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1. 发明公开

KR1020140090333A 무촉매 그래핀 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조 방법 审中-实审
标题翻译：不使用催化剂制造石墨的方法和使用相同方法制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020140090333A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020130001595
申请日：2013-01-07
申请人： 서울대학교산학협력단 , 세종대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 여환국 , 주기수 , 천승현 , 김용승 , 정상균
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2933/0008
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a device after a large graphene electrode grown without a catalyst is directly grown on a compound semiconductor layer made of GaN or mixed nitride of Ga and another metal. In the present invention, a graphene grown with PECVD without the catalyst at relatively low temperatures, which is able to be applied to a nitride semiconductor, is formed. According to the present invention, a graphene with a uniform property is easily grown on a large substrate of 2 inches or more as a transfer method is not required, unlike a graphene grown with a catalyst. Also, the performance of the device is easily maximized by applying various pre-processes to a graphene-combined nitride semiconductor substrate, by not distinguishing the substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种在没有催化剂生长的大型石墨烯电极直接生长在由GaN或其它金属的混合氮化物构成的化合物半导体层上的器件制造方法。在本发明中，形成能够施加到氮化物半导体上的在相对较低温度下没有催化剂的PECVD生长的石墨烯。根据本发明，与催化剂生长的石墨烯不同，具有均匀性质的石墨烯容易在不需要转印方法的2英寸以上的大基材上生长。此外，通过将石墨烯组合的氮化物半导体衬底的各种预处理通过不区分衬底来容易地最大化器件的性能。

2. 发明授权

KR101809252B1 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치 有权
标题翻译：半导体叠层结构，使用其的氮化物半导体层的分离方法和装置
公开(公告)号：KR101809252B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
发明人： 윤의준 , 문대영 , 장정환 , 박용조 , 배덕규
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32
摘要： 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 또는그 조합의방법으로수행할수 있다.
摘要翻译：根据本发明，上述氮化物半导体和Lee，钟单晶衬底，一个形成在基板上的半导体层叠结构，使得至少部分所述衬底双峰福利之间的空的空间（腔）在晶体结构中结晶，例如衬底，无机薄膜，mitbin空间并且从结晶的无机薄膜生长氮化物半导体层。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和设备将衬底与氮化物半导体层机械分离。机械分离可以在基板和分离给定的垂直力施加到所述半导体层中，给定的分离力在水平方向上的方法，用于分离给定的相对圆周运动的力，或方法的组合的方法中的氮化物的方法来进行。

3. 发明公开

KR1020120003413A 반도체 소자용 기판, 이를 이용한 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：用于半导体器件的衬底，使用其的氮化物薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120003413A
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR1020110135332
申请日：2011-12-15
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 차국헌 , 김종학 , 오세원 , 우희제
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/02458 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A substrate for a semiconductor device, a nitrogen thin film structure using the same, and a forming method thereof are provided to obtain an ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) effect due to a hollow structure by growing a nitrogen thin film from the exposed substrate surface around the hollow structure. CONSTITUTION: A substrate(300) is used for a heterogeneous epitaxial thin film growth of semiconductor materials. A plurality of hollow structures(305) have an empty particle shape on the substrate. A nitride thin film(315) is formed on the substrate. The nitride thin film is comprised of two or more films. A buffer layer(310) is formed between the substrate and the nitride thin film.
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体器件的衬底，使用其的氮薄膜结构及其形成方法，以通过从暴露的衬底生长氮薄膜而获得由于中空结构而产生的ELO（外延横向过度生长）效应表面围绕中空结构。构成：衬底（300）用于半导体材料的异质外延薄膜生长。多个中空结构（305）在基板上具有空的颗粒形状。在基板上形成氮化物薄膜（315）。氮化物薄膜由两个或更多个膜组成。在衬底和氮化物薄膜之间形成缓冲层（310）。

4. 发明授权

KR100980115B1 발광 다이오드 코팅 방법 有权
标题翻译：涂覆发光二极管的方法
公开(公告)号：KR100980115B1
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：KR1020080001861
申请日：2008-01-07
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 권성훈 , 윤의준 , 박욱
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L25/0753 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 간략히 LED라 함) 코팅 방법에 관한 발명으로서, 보다 구체적으로 LED에 형광체, 몰딩 등을 코팅하는데 사용될 수 있는 LED 코팅 방법에 관한 발명이다.
본 발명 일측면은 (a) 기판, 상기 기판 위에 배열된 복수의 LED를 준비하는 단계; (b) 상기 기판 및 상기 복수의 LED 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 (c) 상기 포토레지스트에 선택적으로 광을 노출함으로써, 상기 복수의 LED의 표면에 제1 코팅-상기 제1 코팅은 경화된 상기 포토레지스트임-을 형성하는 단계를 구비하는 LED 코팅 방법을 제공하는 것이다.

