so that Sn is deposited from the anode to the cathode. The deposited Sn is separated from the cathode and washed to obtain Sn emitting low-alpha radiation.
摘要翻译：目的：提供一种通过电解精炼生产发射低α辐射的方法，以在短时间内产生高纯度和低辐射的α辐射的锡。构成：通过使用电解精炼来制造发射低α辐射的锡的方法如下。将蒸馏水，硫酸（硫酸），硫酸锡（硫酸锡），电镀抑制剂和电位差降低剂混合在电解槽中，得到电解质。由Sn构成的阳极（130）和由Ti构成的阴极（140）形成并洗涤。阳极和阴极安装在连接到微电流供应装置（110）的电解精炼的第一和第二引线（123,124）上，使得Sn从阳极沉积到阴极。将沉积的Sn与阴极分离并洗涤以获得发射低α辐射的Sn。

5. 发明授权

KR101605811B1 ＴＳＶ 충전용 전해 구리 도금액 및 이를 이용한 ＴＳＶ의 충전방법 有权
标题翻译：用于通过硅填充的Cu涂层溶液以及通过硅填充硅的方法
公开(公告)号：KR101605811B1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：KR1020140045172
申请日：2014-04-16
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 기세호 , 정재필 , 이준형 , 추용철 , 김경흠
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/00 , C25D7/00
摘要： 본발명은 TSV 충전용전해구리도금액및 이를이용한 TSV의충전방법으로서, 황산구리(CuSO·5HO), 황산(HSO), 염화수소(HCl), 가속제, 억제제및 레벨러에, 습윤제를첨가한 TSV 충전용전해구리도금액을제조함으로써, 구리도금액의표면장력을감소시킴과동시에비아(TSV) 내에도금액의침투를용이하게하여비아내부에보이드와같은결함없이구리도금액을충전시킬수 있으며, 표면장력이낮은구리도금액에전류차단시간이적용된주기적인펄스및 역펄스의전류를인가하여비아내부에보이드와같은결함이발생되지않도록충전할수 있다.

6. 发明公开

KR1020160006011A ＳｎＣｌ2 혹은 ＳｎＣｌ2-2Ｈ2Ｏ을 사용하는 Ｓｎ-Ａｇ 도금액 有权
标题翻译：锡银镀银浴
公开(公告)号：KR1020160006011A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020140085295
申请日：2014-07-08
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 아슈토쉬샤르마 , 이순재 , 정재필 , 추용철 , 김경흠
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/60
摘要： 본발명은 Sn-Ag 도금액에관한것으로, 본발명에따른 Sn-Ag 도금액은, 구연산트리암모늄염 50~150g/L, 염화주석 25~75g/L 및질산은 0.01~0.1g/L을포함하고, 고순도도금을위하여응력완화제, 착화제, 비이온계면활성제, 광택제를도금액에첨가하되, 저알파솔더범핑을위해은 이온에착화제인티오우레아(thiourea)를 0.01~0.5g/L 추가한다. 본발명에의하면도금액제조시 Sn 염과 Ag 염및 주석애노드의농도를초고순도로구비하므로초고순도전해질및 주석애노드에서 Pb,Sb 및 Bi의그 밖의미량과같은알파방사의원천을최소화할수 있는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及Sn-Ag电镀液。根据本发明的Sn-Ag电镀溶液包括50-150g / L柠檬酸树铵盐，25-75g / L氯化亚锡和0.01-0.1g / L硝酸银。在镀覆液中加入应力缓和剂，复合剂，非离子表面活性剂，增白剂，高纯度电镀液中添加0.01-0.5g / L的络合剂硫脲，用于低α焊料的银离子碰撞。根据本发明，本发明具有通过包含超纯浓度的Sn盐使超纯电解质和锡阳极中极少量的Pb，Sb和Bi的α辐射源最小化的效果和锡阳极，同时制造电镀液。

7. 发明授权

KR101657460B1 ＳｎＣｌ2 혹은 ＳｎＣｌ2-2Ｈ2Ｏ을 사용하는 Ｓｎ-Ａｇ 도금액 有权
标题翻译： 2 2-22 - 使用2或2-22的锡镀银浴
公开(公告)号：KR101657460B1
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020140085295
申请日：2014-07-08
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 아슈토쉬샤르마 , 이순재 , 정재필 , 추용철 , 김경흠
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/60
摘要： 본발명은 SnCl혹은 SnCl-2HO을사용하는 Sn-Ag 도금액에관한것으로, 본발명에따른 SnCl혹은 SnCl-2HO을사용하는 Sn-Ag 도금액은, 구연산트리암모늄염 50~150g/L, 염화주석 25~75g/L 및질산은 0.01~0.1g/L을포함하고, 고순도도금을위하여응력완화제, 착화제, 비이온계면활성제, 광택제를도금액에첨가하되, 저알파솔더범핑을위해은 이온에착화제인티오우레아(thiourea)를 0.01~0.5g/L 추가한다.본발명에의하면도금액제조시 Sn 염과 Ag 염및 주석애노드의농도를초고순도로구비하므로초고순도전해질및 주석애노드에서 Pb,Sb 및 Bi의그 밖의미량과같은알파방사의원천을최소화할수 있는효과가있다.

