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1. 发明授权

KR101711205B1 전계효과 트랜지스터 및 이에 기반한 센서 有权
标题翻译：场效应晶体管和传感器相同
公开(公告)号：KR101711205B1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020090128381
申请日：2009-12-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 홍승훈 , 김병주 , 이문숙
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G01N27/4145 , H01L29/78654 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 전계효과트랜지스터에있어서, 소스전극및 드레인전극과별개로형성되며반도체채널의표면에접촉하여쇼트키장벽을형성하는전극을형성함으로써쇼트키장벽의조절을용이하게할 수있다.
摘要翻译：场效应晶体管具有独立于源电极和漏电极设置的至少一个电极，并且与半导体沟道的表面直接接触以形成肖特基势垒，使得可以容易地控制肖特基势垒。

2. 发明公开

KR1020110071737A 전계효과 트랜지스터 및 이에 기반한 센서 有权
标题翻译：场效应晶体管和传感器基于此
公开(公告)号：KR1020110071737A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128381
申请日：2009-12-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 홍승훈 , 김병주 , 이문숙
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G01N27/4145 , H01L29/78654 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/47
摘要： PURPOSE: A field effect transistor and a sensor based the same are provided to easily control a Schottky barrier by forming an electrode which is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. CONSTITUTION: In a field effect transistor and a sensor based the same, a semiconductor channel is formed on a substrate. The semiconductor channel is comprised of a nanowire and a nanotude. A source electrode(121) and a drain electrode(122) are formed in the both ends of semiconductor channel. A third electrode(130) is contacted with the surface of a semiconductor to form the Schottky barrier. A source electrode, a drain electrode, and a third electrode are parallel with each other while having a certain interval between them.
摘要翻译：目的：提供场效应晶体管和基于此的传感器，以通过形成与半导体表面接触形成肖特基势垒的电极来容易地控制肖特基势垒。构成：在场效应晶体管和基于此的传感器中，在衬底上形成半导体沟道。半导体通道由纳米线和纳米线构成。在半导体通道的两端形成源电极（121）和漏电极（122）。第三电极（130）与半导体的表面接触以形成肖特基势垒。源电极，漏电极和第三电极在它们之间具有一定间隔时彼此平行。

3. 发明公开

KR1020100009869A 씨모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
标题翻译： CMOS晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100009869A
公开(公告)日：2010-01-29
申请号：KR1020080070685
申请日：2008-07-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상훈 , 이문숙 , 조병옥
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L27/124 , B82Y10/00 , H01L27/095 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/45 , H01L29/7839 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A CMOSFET and a manufacturing method thereof are provided to obtain On/Off property by forming an N-type transistor and a P-type transistor on a semiconducting channel film. CONSTITUTION: A first and a second gate electrode(102a,102b) are formed on a substrate(100). A gate insulating layer(104) is laminated on the first and the second gate electrode and the substrate. An N-type semiconducting channel film(106) is formed on the substrate to cover the gate insulating layer(104). An ohmic contact(108) is welded on an N-type semiconducting channel film surface of the first gate electrode. A Schottky contact(110) is welded on the N-type semiconducting channel film of the both sides of the second gate electrode. The ohmic contact and the Schottky contact are covered by a protective film(112). The ohmic contact and the Schottky contact are electrically connected through a second wire(120). The third wire(122) is electrically connected to the ohmic contact. The fourth wire(124) is electrically connected to the Schottky contact.
摘要翻译：目的：提供CMOSFET及其制造方法，通过在半导体沟道膜上形成N型晶体管和P型晶体管来获得On / Off特性。构成：在基板（100）上形成第一和第二栅电极（102a，102b）。栅极绝缘层（104）层叠在第一和第二栅电极和基板上。在衬底上形成N型半导体沟道膜（106）以覆盖栅极绝缘层（104）。欧姆接触件（108）焊接在第一栅电极的N型半导体沟道膜表面上。将肖特基接触件（110）焊接在第二栅电极的两侧的N型半导体沟道膜上。欧姆接触和肖特基接触被保护膜（112）覆盖。欧姆接触和肖特基接触通过第二导线（120）电连接。第三线（122）电连接到欧姆接触。第四线（124）电连接到肖特基接触。

