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1. 发明公开

KR1020110052300A 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법 有权
标题翻译：制作大尺度石墨和传输大尺度图形的方法
公开(公告)号：KR1020110052300A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090109283
申请日：2009-11-12
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 우윤성 , 서형석 , 배수강 , 서순애 , 정현종 , 강새라 , 허진성 , 정명희
IPC分类号： C01B31/02 , C23C16/26
CPC分类号： C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10T156/1041 , C01B32/194 , B82B3/0061 , C23C16/26
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing large-sized graphene and a method for transferring the large-sized graphene are provided to easily separate the large-sized graphene from a catalyst layer. CONSTITUTION: A method for transferring large-sized graphene includes the following: A graphene layer(120) is formed on a substrate. A protective layer(130) and an adhesive layer(140) are successively formed on the graphene layer. The exposed surface of the substrate is cut. Hydrophilic liquid applied to the substrate, and the substrate is eliminated from the graphene layer. The protective layer and the adhesive layer are eliminated.
摘要翻译：目的：提供大型石墨烯的制造方法和转印大尺寸石墨烯的方法，以容易地将大型石墨烯与催化剂层分离。构成：用于转移大尺寸石墨烯的方法包括以下：在基板上形成石墨烯层（120）。在石墨烯层上依次形成保护层（130）和粘合剂层（140）。切割基板的露出表面。施加到基板上的亲水性液体，从石墨烯层除去基板。消除了保护层和粘合剂层。

2. 发明授权

KR101652787B1 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법 有权
标题翻译：制造大型石墨烯和转移大型石墨烯的方法
公开(公告)号：KR101652787B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020090109283
申请日：2009-11-12
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 우윤성 , 서형석 , 배수강 , 서순애 , 정현종 , 강새라 , 허진성 , 정명희
IPC分类号： C01B31/02 , C23C16/26
CPC分类号： C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10T156/1041
摘要： 대면적그라핀전사방법및 제조방법이개시된다. 개시된대면적그라핀전사방법은, 기판상에그라핀층, 보호층및 접착층을순차적으로형성한다음, 상기기판을제거한다. 이어서, 전사기판상에상기그라핀층이접촉되게상기그라핀층을정렬하는단계를포함한다.

3. 发明公开

KR1020130077405A 한 개의 그래핀 트랜지스터로 이루어진 메모리 소자와 그 제조 및 동작방법 无效
标题翻译：包含一个石墨晶体管的存储器件及其制造和操作方法
公开(公告)号：KR1020130077405A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110146099
申请日：2011-12-29
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 유원종 , 이대영 , 장강 , 라창호 , 임영대 , 정현종 , 최재영
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L29/792 , H01L29/4234 , H01L29/66833
摘要： PURPOSE: A memory device consisting of one graphene transistor and a method for manufacturing and operating the same are provided to perform a high speed operation by using a graphene channel. CONSTITUTION: A first, a second, and a third electrode are separated from each other. A graphene layer (34) is in contact with the second and the third electrode. The graphene layer is insulated from the first electrode. The graphene layer is a memory layer. The graphene layer has the density of charge trap sites.
摘要翻译：目的：提供由一个石墨烯晶体管组成的存储器件及其制造和操作方法，以通过使用石墨烯通道来执行高速操作。构成：第一，第二和第三电极彼此分离。石墨烯层（34）与第二和第三电极接触。石墨烯层与第一电极绝缘。石墨烯层是记忆层。石墨烯层具有电荷陷阱位置的密度。

4. 发明授权

KR101830782B1 그래핀을 포함하는 전극 구조체 및 전계효과 트랜지스터 有权
标题翻译：包括石墨烯和场效应晶体管的电极结构
公开(公告)号：KR101830782B1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR1020110095813
申请日：2011-09-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양희준 , 박성준 , 정현종 , 허진성
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/456 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/78
摘要： 그래핀을포함하는전극구조체및 전계효과트랜지스터를개시한다. 개시된전극구조체는반도체층상의그래핀과, 상기그래핀상의전극메탈을구비한다. 상기그래핀은상기반도체층과직접적으로접촉하며, 상기전극메탈은상기그래핀과직접접촉한다.
摘要翻译：公开了包括石墨烯和场效应晶体管的电极结构。所公开的电极结构包括半导体层上的石墨烯和石墨烯上的电极金属。石墨烯与半导体层直接接触，并且电极金属与石墨烯直接接触。

5. 发明授权

KR101443223B1 인덕터 및 그 동작방법 有权
标题翻译：电感和操作方法
公开(公告)号：KR101443223B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020080031714
申请日：2008-04-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전대영 , 김동철 , 서순애 , 정란주 , 우윤성 , 정현종
IPC分类号： H01F27/00
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F21/005 , H01F21/02 , H01F27/34 , H01F41/045 , H03H2001/0092
摘要： 인덕터 및 그 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 인덕터는 인가되는 전기장에 따라 전기 저항이 달라지는 제1물질을 포함하는 인덕터용 도전선, 및 상기 도전선의 양단에 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2전극을 포함하는 인덕터를 제공한다.