8. 发明公开

KR1020120135656A 진공정련을 이용하여 저알파 방사선을 방출하는 주석 제조방법 有权
标题翻译：使用真空精炼来放射低阿尔法放射性放射性药物的制造方法
公开(公告)号：KR1020120135656A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020110054490
申请日：2011-06-07
申请人： 서울시립대학교 산학협력단 , 덕산하이메탈(주)
发明人： 정재필 , 정도현 , 쿠마산토시 , 추용철 , 이현규 , 김철희
IPC分类号： C22B25/08 , C22B9/04
CPC分类号： C22C13/00 , C22B7/006 , C22B9/04 , C22B25/04 , C22B25/08
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing tin with low alpha radiation using vacuum refining is provided to reduce alpha radiation from tin by removing most of foreign materials such as lead and bismuth. CONSTITUTION: A tin manufacturing method comprises the steps of: preparing tin(S110), washing the tin with hydrochloric acid(S120), washing the tin with acetone, ethanol, or distilled water and drying the tin(S130), washing a crucible, which is installed in a vacuum furnace, with hydrochloric acid and drying the crucible(S140), accommodating the tin in the crucible and inserting the crucible in the vacuum furnace(S150), and removing foreign materials with higher vapor pressure and lower boiling point than tin in the vacuum furnace(S160). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Preparing raw material tin; (S120) Dipping and washing tin in hydrochloric acid; (S130) Washing tin with acetone, ethanol, or distilled water and drying in nitrogen or air; (S140) Washing crucible in vacuum furnace with hydrochloric acid and drying in nitrogen gas; (S150) Inserting pretreated tin in crucible and putting crucible in vacuum furnace; (S160) Injecting steam into vacuum furnace and refining to remove foreign materials from tin; (S170) Cooling vacuum furnace to cool refined tin; (S180) Washing tin to remove other pollutant particles
摘要翻译：目的：提供一种使用真空精炼制造低α辐射锡的方法，通过去除大多数异物如铅和铋来减少锡的α辐射。构成：锡制造方法包括以下步骤：制备锡（S110），用盐酸洗涤锡（S120），用丙酮，乙醇或蒸馏水洗涤锡，并干燥锡（S130），洗涤坩埚，将其安装在真空炉中，用盐酸干燥坩埚（S140），将锡容纳在坩埚中并将坩埚插入真空炉（S150）中，除去蒸气压低沸点的异物，锡在真空炉中（S160）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）准备原料锡; （S120）在盐酸中浸锡洗涤锡; （S130）用丙酮，乙醇或蒸馏水洗涤锡，并在氮气或空气中干燥; （S140）用真空炉中的盐酸洗涤坩埚并在氮气中干燥; （S150）将预处理的锡插入坩埚中并将坩埚放入真空炉中; （S160）将蒸汽注入真空炉中并精炼以从锡中除去异物; （S170）冷却真空炉冷却精锡; （S180）洗涤锡以除去其他污染物颗粒

9. 发明授权

KR101888526B1 발열 및 비정질 특성을 갖는 솔더 분말 제조 방법, 솔더 페이스트 제조 방법 및 솔더 페이스트를 이용한 저온 접합 방법 有权
公开(公告)号：KR101888526B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020170108445
申请日：2017-08-28
申请人： 덕산하이메탈(주)
发明人： 정재필 , 이준형
IPC分类号： B23K35/40 , B23K35/02 , C25D3/02 , C25D5/00 , C25D3/04 , C25D3/26 , C25D3/34 , C25D3/54 , B22F1/02
摘要： 본발명은솔더분말제조방법, 솔더페이스트제조방법및 솔더페이스트를이용한저온접합방법에관한것으로, 본발명의솔더분말제조방법은도금대상물의표면에오염물이나산화물제거를위해전처리하는단계; 상기도금대상물에전해도금법을이용하여나노다층도금층을형성하는단계; 상기도금대상물에형성된나노다층도금층을박리하는단계; 및상기박리된나노다층도금층을분쇄하는단계를포함한다. 본발명에의하면, 나노층을갖는마이크로미터크기의분말페이스트제조가가능하여크기가마이크로사이즈이지만, 분말은모두나노층으로교대로적층되므로나노분말처럼저온접합용으로사용할수 있고, 기존의나노분말과달리쉽게산화되지않고, 화재의위험이나인체침투의위험이적고, 대기중에서보관가능하고, 상온에서인접한입자와엉켜붙어성장하는현상이없으며, 나노적층을갖는마이크로미터크기의분말과나노적층이없는일반분말을혼합하여사용하는경우, 저온접합이가능하면서나노적층분말만으로이루어진경우에비해나노적층분말의비율이감소되어가격을더욱낮출수 있는효과가있다.