4. 发明公开

KR1020090029045A 트랜지스터의 채널로 나노 물질을 이용하는 바이오 센서 및그 제조 방법 有权
标题翻译：使用纳米材料作为晶体管的通道的生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090029045A
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020070094290
申请日：2007-09-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙 , 조병옥 , 류만형 , 야스에타카히로 , 하정환
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： G01N27/4145 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , G01N27/4146 , H01L51/0595 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A biosensor using nano-material as a channel of a transistor and a manufacturing method thereof are provided to read difference of conductance through a first signal wire and a second signal wire as the nano-structure of a semiconductor shows specific conductance in case a probe is combined with a bio-sample. A biosensor using nano-material as a channel of a transistor comprises: a first and second signal wires(150,160) installed inside an insulating layer; a nano-structure of a semiconductor electrically connected to the first signal wire and the second signal wire; and a plurality of probes(200) combined on the nano-structure of the semiconductor. The nano-structure of the semiconductor shows specific conductance in case the probe is combined with a bio-sample.
摘要翻译：提供了使用纳米材料作为晶体管的沟道的生物传感器及其制造方法，以通过第一信号线和第二信号线读取电导差，因为半导体的纳米结构在探针为结合生物样品。使用纳米材料作为晶体管的通道的生物传感器包括：安装在绝缘层内的第一和第二信号线（150,160）; 电连接到第一信号线和第二信号线的半导体的纳米结构; 以及组合在半导体的纳米结构上的多个探针（200）。半导体的纳米结构在探头与生物样品组合的情况下显示比电导。

5. 发明授权

KR100836759B1 유기 메모리 소자 및 그 형성 방법 失效
标题翻译：有机记忆装置及其形成方法
公开(公告)号：KR100836759B1
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020060097503
申请日：2006-10-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 야스에다카히로 , 조병옥 , 이문숙
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L51/005 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0075 , H01L51/0595
摘要： 두 전극 사이에 자기조직화단분자막과 적어도 두 저항 상태들 사이에서 스위칭 가능한 메모리막이 놓인 메모리 셀이 제공된다. 자기조직화단분자막은 전극과 메모리막 사이의 접착을 향상시키고 이들 사이의 계면특성을 향상시킬 수 있다.
메모리 소자, 저항 메모리, 폴리머, 단분자막

6. 发明授权

KR100593750B1 이성분계 금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는교차점 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 이성분계금속산화막을데이터저장물질막으로채택하는교차점비휘발성기억소자및그제조방
公开(公告)号：KR100593750B1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020040091554
申请日：2004-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백인규 , 이문숙
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： A cross-point nonvolatile memory device using a binary metal oxide layer as a data storage material layer includes spaced apart doped lines disposed in a substrate. Spaced apart upper electrodes cross over the doped lines such that cross points are formed where the upper electrodes overlap the doped lines. Lower electrodes are disposed at the cross points between the doped lines and the upper electrodes. A binary metal oxide layer is provided between the upper electrodes and the lower electrodes and provided as a data storage material layer. Doped regions are provided between the lower electrodes and the doped lines and form diodes together with the doped lines. The doped regions have an opposite polarity to the doped lines.
摘要翻译：使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件包括设置在衬底中的间隔开的掺杂线。间隔开的上部电极跨越掺杂线，使得在上部电极与掺杂线重叠的地方形成交叉点。下电极设置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。在上电极和下电极之间提供二元金属氧化物层并且提供为数据存储材料层。在下电极和掺杂线之间提供掺杂区域，并与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。

7. 发明公开

KR1020060016028A 노드 도전막 패턴들에 각각 자기 정렬시킨 하부 전극들을갖는 에프. 램들 및 그 형성방법들 有权
标题翻译：具有较低电极的电磁随机存取存储器自动对准节点导电层图案及其形成方法
公开(公告)号：KR1020060016028A
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：KR1020040064449
申请日：2004-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要： 노드 도전막 패턴들에 각각 자기 정렬시킨 하부 전극들을 갖는 에프. 램(FRAM; Ferroelectric Random Access Memory)들 및 그 형성방법들을 제공한다. 이 에프. 램들 및 그 형성방법들은 포토공정을 수행하지 않고 하부 전극들을 노드 분리시키는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 반도체 기판의 상부에 차례로 적층된 층간절연막 및 확산 방지막을 관통하는 두 개의 노드 콘택홀들이 배치된다. 그리고, 상기 노드 콘택홀들과 각각 정렬해서 확산 방지막으로부터 상부를 향하여 돌출된 노드 도전막 패턴들이 배치된다. 상기 노드 도전막 패턴들을 각각 감싸는 하부 전극들을 확산 방지막 상에 형성한다. 이때에, 상기 하부 전극들은 각각이 노드 도전막 패턴들의 상면을 잇는 연장선으로부터 확산 방지막을 향해서 두께가 점진적으로 감소한다. 이를 통해서, 상기 에프. 램들 및 그 형성방법들은 노드 도전막 패턴들에 하부 전극들을 각각 자기 정렬시켜서 반도체 제조 공정을 단순화해준다.
하부 전극, 확산방지막.

