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1. 发明授权

KR102223189B1 삽입층을 갖는 자기 접합 및 이를 이용한 자기 메모리 有权
公开(公告)号：KR102223189B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140025637
申请日：2014-03-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채플스키,로만 , 탕,슈에티 , 아팔코브,드미트로 , 크발코브스키,알렉시바실예비히 , 니키틴,블라디미르 , 크로운비,모하매드토우픽
IPC分类号： H01L43/02
摘要： 자기장치에사용될수 있는자기접합을제공하는방법및 시스템이설명된다. 자기접합은기준층, 비자성스페이서층및 자유층을포함한다. 비자성스페이서층은기준층과자유층사이에있다. 자기접합은쓰기전류가자기접합을통과하여흐를때 자유층이복수의안정된자기상태들사이에서스위칭될수 있도록구성된다. 자기접합의일부는적어도하나의자기서브구조를포함한다. 자기서브구조는적어도하나의 Fe 층및 적어도하나의비자성삽입층을포함한다. 적어도하나의 Fe 층은적어도하나의비자성삽입층과적어도하나의계면을공유한다. 적어도하나의비자성삽입층의각각은 W, I, Hf, Bi, Zn, Mo, Ag, Cd, Os 및 In 중적어도하나로구성된다.

2. 发明公开

KR1020150018413A 스핀 축적을 이용하여 스위치될 수 있고, 자기전기 장치들을 이용하여 선택 가능한 자기 메모리들을 제공하는 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于提供可使用自旋累积切换并且可使用磁电装置选择的磁存储器的方法和系统
公开(公告)号：KR1020150018413A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020140100639
申请日：2014-08-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 크발코브스키,알렉시바실예비히 , 아팔코브,드미트로 , 니키틴,블라디미르 , 크로운비,모하매드토우픽
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L27/224 , H01L43/08
摘要： 자기 메모리가 설명된다. 일 측면에서, 상기 자기 메모리는 자기 접합들과 상기 자기 접합들에 인접한 적어도 하나의 반-스핀 밸브(semi-spin valve: 이하 SSV) 라인을 포함한다. 각각의 상기 자기 접합은 자기 자유 층(magnetic free layer)을 포함한다. 상기 SSV 라인(들)은 강자성(ferromagnetic) 층 및 상기 강자성 층과 상기 자기 접합들 사이의 비자성(nonmagnetic) 층을 포함한다. 상기 SSV 라인(들)은 실질적으로 면 내(in-plane)에 있는 전류로부터 스핀 분극된 전류 캐리어들의 축적에 의해 상기 자기 접합들의 적어도 일부에 스핀 축적에 의한 토크를 가하도록 구성된다. 상기 자유 층은 적어도 스핀 축적에 의한 토크를 사용하여 기록되도록 구성된다. 다른 측면에서, 상기 자기 메모리는 자기 메모리 셀들 및 상기 SSV 라인과 유사한 적어도 하나의 스핀 토크(spin torque: ST) 라인을 포함한다. 각각의 자기 메모리 셀은 위에서 설명한 자기 접합들과 유사한 자기 접합(들) 및 자기전기(magnetoelectric) 선택 장치(들)을 포함한다.
摘要翻译：描述的是磁记忆体。在一个实施例中，磁存储器包括磁连接点和邻近磁连接点的至少一个半自旋阀（SSV）线。每个磁结都包括无磁层。 SSV线包括在铁磁层和磁结之间的铁磁层和非磁性层。 SSV线形成为通过由平面中的电流实际上自旋偏振的电流载流的累积，通过自旋累积向至少一部分磁结施加转矩。形成自由层，至少通过旋转积累使用扭矩进行记录。在另一实施例中，磁存储器包括类似于SSV线的磁存储单元和至少一个自旋转矩（ST）线。每个磁存储单元包括类似于上述磁结的磁结，以及磁电选择装置。

