会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明授权
    • 대기압 플라즈마를 이용한 나노 형광체 처리 방법
    • 用大气压等离子体处理纳米磷光体的方法
    • KR101445127B1
    • 2014-10-01
    • KR1020130044219
    • 2013-04-22
    • 서울대학교산학협력단
    • 홍국선정현석송희조김동회허세윤김주성이찬우
    • C09K11/00B82B3/00
    • Provided is a new treatment method improving light emitting properties of nanophosphor and controlling a change over time. The method for treating nanophosphor of the present invention comprises the steps of: preparing oxide-based nanophosphor; and changing surficial properties of the oxide-based nanophosphor or improving crystallinity by treating the oxide-based nanophosphor by generating atmospheric pressure plasma. According to the present invention, surficial defect of nanophosphor can be removed and the crystallinity can be improved to have an effect of improving the light emitting properties and can control changes in crystal structure when using phosphor, thereby controlling change over time.
    • 提供了一种改善纳米荧光体的发光性能并控制随时间变化的新的处理方法。 本发明的纳米荧光粉处理方法包括以下步骤:制备氧化物基纳米荧光体; 并通过生成大气压等离子体处理氧化物基纳米荧光体,改变氧化物基纳米荧光体的表面性质或改善结晶度。 根据本发明,可以除去纳米荧光体的表面缺陷,并且可以提高结晶度以具有改善发光性能的效果,并且可以在使用荧光体时控制晶体结构的变化,从而控制随时间的变化。
    • 9. 发明授权
    • 초고집적 반도체의 고해상도 레지스트 재료용 지환족 유도체 및그의 제조 방법
    • 用于高分辨率耐高温材料的高分子衍生物及其制备方法
    • KR100249453B1
    • 2000-03-15
    • KR1019980007697
    • 1998-03-09
    • 한국과학기술연구원
    • 안광덕한동근김종만강종희이찬우이재형
    • C08F222/40
    • 본 발명에는 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다.

      -(M
      a )
      x -(M
      b )
      y -(M
      c )
      u -(M
      d )
      v -


      식 중,
      M
      a 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 이고,
      M
      b 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 이며,
      M
      c 는 전자 결핍성 단량체로서 이고,
      M
      d 는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 이며,
      R
      1 및 R
      2 는 서로 독립적으로 H 또는 산소 원자수 1 내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH
      2 OH, COOC
      2 H
      5 , COOC(CH
      3 )
      3 , 메틸 에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라닐 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며,
      R
      3 은 O, NH 또는 N-CH
      2 CH
      3 이고,
      R
      4 는 H 또는 CH
      3 이고,
      R
      5 는 CH
      3 , CH
      2 CH
      3 , CH
      2 CH
      2 CH
      2 CH
      3 또는 C(CH
      3 )
      3 이며,
      x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로,
      x는 0 내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고,
      y는 0.25 내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며,
      u는 x+y이고,
      v는 0.1 내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.
      이러한 지환족 유도체는 ArF 엑시머 레이저 영역에서의 투명성, 고해상도 및 고감도를 갖고, 기존의 노볼락 수지와 대등한 건식 엣칭 내성을 가지며, 기존의 알칼리 현상액을 적용할 수 있고, 특히 웨이퍼에 대한 접착성 및 현상성이 개선된다. 그러므로, 이러한 지환족 유도체를 사용하여 ArF 엑시머 레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료를 제조할 수 있다.
    • 10. 发明公开
    • 초고집적 반도체의 고해상도 레지스트 재료용 지환족 유도체 및그의 제조 방법
    • 用于超高集成度半导体高分辨率抗蚀剂材料的脂环衍生物及其制备方法
    • KR1019990074239A
    • 1999-10-05
    • KR1019980007697
    • 1998-03-09
    • 한국과학기술연구원
    • 안광덕한동근김종만강종희이찬우이재형
    • C08F222/40
    • 본 발명에는 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다.

      -(M
      a )
      x -(M
      b )
      y -(M
      c )
      u -(M
      d )
      v -


      식 중,
      M
      a 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 이고,
      M
      b 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 이며,
      M
      c 는 전자 결핍성 단량체로서 이고,
      M
      d 는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 이며,
      R
      1 및 R
      2 는 서로 독립적으로 H 또는 산소 원자수 1 내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH
      2 OH, COOC
      2 H
      5 , COOC(CH
      3 )
      3 , 메틸 에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라닐 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며,
      R
      3 은 O, NH 또는 N-CH
      2 CH
      3 이고,
      R
      4 는 H 또는 CH
      3 이고,
      R
      5 는 CH
      3 , CH
      2 CH
      3 , CH
      2 CH
      2 CH
      2 CH
      3 또는 C(CH
      3 )
      3 이며,
      x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로,
      x는 0 내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고,
      y는 0.25 내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며,
      u는 x+y이고,
      v는 0.1 내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.
      이러한 지환족 유도체는 ArF 엑시머 레이저 영역에서의 투명성, 고해상도 및 고감도를 갖고, 기존의 노볼락 수지와 대등한 건식 엣칭 내성을 가지며, 기존의 알칼리 현상액을 적용할 수 있고, 특히 웨이퍼에 대한 접착성 및 현상성이 개선된다. 그러므로, 이러한 지환족 유도체를 사용하여 ArF 엑시머 레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료를 제조할 수 있다.