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1. 发明授权

KR101408116B1 공진기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：谐振器及其制作方法
公开(公告)号：KR101408116B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020080039469
申请日：2008-04-28
申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 박윤권 , 주병권 , 하병주 , 이재성 , 송인상 , 이진우 , 신제식 , 박영민
IPC分类号： H01P11/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H03H9/462 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H03H3/0072 , H03H9/2463
摘要： 공진기 제조 방법이 개시된다. 본 방법에 따르면, 나노 임프린트 기술을 이용하여, 기판 상에서 서로 이격된 복수 개의 전극 패턴을 마련하는 단계 및 복수 개의 전극 패턴들에 연결된 연장 전극 패턴을 형성하고, 연장 전극 패턴들 사이에 걸쳐지는 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 나노 레벨의 공진 구조물을 가지는 NEMS 공진기를 용이하게 제조할 수 있다.
나노 임프린트, 나노 구조물, 공진기

2. 发明授权

KR101400238B1 와이어를 이용하는 공진 구조체와 공진 터널링 트랜지스터및 공진 구조체 제조 방법 有权
标题翻译：共振结构，包括线，谐振隧道晶体管，以及制造谐振结构的方法
公开(公告)号：KR101400238B1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020080007186
申请日：2008-01-23
申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 박윤권 , 황성우 , 신제식 , 하병주 , 이재성 , 송인상 , 김용규 , 주병권 , 김희태
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/49 , H01L29/78 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
摘要： 공진 구조체가 개시된다. 본 공진 구조체는, 제1 단자, 상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부, 상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 공진시키는 제3 단자 및, 상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부를 포함한다. 이에 따라, 트랜스덕션 효율을 높일 수 있다.
공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어

3. 发明公开

KR1020090113643A 공진기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：谐振器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090113643A
公开(公告)日：2009-11-02
申请号：KR1020080039469
申请日：2008-04-28
申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 박윤권 , 주병권 , 하병주 , 이재성 , 송인상 , 이진우 , 신제식 , 박영민
IPC分类号： H01P11/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H03H9/462 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H03H3/0072 , H03H9/2463
摘要： PURPOSE: A resonator and a manufacturing method thereof are provided to implement a resonant area of a nanometer level and an electrode area of a micrometer level using a micro process and a nano process together. CONSTITUTION: A resonator includes a plurality of electrode patterns(150), a plurality of extension electrode pattern(170), a nano structure(190), and a fixing electrode. The electrode patterns have a size of a micrometer level and are separately arranged on the substrate. The extension electrode pattern has the size of the nanometer level and is connected to the electrode patterns. The nano structure is extended between extension electrode patterns and is one of carbon nano tube, an oxide nano wire, and a polymer nano fiber. The fixing electrode is fixed on the extension electrode pattern.
摘要翻译：目的：提供一种谐振器及其制造方法，以使用微处理和纳米工艺一起实现纳米级的谐振区域和微米级的电极面积。构成：谐振器包括多个电极图案（150），多个延伸电极图案（170），纳米结构（190）和固定电极。电极图案具有微米级别的尺寸并且分开布置在基底上。延伸电极图案具有纳米级的尺寸并连接到电极图案。纳米结构在延伸电极图案之间延伸，是碳纳米管，氧化物纳米线和聚合物纳米纤维之一。固定电极固定在延伸电极图案上。

4. 发明公开

KR1020090081218A 와이어를 이용하는 공진 구조체와 공진 터널링 트랜지스터및 공진 구조체 제조 방법 有权
标题翻译：包含线，谐振隧道晶体管的谐振结构和用于制造谐振结构的方法
公开(公告)号：KR1020090081218A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080007186
申请日：2008-01-23
申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 박윤권 , 황성우 , 신제식 , 하병주 , 이재성 , 송인상 , 김용규 , 주병권 , 김희태
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/49 , H01L29/78 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
摘要： A resonance complex utilizing the wire of a resonant tunneling transistor and a resonance complex manufacturing method are provided to be easily usable in the various low power communications systems. A resonance complex comprises a first terminal(110), a second terminal(120), a wiring unit(130), a third terminal(150), and a potential barrier unit(140). The second terminal is faced with the first terminal. The wiring unit connects the first terminal and the second terminal interval. The wiring unit is resonated to the third terminal. The potential barrier unit is formed on the wiring unit. The potential barrier unit provides the negative resistance component.
摘要翻译：提供了利用谐振隧道晶体管的导线和谐振复合体制造方法的谐振复合体，可以容易地用于各种低功率通信系统。共振复合体包括第一端子（110），第二端子（120），布线单元（130），第三端子（150）和势垒单元（140）。第二个终端面临第一个终端。接线单元连接第一端子和第二端子间隔。接线单元与第三端子谐振。势垒单元形成在布线单元上。势垒单元提供负电阻分量。

