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    • 2. 发明公开
    • 유기물 및 고분자 소재를 이용한 비휘발성 메모리 소자
    • 有机和聚合材料的非易失性存储器件
    • KR1020050107238A
    • 2005-11-11
    • KR1020040032544
    • 2004-05-08
    • 서동학
    • 서동학최진식김회림최면길조홍열이지윤임진수민기홍김보리
    • H01L27/115
    • H01L21/768H01L21/28061
    • 본발명은 유기물 및 고분자 소재를 이용한 비휘발성 메모리 소자에 대한 것으로 기존의 플래쉬 메모리와 EEPROM 소자를 대체하기 위한 것이다.
      본 발명의 단위 소자 구조는 유기물 및 고분자 물질 내에 전하 제어 기능을 가진 금속 및 세라믹 등의 박막이나 이들 물질의 미세 입자들이 분포하고 있는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 단위 소자는 동일 면적에 3차원적 적층이 가능하여 적층을 통한 고집적 비휘발성 메모리 소자로 적용될 수 있으며, 특히 공통 전극을 이용하여 서로 결합된 단위 소자들은 신호의 조합을 통한 정보 처리로 대량 정보 기억이 가능한 멀티 비트 소자 구현이 가능한 장점이 있다. 또한 각각의 단일 소자에 유기물 및 고분자 재료와 전하 제어기능 물질 및 구조의 조합을 통하여 소자내 멀티 비트 정보 저장이 가능하고 이들이 위에 언급된 다층 소자 적층으로 실현하면 소자의 메모리 저장능력이 획기적으로 증대 시킬 수 있는 방법이다.
      이들 소자의 적용 가능한 소재로는 전기가 통하지 않는 유기물 및 고분자 재료가 그 대상이고, 전하 제어 물질로는 금속, 산화물 및 질화물 등의 세라믹 소재, 전극으로는 금속, 투명 전극등이 가능하다, 또한 금속 및 무기물 전극과 유기물 및 고분자 소자간의 계면의 접합성과 정합성 개선을 위해 OTS, AIDCN등의 물질을 사용하거나 표면처리등을 이용할 수 있다.
      본 소자는 구동 속도가 빨라 기존 메모리 소자 및 장치의 대용으로 적용 가능하며 또한 SoC에 적용하여 구동될 수 있으며, RF-ID 및 Samrt Card에 적용도 가능한 특징이 있다.