3. 发明公开

KR1020140081710A 조작된 수직 자기 이방성을 갖는 자기 접합들을 제공하기 위한 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于提供具有工程性质的磁性异相的磁性结的方法和系统
公开(公告)号：KR1020140081710A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020130158886
申请日：2013-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 아팔코브,드미트로 , 박창만 , 채플스키,로만 , 크발코브스키,알렉시바실예비히 , 탕,슈에티
IPC分类号： H01L43/02 , G11C11/15
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： A method and system provide a magnetic junction usable in a magnetic device. The magnetic junction includes a reference layer, a nonmagnetic spacer layer, and a free layer. The nonmagnetic spacer layer is between the reference layer and the free layer. The free layer has an engineered perpendicular magnetic anisotropy. The engineered PMA includes at least one of an insulating insertion layer induced PMA, a stress induced PMA, PMA due to interface symmetry breaking, and a lattice mismatch induced PMA. The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction.
摘要翻译：一种方法和系统提供可用于磁性装置的磁结。磁结包括参考层，非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层位于参考层和自由层之间。自由层具有工程垂直磁各向异性。工程化的PMA包括绝缘插入层诱导的PMA，由于界面对称断裂引起的应力诱导的PMA，PMA和晶格失配诱导的PMA中的至少一种。磁结被配置为使得当写入电流通过磁结时，自由层可在多个稳定磁状态之间切换。

4. 发明公开

KR1020130071404A 시프트 레지스터를 이용한 자기 메모리를 제공하는 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：提供使用移位寄存器的磁记录的方法和系统
公开(公告)号：KR1020130071404A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020120149640
申请日：2012-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 아팔코브,드미트로 , 니키틴,블라디미르 , 크발코브스키,알렉시바실예비히
IPC分类号： G11C11/15 , G11C19/00
CPC分类号： G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1675
摘要： PURPOSE: A method and a system for providing a magnetic memory using a shift register are provided to improve the performance of memories based on spin delivery torque by preventing a congestion point in a write operation. CONSTITUTION: Magnetic memory devices respectively include a pinned layer, a free layer(124), and a non-magnetic spacer layer(125). Each of the magnetic memory devices is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current passes through each of the magnetic memory devices. A shift register(110) respectively includes a plurality of domains separated from a plurality of magnetic domain walls. One domain is not parallel to an adjacent domain. The shift register is configured such that one part of the domains is aligned along the plurality of magnetic memory devices in an equilibrium state. The shift register is configured such that each of magnetic domain walls is shifted to the adjacent magnetic domain wall when a shift current passes through one shift register along the adjacent domains. [Reference numerals] (120) Pinned layer; (124) Free layer; (AA) Domain wall shift direction
摘要翻译：目的：提供一种使用移位寄存器提供磁存储器的方法和系统，以通过防止写入操作中的拥塞点来改善基于自旋输送转矩的存储器的性能。构成：磁存储器件分别包括钉扎层，自由层（124）和非磁性间隔层（125）。每个磁存储器件被配置为使得当写入电流通过每个磁存储器件时，自由层可在多个稳定磁状态之间切换。移位寄存器（110）分别包括从多个磁畴壁分离的多个畴。一个域不与相邻域并行。移位寄存器被配置为使得一部分域在平衡状态下沿多个磁存储器件对准。移位寄存器被配置为使得当移位电流沿相邻区域通过一个移位寄存器时，每个磁畴壁被移动到相邻的磁畴壁。（附图标记）（120）固定层; （124）自由层; （AA）域墙移动方向

5. 发明授权

KR102074261B1 시프트 레지스터를 이용한 자기 메모리를 제공하는 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR102074261B1
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：KR1020120149640
申请日：2012-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 아팔코브,드미트로 , 니키틴,블라디미르 , 크발코브스키,알렉시바실예비히
IPC分类号： G11C11/15 , G11C19/00