5. 发明授权

KR101331494B1 튜너블 ＲＦ 공진기 有权
标题翻译：可调谐RF谐振器
公开(公告)号：KR101331494B1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020070117415
申请日：2007-11-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송인상 , 하병주 , 김철수 , 박윤권 , 신제식
IPC分类号： H01P7/06
摘要： RF 튜너블 공진기가 개시된다. 본 RF 튜너블 공진기는, 캐비티를 구비한 공동형 공진부 및 외부 신호에 따라 캐비티의 크기를 조정하여, 공동형 공진부의 공진 주파수를 튜닝할 수 있는 구동부를 포함한다. 이에 따라, 공진 주파수를 가변할 수 있으며, 공진 주파수의 가변 범위 또한 향상된다.
캐비티(cavity), 구동부, 튜너블 RF 공진기

6. 发明公开

KR1020070059798A 복수개의 소자를 상호 격리시키기 위한 에어캐비티를구비한 시스템 온 칩 구조물, 듀플렉서, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于隔离元件，双面器和双工器制造空气的芯片结构系统
公开(公告)号：KR1020070059798A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020050119113
申请日：2005-12-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주호 , 박해석 , 송인상 , 하병주 , 홍석우
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/24
CPC分类号： H01L27/0805 , H03H9/0571 , H03H9/588 , H03H9/706
摘要： A system on chip structure comprising an air cavity for isolating elements, a duplexer, and a fabrication method thereof are provided to simplify a process by forming the air cavity together when manufacturing an air gap in manufacturing a device such as an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) requiring the air gap. A duplexer(100) includes a substrate(110). A transmitting stage filter(120) is formed in a first area of one surface of the substrate(110). A receiving stage filter(130) is formed in a second area of one surface of the substrate(110). An air cavity(140) is manufactured by etching the substrate(110) between the first area and the second area. The air cavity(140) isolates the transmitting stage filter(120) and the receiving stage filter(130) from each other.
摘要翻译：提供了一种包括用于隔离元件的空气腔，双工器及其制造方法的片上系统结构，以便在制造诸如FBAR（薄膜体声波）的装置中制造气隙时，通过将气腔形成在一起来简化工艺谐振器）需要气隙。双工器（100）包括基板（110）。透射级过滤器（120）形成在衬底（110）的一个表面的第一区域中。接收级过滤器（130）形成在衬底（110）的一个表面的第二区域中。通过在第一区域和第二区域之间蚀刻基板（110）来制造空气腔（140）。空气腔（140）将发射级过滤器（120）和接收级过滤器（130）彼此隔离。

7. 发明授权

KR100718095B1 결합 공진 필터 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：耦合谐振滤波器及其制造方法
公开(公告)号：KR100718095B1
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020050125525
申请日：2005-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박해석 , 이주호 , 하병주 , 홍석우 , 최형 , 송인상
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/54
摘要： 결합 공진 필터 제작 방법이 개시된다. 본 결합 공진 필터 제작 방법은, 기판의 일 표면 상에 제1 전극, 제1 압전층, 제2 전극, 절연층, 제3 전극, 제2 압전층, 제4 전극을 순차적으로 적층하는 단계 각 층을 순차적으로 패터닝하여, 제1 전극 일부, 제2 전극 일부, 제3 전극 일부를 노출시키는 단계, 제1, 2, 3 전극의 노출 영역 및 제4 전극 일부 영역 각각과 연결되는 복수 개의 연결전극을 제작하는 단계 및 제1 전극의 하부에 위치하는 기판 영역을 식각하여 에어 갭을 제작하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 간단한 공정을 통해 결합 공진 필터를 제작할 수 있게 된다.
결합 공진 필터, 연결전극, 에어갭
摘要翻译：公开了一种组合谐振滤波器制造方法。所述耦合谐振器的制造方法，在基板的一个表面上的第一电极，所述第一压电体层，第二电极，绝缘层，第三电极，第二压电体层，所述方法包括：层叠的第四电极的每一层在序列中的图案化的，第一电极部分，第二电极部分，所述第三电极的步骤，第一，第二，以及连接到每个曝光区域和所述第三电极的所述第四电极部多个连接电极的露出部分并且通过蚀刻位于第一电极下方的基板区域来制造气隙。因此，可以通过简单的工艺来制造耦合谐振滤波器。