6. 发明授权

KR101336991B1 교차점 래치 및 그의 동작 방법 有权
标题翻译：交叉点闩锁及其操作方法
公开(公告)号：KR101336991B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020070047833
申请日：2007-05-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정현종 , 서순애 , 이장원 , 전대영 , 정란주 , 김동철 , 배지영
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H03K3/40 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/77
摘要： 본발명은교차점래치및 그의동작방법에관한것이다. 개시된본 발명의교차점래치는신호선, 상기신호선과교차하는두 개의제어선및 상기신호선과상기제어선의교차점에배치된유니폴라스위치를포함하는것을특징으로한다.

7. 发明授权

KR101303579B1 전기기계적 스위치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：机电开关及其制造方法
公开(公告)号：KR101303579B1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020070072485
申请日：2007-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김동철 , 정란주 , 서순애 , 이장원 , 정현종
IPC分类号： H01H59/00 , B81B7/02 , B82B3/00
CPC分类号： H01H1/0094 , Y10T29/49105
摘要： 전기기계적 스위치 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 전기기계적 스위치는 전기장에 의해 움직이는 탄성도전층을 포함하는 전기기계적 스위치에 있어서, 상기 탄성도전층은 적어도 한 층의 그래핀(graphene)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

8. 发明公开

KR1020130042906A 그래핀을 이용한 광 변조기 审中-实审
标题翻译：使用石墨的光学调制器
公开(公告)号：KR1020130042906A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110107056
申请日：2011-10-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성호 , 정현종
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/293 , G02B26/06
CPC分类号： G02F1/025 , G02F2001/0156 , G02F2202/02
摘要： PURPOSE: An optical modulator using graphene is provided to increase a modulation depth and reduce the size of the optical modulator by increasing the optical absorption of the graphene through arranging the two graphene connected to an electrode at the center of an optical wave guide. CONSTITUTION: An optical modulator(100) using graphene comprises first and second graphene(141,142) positioned on the upper side of a semiconductor layer(120), a first electrode(161) positioned on the first graphene, and a second electrode(162) positioned on the second graphene. One side of the first graphene and one side of the second graphene are separately positioned. A first ridge part(124) on the semiconductor layer and a second ridge part(150) on the second graphene form an optical wave guide. The first and second graphene are formed at the center of the vertical surface of the optical wave guide.
摘要翻译：目的：提供一种使用石墨烯的光调制器，以通过将连接到光波导中心的电极的两个石墨烯布置在一起来增加石墨烯的光吸收，从而增加调制深度并减小光调制器的尺寸。构成：使用石墨烯的光学调制器（100）包括位于半导体层（120）的上侧的第一和第二石墨烯（141,142），位于第一石墨烯上的第一电极（161）和第二电极（162）位于第二石墨烯上。第一石墨烯的一侧和第二石墨烯的一侧分开定位。半导体层上的第一脊部（124）和第二石墨烯上的第二脊部（150）形成光波导。第一和第二石墨烯形成在光波导的垂直表面的中心。

9. 发明公开

KR1020130032105A 그래핀을 포함하는 전극 구조체 및 전계효과 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：包含石墨和电极效应晶体管的电极结构
公开(公告)号：KR1020130032105A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：KR1020110095813
申请日：2011-09-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양희준 , 박성준 , 정현종 , 허진성
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/456 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/78 , H01L29/66712
摘要： PURPOSE: An electrode structure including graphene and a field effect transistor are provided to reduce the energy barrier by putting graphene between a semiconductor layer and metal. CONSTITUTION: Graphene(120) is formed on a semiconductor layer(110). A graphene layer includes an electrode metal(130). The graphene has a single layer or a double layer. The electrode metal has a size of 30nm or less. The graphene is in direct contact with the semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供包括石墨烯和场效应晶体管的电极结构，以通过将石墨烯放在半导体层和金属之间来减少能量势垒。构成：在半导体层（110）上形成石墨烯（120）。石墨烯层包括电极金属（130）。石墨烯具有单层或双层。电极金属的尺寸为30nm以下。石墨烯与半导体层直接接触。

10. 发明公开

KR1020120034419A 그래핀 전자 소자 및 제조방법 有权
标题翻译：石墨电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120034419A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100095971
申请日：2010-10-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양희준 , 서순애 , 이성훈 , 정현종 , 허진성
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66477 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/1079 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/838 , Y10S977/842 , H01L21/324
摘要： PURPOSE: A graphene electronic device and a fabricating method thereof are provided to prevent the inherent characteristic of a graphene channel layer from being damaged by forming a passivation layer or a gate oxide on the graphene channel layer after a thermal process. CONSTITUTION: A gate oxide(112) is formed on a silicon substrate(110). A hydrophobic polymer layer(120) is formed on the gate oxide. A graphene channel layer(130) is formed on the hydrophobic polymer layer. A source electrode(142) and a drain electrode(144) are respectively formed on both ends of the graphene channel layer. A passivation layer(150) covering the graphene channel layer is formed between the source electrode and the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供石墨烯电子器件及其制造方法，以防止在热处理之后在石墨烯通道层上形成钝化层或栅极氧化物来损害石墨烯通道层的固有特性。构成：在硅衬底（110）上形成栅氧化层（112）。在栅极氧化物上形成疏水性聚合物层（120）。在疏水聚合物层上形成石墨烯通道层（130）。源极电极（142）和漏电极（144）分别形成在石墨烯通道层的两端。在源电极和漏电极之间形成覆盖石墨烯沟道层的钝化层（150）。

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