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1. 发明授权

KR101968638B1 염화금속이 도포된 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 습도조절 시스템 및 구동방법 有权
公开(公告)号：KR101968638B1
公开(公告)日：2019-04-15
申请号：KR1020100019569
申请日：2010-03-04
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김언정 , 이은홍 , 손형빈 , 이일하 , 이영희
IPC分类号： F24F6/00 , G01N27/12 , F24F11/30

2. 发明公开

KR1020110100525A 염화금속이 도포된 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 습도조절 시스템 및 구동방법 审中-实审
标题翻译：具有金属氯化物涂层的碳纳米管传输器的湿度控制系统及其操作方法
公开(公告)号：KR1020110100525A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020100019569
申请日：2010-03-04
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김언정 , 이은홍 , 손형빈 , 이일하 , 이영희
IPC分类号： F24F6/00 , G01N27/12 , F24F11/02
CPC分类号： F24F11/0008 , F24F6/00 , F24F11/30 , F24F2110/20 , G01N27/12
摘要： 염화금속이 도포된 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 습도조절 시스템 및 구동방법이 개시된다. 개시된 염화금속이 도포된 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 습도조절 시스템은 가습기를 선택적으로 턴온시키는 스위칭부와 상기 스위칭부에 턴온신호를 전송하는 습도 센서를 구비한다.
상기 습도 센서는, 탄소나노튜브의 표면에 염화금속이 도포된 탄소나노튜브 트랜지스터이다.

3. 发明授权

KR101603774B1 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법 有权
标题翻译：碳纳米管器件阵列的制造方法
公开(公告)号：KR101603774B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020090042192
申请日：2009-05-14
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김언정 , 이은홍 , 이영희 , 이일하
IPC分类号： H01L21/027 , B82B3/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/16 , C01B2202/08
摘要： 탄소나노튜브소자어레이의제조방법이개시된다. 개시된탄소나노튜브소자어레이의제조방법은포토리소그라피공정을이용하여촉매패턴들을형성하고, 이촉매패턴들로부터탄소나노튜브를성장시킨다음, 이렇게성장된탄소나노튜브상에전극들을형성한다.

4. 发明公开

KR1020100123144A 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법 有权
标题翻译：制备碳纳米管装置阵列的方法
公开(公告)号：KR1020100123144A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：KR1020090042192
申请日：2009-05-14
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김언정 , 이은홍 , 이영희 , 이일하
IPC分类号： H01L21/027 , B82B3/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/16 , C01B2202/08 , B82B3/00 , H01L21/0332
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a carbon nano tube element is provided to form carbon nanotubes in a desired location by using a photolithography process. CONSTITUTION: An oxide layer(120) is formed on a substrate(110). A plurality of catalyst patterns are formed on the oxide layer. The catalyst patterns are formed by a photolithography process. A plurality of firsts and second electrodes(151,152) are formed by the photolithography process.
摘要翻译：目的：提供碳纳米管元件的制造方法，以通过使用光刻工艺在所需位置形成碳纳米管。构成：在衬底（110）上形成氧化物层（120）。在氧化物层上形成多个催化剂图案。催化剂图案通过光刻工艺形成。通过光刻工艺形成多个第一和第二电极（151,152）。

5. 发明授权

KR101240662B1 탄소나노튜브를 이용한 방열판 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用碳纳米管的散热片及其制造方法
公开(公告)号：KR101240662B1
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110078245
申请日：2011-08-05
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이영희 , 이일하
IPC分类号： H05K7/20 , B82Y30/00
摘要： 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 방열판 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 상세하게는, 탄소나노튜브의 공극을 진공 증착 및 전기 도금을 이용하여 전도성 금속을 채워서, 기존보다 뛰어난 열방출 효과를 나타내는 탄소나노튜브를 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 방열판은, 수직 성장된 나노튜브의 방향성을 유지하면서 금속과 혼합하기 때문에 열적인 우수성을 그대로 유지할 수 있으며, 공기로 채워진 빈 공간을 전도성 금속으로 채움으로서 기존에 쓰이는 전도성 방열판에 비하여 뛰어난 열방출 효과를 나타낼 수 있다.

6. 发明公开

KR1020130015910A 탄소나노튜브를 이용한 방열판 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用碳纳米管的散热片及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130015910A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020110078245
申请日：2011-08-05
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 이영희 , 이일하
IPC分类号： H05K7/20 , B82Y30/00
摘要： PURPOSE: A heat radiator using a carbon nanotube and a manufacturing method thereof are provided to improve effect of heat radiation by filling conductive metal into gaps between vertical type carbon nanotubes using vacuum evaporation and electroplating. CONSTITUTION: A carbon nanotube is fabricated in a form of vertical alignment. Conductive metal is filled in a gap between carbon nanotubes. The conductive metal is filled through a vacuum electrodeposition method. The conductive metal is filled through an electroplating method. A stage of absorption heat treatment is performed. The conductive metal is more than one of a group consisting of aluminum, copper, gold and silver. [Reference numerals] (AA) Catalyst deposition using PVD; (BB) Carbon nanotube vertical growth; (CC) Wet catalyst deposition; (DD) Electroplating; (EE) Vacuum deposition; (FF) Absorption heat treatment
摘要翻译：目的：提供使用碳纳米管的散热器及其制造方法，以通过使用真空蒸镀和电镀将导电金属填充到垂直型碳纳米管之间的间隙中来改善散热效果。构成：以垂直对准的形式制造碳纳米管。导电金属填充在碳纳米管之间的间隙中。通过真空电沉积方法填充导电金属。通过电镀方法填充导电金属。进行吸收热处理的阶段。导电金属是由铝，铜，金和银组成的组中的一种以上。（AA）使用PVD的催化剂沉积; （BB）碳纳米管垂直生长; （CC）湿催化剂沉积; （DD）电镀; （EE）真空沉积; （FF）吸收热处理

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