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1. 发明授权

KR101728320B1 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101728320B1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：KR1020110064867
申请日：2011-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤준호 , 유영섭 , 민경진 , 최한메 , 구봉진 , 양상렬 , 김기철 , 우상윤 , 한제우 , 박태진 , 오정민 , 임종성 , 장용문 , 이지은
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L28/90 , H01L27/10852
摘要： 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은기판상에제1 내지제n 희생층과제1 내지제n 지지층이번갈아순차로적층된복합막을형성하고, 복합막을관통하는복수의개구부를형성하고, 복수의개구부내에하부전극을형성하고, 제1 내지제n 지지층의일부와제1 내지제n 희생층의일부또는전부를제거하되, 제1 내지제n 지지층의일부와제1 내지제n 희생층의일부또는전부를제거하는것은, (a) 제k(단, k는 n에서 1까지순차로감소하는자연수) 지지층의일부를제거하여제k 희생층의일부를노출시키는단계; (b) 제k 희생층의노출면을통해제k 희생층을전부제거하는단계; (a) 단계와 (b) 단계를 2회이상반복하여하부전극을지지하는복수의지지대를형성하는것을포함하고, 하부전극상에유전막및 상부전극을형성하는것을포함한다.

2. 发明公开

KR1020130007255A 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130007255A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110064867
申请日：2011-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤준호 , 유영섭 , 민경진 , 최한메 , 구봉진 , 양상렬 , 김기철 , 우상윤 , 한제우 , 박태진 , 오정민 , 임종성 , 장용문 , 이지은
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L28/90 , H01L27/10852
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent material reaction between a sacrificial layer and a bottom electrode by forming a conformal silicide preventing layer in the inner wall of an opening part. CONSTITUTION: A sacrificial layer(151,153) and a support layer(152,154) are successively laminated on a composite layer(150). The composite layer is formed on a substrate(100). A plurality of opening passing through the composite layer are formed. The opening unit exposes a lower contact plug(130) via the composite layer and an etch stop layer(140). A bottom electrode(180) is formed in the plurality of opening parts. A part of a support layer and a part or the entire of the sacrificial layer are removed. A silicide preventing layer(170) is formed in the inner wall of the opening part.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过在开口部的内壁中形成保形硅化物防止层来防止牺牲层与底部电极之间的材料反应。构成：牺牲层（151,153）和支撑层（152,154）依次层压在复合层（150）上。复合层形成在基板（100）上。形成穿过复合层的多个开口。打开单元通过复合层和蚀刻停止层（140）暴露下接触塞（130）。底部电极（180）形成在多个开口部分中。支撑层的一部分和牺牲层的一部分或全部被去除。在开口部的内壁形成硅化物防止层（170）。

3. 发明授权

KR101935395B1 캐패시터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101935395B1
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：KR1020120095086
申请日：2012-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤준호 , 김동찬 , 민경진 , 박재홍 , 장용문 , 한제우
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108

4. 发明授权

KR101874586B1 포토키를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101874586B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020120086005
申请日：2012-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한제우 , 윤준호 , 김동찬 , 민경진 , 박재홍 , 장용문
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/027 , G03F7/70633 , H01L23/544 , H01L27/10894 , H01L28/40 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명의반도체소자의제조방법은패턴층이형성된제1 영역과포토키가형성된제2 영역으로구분되어있는기판을제공하는단계와, 상기제1 영역및 제2 영역의상기기판상에실리콘층을형성하는단계; 상기실리콘층의일부분을제거하여상기제2 영역의상기포토키를노출하는홀을형성하는단계와, 기포토키를노출하는홀을매립하도록매립산화층을형성하는단계와, 상기실리콘층및 상기매립산화층상에마스크층을형성하는단계와, 상기매립산화층아래에형성된포토키를얼라인키로이용하여상기마스크층보다상부레벨로상기마스크층상에포토레지스트패턴을형성하는단계와, 상기포토레지스트패턴을식각마스크로하여상기마스크층의일부를식각하여마스크패턴층을형성하는단계와, 상기포토레지스트패턴을제거하는단계와, 및상기마스크패턴층을식각마스크로하여상기실리콘층의일부분을식각하여상기제1 영역의상기패턴층을노출하는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020140028562A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140028562A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120095090
申请日：2012-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤준호 , 민경진 , 박재홍 , 장용문 , 한제우
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/60 , H01L28/40 , H01L28/56 , H01L28/91 , H01L28/92
摘要： Provided are a semiconductor device and a method for manufacturing the same. The semiconductor device includes lower electrodes arranged two-dimensionally, a dielectric layer covering the surfaces of the lower electrodes, and a capacitor including an upper electrode on the dielectric layer, a first support pattern which is connected to the lower sidewalls of the lower electrodes and has a first opening, and a second support pattern which is connected to the upper sidewalls of the lower electrodes and has a second opening. The vertical distance between the first support pattern and the second support pattern may be greater than that between the bottom surface of the lower electrode and the first support pattern.
摘要翻译：提供半导体器件及其制造方法。半导体器件包括二维布置的下电极，覆盖下电极的表面的电介质层和在电介质层上包括上电极的电容器，连接到下电极的下侧壁的第一支撑图案和具有第一开口和第二支撑图案，其连接到下电极的上侧壁并具有第二开口。第一支撑图案和第二支撑图案之间的垂直距离可以大于下电极的底表面和第一支撑图案之间的垂直距离。