10. 发明授权

KR101776151B1 비정질 및 발열 특성을 갖는 금속 도금막을 이용한 초경재료의 접합방법 有权
标题翻译：使用具有无定形和放热性能的金属镀膜的碳化物材料的结合方法
公开(公告)号：KR101776151B1
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020150108652
申请日：2015-07-31
申请人： 덕산하이메탈(주)
发明人： 정재필 , 이준형 , 정도현 , 임동욱
IPC分类号： B23K20/02 , B23K20/16 , B23K20/00 , B23K35/02 , B23K35/40 , C25D7/06 , C25D21/12
CPC分类号： B23K20/00 , B23K20/02 , B23K20/04 , B23K20/16 , B23K35/02 , B23K35/40 , C25D3/02 , C25D3/04 , C25D7/06
摘要： 본발명은제1금속염및 제2금속염을포함하는두 가지이상의금속염이포함된수계합금도금액을준비하는단계, 전극을상기수계합금도금액에침지시켜전해도금회로를구성하는단계, 상기전해도금회로를제어하는제어부에도금하고자하는상기금속염의환원전위값에따라, 25℃표준수소전극기준으로 +2V에서 -4.5V사이의전압또는그에상응하는전류값을입력하여상기전극에환원전위또는전류를인가하는단계, 상기금속염들의표준환원전위차이에의해제1 초경재료또는제2 초경재료의일면, 또는제1 초경재료및 제2 초경재료모두의일면, 또는상기제1 초경재료또는제2 초경재료의사이에배치될코어메탈의양면에적어도 2개층이상의다층비정질금속도금막을형성하는단계및 상기제1 초경재료및 제2 초경재료를상기다층비정질금속도금막이상기제1 초경재료와제2 초경재료사이에배치되어마주보는형태로배치하거나, 상기코어메탈을상기제1 초경재료와제2 초경재료사이에배치하고, 상기다층비정질금속도금막의발열특성이나타날수 있도록용융온도범위로가열하면서상기제1 초경재료와제2 초경재료를서로가압하여접합하는접합단계를포함하는초경재료의접합방법에관한것이다. 본발명에의하면, 초경재료들사이에금속도금막을형성하여초경재료및 공구강등을접합함으로써, 상대적으로낮은접합온도에서도우수한접합강도를나타내는접합부를형성할수 있으며, 용이한방법으로초경재료들을접합할수 있는효과가있다.
摘要翻译：本发明包括构成由浸渍阶段，即也可以含有两个或在电镀多种金属盐的量水性合金电极输送的电镀电路，所述水性合金包含所述第一金属和第二金属的盐，其中所述电解镀覆的步骤取决于金属的盐的还原电位值，以在该控制单元被镀用于控制电路，25℃标准氢电极基础为+ 2V至与其对应的-4.5V的还原电位或电流在电极之间的输入电压或电流值施加，关闭标准还原电势差金属盐第一硬质合金材料或碳化物材料的第二方面，或第一硬质合金材料和两个碳化物材料的第二表面，或向其中其中所述第一硬质合金材料或第二硬质合金材料医生以形成在两侧的至少两层以上的多层非晶金属镀膜以被设置，并且其中所述第一硬质合金材料制成的芯金属，并且所述第一材料的第二硬质合金材料多层无定形金属镀膜和第二烧结碳化物材料这被布置成设置在面对的形式，或在用熔融的温度范围内的第一个碳化物材料和第二放置在烧结碳化物材料之间，和多层非晶金属镀膜发热natanalsu第一碳化物加热芯金属以及将材料和第二硬质合金材料彼此挤压和结合的结合步骤。根据本发明，通过粘合或者通过形成金属膜涂覆的硬质合金材料之间等碳化物材料和工具钢，其可形成接头示出甚至在相对低的粘合温度的优异的粘接强度，并且能够以简单的方式接合烧结碳化物材料有一个效果。

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