6. 发明公开

KR1020140113595A 스핀 전달 토크 메모리에 사용되는 삽입층들을 갖는 자성층들을 제공하는 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于提供旋转层转移磁性层的磁性层的方法和系统
公开(公告)号：KR1020140113595A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020140031172
申请日：2014-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채플스키,로만 , 아팔코브,드미트로 , 크발코브스키,알렉시바실예비히
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： A method and a system to provide a magnetic function usable in a magnetic device are described. A magnetic junction includes: a pinned layer, a nonmagnetic spacer layer, and a free layer. The nonmagnetic spacer layer is interposed between a pinned layer and the free layer. The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction. At least one of the pinned layer and the free layer includes a magnetic substructure. The magnetic substructure includes at least two magnetic layers interleaved with at least one insertion layer. Each insertion layer includes at least one of Bi, W, I, Zn, Nb, Ag, Cd, Hf, Os, Mo, Ca, Hg, Sc, Y, Sr, Mg, Ti, Ba, K, Na, Rb, Pb, and Zr. At least two magnetic layers are magnetically coupled.
摘要翻译：描述了提供可用于磁性装置中的磁功能的方法和系统。磁结包括：钉扎层，非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层介于被钉扎层和自由层之间。磁结被配置为使得当写入电流通过磁结时，自由层可在多个稳定磁状态之间切换。被钉扎层和自由层中的至少一个包括磁性子结构。磁性子结构包括与至少一个插入层交错的至少两个磁性层。每个插入层包括Bi，W，I，Zn，Nb，Ag，Cd，Hf，Os，Mo，Ca，Hg，Sc，Y，Sr，Mg，Ti，Ba，K，Na，Rb， Pb和Zr。至少两个磁性层磁耦合。

7. 发明公开

KR1020140082567A MTJ 스택들에서의 무확산 전이 审中-实审
标题翻译： MTJ堆栈中的无差异变换
公开(公告)号：KR1020140082567A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020130158883
申请日：2013-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 찬,키쓰 , 크발코브스키,알렉시바실예비히 , 아팔코브,드미트로
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/12 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要： A method and system provide a magnetic junction usable in a magnetic device. The magnetic junction includes a plurality of magnetic layers including a nonmagnetic spacer layer. The magnetic junction also includes at least one diffusionless transformation layer. The magnetic junction is configured to be switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current flows through the magnetic junction.
摘要翻译：一种方法和系统提供可用于磁性装置的磁结。磁结包括包括非磁性间隔层的多个磁性层。磁结还包括至少一个无扩散转变层。磁结被配置为当写入电流流过磁结时在多个稳定磁状态之间切换。

8. 发明公开

KR1020130006375A 반-금속성 강자성체들을 이용한 자기 접합을 제공하는 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：使用半导体金属网络提供磁连接的方法和系统
公开(公告)号：KR1020130006375A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020120074137
申请日：2012-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 아팔코브,드미트로 , 탕,슈에티 , 크로운비,모하마드토우픽 , 니키틴,블라디미르 , 크발코브스키,알렉시바실예비히
IPC分类号： G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L21/28291
摘要： PURPOSE: A method and system for providing heterojunction using half-metallic ferromagnets are provided to improve the performance of magnetic junction by reducing critical/switching currents by semi-metallic materials. CONSTITUTION: A pinned layer(110) has a pinned layer magnetization. A free layer(130) has a magnetization easy axis. A non-magnetic spacer layer(120) is located between the pinned layer and the free layer. One of the free layer and the pinned layer includes one half-metal. When a write current flows through a magnetic junction, the free layer is switched between a plurality of stable magnetic states.
摘要翻译：目的：提供使用半金属铁磁体提供异质结的方法和系统，通过减少半金属材料的关键/开关电流来提高磁连接的性能。构成：钉扎层（110）具有钉扎层的磁化强度。自由层（130）具有易磁化的轴线。非磁性间隔层（120）位于被钉扎层和自由层之间。自由层和钉扎层之一包括一个半金属。当写入电流流过磁结时，自由层在多个稳定的磁状态之间切换。

9. 发明授权

KR102197970B1 MTJ 스택들에서의 무확산 전이 有权
公开(公告)号：KR102197970B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020130158883
申请日：2013-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 찬,키쓰 , 크발코브스키,알렉시바실예비히 , 아팔코브,드미트로
IPC分类号： H01L43/02
摘要： 방법빛 시스템이자기장치에서사용가능한자기접합을제공한다. 자기접합은비자성스페이서막을포함하는다수의자성막들을포함한다. 또한, 자기접합은적어도하나의무확산전이막을포함한다. 쓰기전류가자기접합을통해흐를때 자기접합은다수의안정한자기상태들사이에서스위칭가능하도록배치된다.

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