6. 发明公开

KR1020140019632A 포토키를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：使用照片键的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020140019632A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020120086005
申请日：2012-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한제우 , 윤준호 , 김동찬 , 민경진 , 박재홍 , 장용문
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/027 , G03F7/70633 , H01L23/544 , H01L27/10894 , H01L28/40 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L21/0273 , H01L2924/00
摘要： According to the present invention, a method of fabricating a semiconductor device is to provide a substrate where a first region having a pattern layer and a second region having a photo key are defined. A silicon layer is formed in the first and second regions on the substrate. A hole exposing the photo key part where the photo key of the second region is formed, is formed by patterning the silicon layer. A burying oxide layer is formed to fill a hole exposing the photo key part. By using the photo key formed in the lower part of the burying oxide layer, the silicon layer is patterned to form a silicon pattern layer. [Reference numerals] (AA) Second region; (BB) First region
摘要翻译：根据本发明，制造半导体器件的方法是提供一种衬底，其中限定了具有图案层的第一区域和具有光密钥的第二区域。在衬底上的第一和第二区域中形成硅层。通过对硅层进行构图，形成露出第二区域的光密钥的照相键部分的孔。形成掩埋氧化物层以填充曝光照相键部分的孔。通过使用形成在埋入氧化物层的下部的光密钥，对硅层进行图案化以形成硅图案层。（附图标记）（AA）第二区域; （BB）第一区

7. 发明授权

KR101934093B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101934093B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020120095090
申请日：2012-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤준호 , 민경진 , 박재홍 , 장용문 , 한제우
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242

8. 发明公开

KR1020170024996A 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基板加工装置
公开(公告)号：KR1020170024996A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150120747
申请日：2015-08-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍정표 , 김광남 , 권상동 , 선종우 , 오상록 , 장용문
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01L21/67248
摘要： 기판처리장치가제공된다. 기판처리장치는기판처리영역을포함하는챔버, 상기기판처리영역상에배치되고, 삽입홀을포함하는유전판및 상기유전판상에배치되어상기유전판의온도를측정하고, 상기삽입홈에삽입되는나사(screw)부를가지는온도측정부를포함하고, 상기삽입홀과상기나사부각각은서로맞물리는나사선을포함할수 있다.
摘要翻译：提供了包括温度测量单元的衬底处理设备。基板处理装置包括：室，包括基板处理区域，设置在基板处理区域上并且包括插入孔的电介质片和设置在电介质片上以测量电介质片材的温度的温度测量单元，并且具有插入到所述插入孔中的螺纹部分，其中所述插入孔和所述螺纹部分中的每一个具有彼此啮合的螺纹螺旋。

9. 发明公开

KR1020140028561A 캐패시터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包括电容器的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020140028561A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020120095086
申请日：2012-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤준호 , 김동찬 , 민경진 , 박재홍 , 장용문 , 한제우
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L28/40 , H01L28/90
摘要： Provided is a method for manufacturing semiconductor device including a capacitor. The method for manufacturing semiconductor device includes forming a mold structure on a lower structure, forming a plurality of holes for exposing the lower structure by patterning the mold structure, forming a protection layer which covers the inner wall of the mold structure exposed to the holes, forming the lower electrodes in the holes where the protection layer is formed, exposing the protection layer by removing the mold structure, exposing the sidewalls of the lower electrodes by removing the protection layer, and forming a dielectric layer which successively covers the surface of the lower electrodes and the upper electrode.
摘要翻译：提供一种制造包括电容器的半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括在下部结构上形成模具结构，通过对模具结构进行构图而形成用于暴露下部结构的多个孔，形成覆盖暴露于孔的模具结构的内壁的保护层，在形成保护层的孔中形成下部电极，通过去除模具结构而露出保护层，通过去除保护层暴露下部电极的侧壁，并形成依次覆盖下部表面的介电层电极和上电极。

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