8. 发明公开

KR1020050084704A 가스 산포 방법, 및 샤워 헤드, 및 샤워 헤드를 구비하는반도체 기판 가공 장치 有权
标题翻译：用于散射气体和淋浴头的方法，以及具有用于制造半导体基板的淋浴头的装置
公开(公告)号：KR1020050084704A
公开(公告)日：2005-08-29
申请号：KR1020040012093
申请日：2004-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최영배 , 이문숙 , 배병재
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/3244
摘要： 가스를 균일하게 산포할 수 있는 가스 산포 방법, 및 샤워 헤드, 및 반도체 기판 가공 장치가 개시되어 있다. 샤워 헤드 내부에 마련된 확산 공간으로 가스를 분수식으로 제공한다. 분수식으로 제공된 가스는 샤워 헤드 내부에 형성된 가스 산포 부재에 충돌하여 샤워 헤드의 다공성 플레이트 상에 균일하게 분포한다. 확산 공간 내의 압력이 상승되면, 가스는 확산 공간으로부터 다공성 플레이트 외부로 통과하여 균일하게 산포된다. 가스 산포 부재는 샤워 헤드의 헤드 커버 주변부로부터 중심부로 갈수록 계단형으로 오목하게 들어간 형상을 갖거나, 헤드 커버의 주변부로부터 중심부로 갈수록 계단형으로 볼록하게 나온 형상을 갖거나, 또는 헤드 커버의 저면으로부터 서로 다른 직경으로 형성된 다수의 원형 띠 형상을 갖는 헤드 커버의 단차이다. 프로세스 챔버 상부에 설치된 샤워 헤드로부터 가스를 균일하게 산포하여 프로세스 챔버 내부에 배치된 반도체 기판을 정밀하게 가공할 수 있다. 나아가 반도체 장치의 특성을 뛰어나게 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 후속 공정의 에러율도 현저하게 감소시킬 수 있다.

9. 发明公开

KR1020040078270A 반실린더형 캐패시터를 갖는 강유전체 메모리 소자 및 그제조방법 失效
标题翻译：装配有半圆柱电容器的电磁存储器件及其增加电极表面区域的方法
公开(公告)号：KR1020040078270A
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：KR1020030013120
申请日：2003-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/91
摘要： PURPOSE: A ferroelectric memory device equipped with a semi-cylindrical capacitor and fabricating method thereof are provided to increase the surface area of an electrode and capacitance by forming a capacitor with a three-dimensional structure. CONSTITUTION: A plurality of buried contacts(126) are formed on an interlayer dielectric(122a). An oxide layer(128a) is formed on the interlayer dielectric including the buried contacts. An intagliated pattern(130) is formed thereon in order to open each upper part of the buried contacts. A plurality of bottom electrodes(132b) are formed on the inside of the intagliated pattern. A ferroelectric layer(134a) and a top electrode(136a) are sequentially formed on each upper surface of the bottom electrodes.
摘要翻译：目的：提供一种配备半圆柱形电容器的铁电存储器件及其制造方法，通过形成具有三维结构的电容器来增加电极和电容的表面积。构成：在层间电介质（122a）上形成多个埋入触点（126）。在包括埋入触点的层间电介质上形成氧化物层（128a）。为了打开埋入触头的每个上部，在其上形成有一个倾斜图案（130）。多个底部电极（132b）形成在凹凸图案的内侧。在底电极的每个上表面上依次形成铁电层（134a）和顶电极（136a）。

10. 发明公开

KR1020040076433A 반도체 소자 제조 장치 失效
标题翻译：半导体器件制造用于蒸发气体沉积在水面上的装置
公开(公告)号：KR1020040076433A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：KR1020030011778
申请日：2003-02-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: An apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to heat easily a source gas such as an oxygen gas or a nitrogen gas without an additional heater by using the high heat generated from a susceptor. CONSTITUTION: A susceptor(220) is installed in an inside of a process chamber(210). A semiconductor substrate is loaded on a surface of the susceptor and is heated while a process is performed. An injection unit(230) is installed at an opposite position to the susceptor in the inside of the process chamber. The first supply tube(242) is used for supplying the first source gas to the process chamber. A heating tube(250) is connected to the first supply tube and is installed around the susceptor.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的装置，通过使用从基座产生的高热，容易地加热诸如氧气或氮气的源气体，而不需要附加的加热器。构成：将基座（220）安装在处理室（210）的内部。将半导体基板装载在基座的表面上，并在进行处理时被加热。注射单元（230）安装在处理室内部与基座相对的位置处。第一供应管（242）用于将第一源气体供应到处理室。加热管（250）连接到第一供应管并安装在基座周围。

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