5. 发明公开

KR1020100029704A 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：硝酸盐薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020100029704A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：KR1020090083292
申请日：2009-09-04
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 차국헌 , 김종학 , 오세원 , 우희제
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： PURPOSE: A nitride thin film structure and a forming method thereof are provided to manufacture an optoelectronic device with high efficiency and high reliability by growing up nitride semiconductor epitaxial layer with superior material property. CONSTITUTION: A nitride thin film structure and a forming method thereof comprise a substrate(100), a hollow structure(105), and a nitride thin film(120). The nitride film comprises a first nitride film, a second nitride film, and a third nitride film. The first nitride film is form on a buffering layer above a hollow structure. The second nitride film is formed on the first nitride film. The third nitride film is formed on the second nitride film. The hollow structure is spread in the top of the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法，通过生长具有优异材料性质的氮化物半导体外延层来制造具有高效率和高可靠性的光电子器件。构成：氮化物薄膜结构及其形成方法包括基板（100），中空结构（105）和氮化物薄膜（120）。氮化物膜包括第一氮化物膜，第二氮化物膜和第三氮化物膜。第一氮化物膜形成在中空结构上方的缓冲层上。第二氮化物膜形成在第一氮化物膜上。第三氮化物膜形成在第二氮化物膜上。中空结构扩散在基板的顶部。

6. 发明授权

KR102022346B1 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102022346B1
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：KR1020130018552
申请日：2013-02-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 이건훈 , 박성현 , 윤의준 , 윤석호
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/12 , H01L33/00

7. 发明公开

KR1020170091965A 단결정 AlN 성장 방법 无效
标题翻译：单晶AlN生长方法
公开(公告)号：KR1020170091965A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020160012916
申请日：2016-02-02
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 신인수 , 윤의준 , 박용조 , 이동현 , 김종명
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/203 , H01L21/324
摘要： 상온과같은저온에서도스퍼터링과같은 PVD 방법을이용해단결정 AlN을성장시킬수 있는방법을제공한다. 본발명에따른단결정 AlN 성장방법은기판위에상기기판과 AlN 사이의격자상수차이를줄여주는금속층을형성하는단계; 및상기금속층위에 PVD 방법으로단결정 AlN을성장시키는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了即使在低温如室温下也使用诸如溅射的PVD方法生长单晶AlN的方法。根据本发明的另一方面，提供了一种生长单晶AlN的方法，包括：在衬底上形成金属层以减小衬底和AlN之间的晶格常数的差异; 并通过PVD在金属层上生长单晶AlN。

8. 发明公开

KR1020170023920A 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치 有权
标题翻译：半导体薄膜结构方法和使用其的氮化物半导体分离装置
公开(公告)号：KR1020170023920A
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020170024938
申请日：2017-02-24
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
发明人： 윤의준 , 문대영 , 장정환 , 박용조 , 배덕규
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/32
摘要： 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 및그 조합의방법으로수행할수 있다.

9. 发明公开

KR1020160008382A 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치 无效
标题翻译：半导体薄膜结构，使用其分离氮化物半导体的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160008382A
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020140088503
申请日：2014-07-14
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 헥사솔루션
发明人： 윤의준 , 문대영 , 장정환 , 박용조 , 배덕규
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/67092 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 본발명에따른반도체적층구조는질화물반도체와이종인단결정기판, 기판과의사이에빈 공간(cavity)이정의되도록기판상에형성되고기판과같은결정구조로적어도일부결정화된무기물박막, 및빈 공간위의결정화된무기물박막상에서부터성장된질화물반도체층을포함한다. 본발명에따른질화물반도체층분리방법및 장치는기판과질화물반도체층사이를기계적으로분리시킨다. 기계적인분리는기판과질화물반도체층에수직방향힘을주어분리하는방법, 수평방향의힘을주어분리하는방법, 상대적인원운동의힘을주어분리하는방법, 및그 조합의방법으로수행할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的衬底叠层结构包括不同于氮化物半导体的单晶衬底; 以及无机薄膜，其被限定在基板上以限定在基板之间形成的空腔，并且以与基板相同的晶体结构部分结晶，并且从无机薄膜生长的氮化物半导体层在空腔上结晶化。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置将衬底与氮化物半导体层机械分离。机械分离可以通过施加垂直力来分离衬底和氮化物半导体层的方法，通过施加水平力来分离衬底和氮化物半导体层的方法，分离衬底和氮化物的方法通过施加相对圆周运动的力的半导体层及其组合方法。

10. 发明授权

KR101235239B1 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：半导体薄膜结构及其形成方法
公开(公告)号：KR101235239B1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：KR1020110047692
申请日：2011-05-20
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 윤의준 , 하신우
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , H01L33/0079
摘要： 본 발명에서는 기판과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이에 의한 응력 발생과 그로 인한 기판 휘어짐 현상을 조절하기 위해서, 희생층을 기판 위에 형성하고 다양한 방법으로 패터닝한 후, 그 위에 무기물 박막을 형성하고 나서 선택적으로 희생층을 제거하여, 기판 위에 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)을 형성하는 반도체 박막 형성 방법 및 이러한 방법으로 형성된 반도체 박막 구조를 제안한다.

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