8. 发明授权

KR100662865B1 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법 有权
标题翻译：电影大容量声学谐振器及其制造方法
公开(公告)号：KR100662865B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020030069838
申请日：2003-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하병주 , 박윤권 , 송인상 , 송일종 , 김종석 , 김덕환 , 황준식
IPC分类号： H03H9/24
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49135 , Y10T29/49155
摘要： 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 박막 벌크 음향 공진기는, 기판과, 기판 상에 증착된 보호층과, 기판 상부 표면과 일정 거리 이격되도록 보호층에 증착된 멤브레인층과, 멤브레인층의 상부에 위치하는 적층공진부를 포함한다. 또한, 개시된 본 발명에 의한 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법은, 기판 상에 멤브레인층을 증착하는 단계와, 멤브레인층의 양측으로 보호층을 형성하는 단계와, 멤브레인층 상부에 적층공진부를 증착하는 단계와, 보호층 사이에 위치하는 기판의 일부를 제거하여 에어갭을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 스트레스가 없고 단순한 멤브레인층의 형성이 가능하며, 전체적인 제조공정이 간단해지는 효과가 있다.
박막 벌크 음향 공진기, 멤브레인층, 에어갭, LOCOS공정

9. 发明公开

KR1020060116987A 듀플렉서칩 및 그 제조방법 失效
标题翻译：双工器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060116987A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：KR1020050039665
申请日：2005-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문철 , 김운배 , 하병주
IPC分类号： H01L25/10
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L25/105 , H01L23/4821 , H01L23/485 , H01L25/0652
摘要： A duplexer chip and its manufacturing method are provided to improve the efficiency of manufacturing processes by manufacturing independently filters and a phase modulation unit using base and dummy wafers. A duplexer chip comprises a base wafer, a cap wafer, a dummy wafer, a first connection layer and a second connection layer. The base wafer(100) has at least one air gap. A plurality of filters are arranged on the air gap. The cap wafer(200) has a first cavity. The cap wafer is connected with the base wafer. At this time, the first cavity is located over the filters. The dummy wafer(300) has a second cavity. A phase modulation unit is formed on the second cavity. The dummy wafer is connected with the base wafer. The first connection layer(303) is used for connecting electrically the phase modulation unit with the filters. The second connection layer(305) is used for connecting the first connection layer with the phase modulation unit.
摘要翻译：提供双工器芯片及其制造方法，以通过独立地制造滤波器和使用基底和虚拟晶片的相位调制单元来提高制造工艺的效率。双工器芯片包括基底晶片，盖晶片，虚设晶片，第一连接层和第二连接层。基底晶片（100）具有至少一个气隙。多个过滤器布置在气隙上。盖晶片（200）具有第一腔。盖晶片与基底晶片连接。此时，第一腔位于过滤器上方。虚设晶片300具有第二腔。在第二腔体上形成相位调制单元。虚设晶片与基底晶圆连接。第一连接层（303）用于将相位调制单元与滤波器电连接。第二连接层（305）用于将第一连接层与相位调制单元连接。

10. 发明授权

KR100635268B1 인덕터가 내장된 필터, 듀플렉서 및 그 제조방법 有权
标题翻译：滤波器包括使用滤波器的电感器，双工器及其制造方法
公开(公告)号：KR100635268B1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：KR1020040034970
申请日：2004-05-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 하병주 , 김덕환 , 박윤권 , 남광우 , 송인상 , 박해석 , 홍석우 , 김종석
IPC分类号： H03H9/54
CPC分类号： H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/0542 , H03H9/0571 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/706 , Y10T29/42
摘要： 에어갭형 박막벌크음향공진기를 이용한 필터가 개시된다. 본 필터는, 외부단자와 전기적으로 연결되는 제1포트, 제2포트 및 접지포트가 상부 표면에 형성된 기판, 기판 표면 상에 형성되며, 제1포트 및 제2포트를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 제1박막벌크음향공진기(Film Bulk Acoustic Resonator), 제1포트 및 제2포트 사이에 형성되는 연결노드에 병렬로 연결되는 적어도 하나의 제2박막벌크음향공진기, 및 제2박막벌크음향공진기 및 접지포트를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 인덕터를 포함한다. 본 필터에 구비된 인덕터는 제1 및 2 박막벌크음향공진기와 일체로 제작된다. 이에 따라, 소형 필터를 간단한 공정으로 제조할 수 있게 된다.
박막벌크음향공진기(FBAR), 필터, 듀플렉서, 인덕터

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