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热词
    • 4. 发明公开
    • 메모리 장치 및 그 형성방법
    • 存储器件及其制造
    • KR1020160060850A
    • 2016-05-31
    • KR1020140162643
    • 2014-11-20
    • 삼성전자주식회사
    • 서준호강대웅방효제이창섭허성회
    • H01L27/115
    • H01L27/11582H01L27/11565H01L27/11521
    • 메모리장치가개시된다. 메모리장치는기판, 기판상에수직적으로적층된게이트전극들을포함하고기판을노출하는수직홀을갖는스택, 수직홀의하부에제공되는바닥부및 수직홀의측벽상의수직부를포함하고내부홀을갖는활성기둥, 활성기둥과게이트전극들사이의전하저장막, 전하저장막과게이트전극들사이의블로킹절연막, 전하저장막과활성기둥사이의터널절연막, 내부홀을채우는충진절연막, 및충진절연막과활성기둥사이의고정전하막을포함하고, 고정전하막은바닥부상으로연장하고수직부는바닥부보다두껍다.
    • 公开了一种存储器件。 存储器件包括衬底,堆叠,其包括垂直堆叠在衬底上并具有用于暴露衬底的垂直孔的栅电极,具有设置在垂直孔的下部中的底部的有源柱,以及 垂直孔的侧壁上的垂直部分,有源柱和栅电极之间的电荷存储层,电荷存储层和栅极之间的阻挡绝缘层,电荷存储层和有源支柱之间的隧道绝缘层 填充绝缘层,填充绝缘层和活性柱之间的固定电荷层。 定影电荷层延伸到底部。 垂直部分比底部部分厚。 因此,可以提供可靠性提高的3D非易失性存储器件。
    • 5. 发明公开
    • 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
    • 非易失性存储器件及其程序方法
    • KR1020160047667A
    • 2016-05-03
    • KR1020140143583
    • 2014-10-22
    • 삼성전자주식회사
    • 문성수이창섭이래영곽소영
    • G11C16/34G11C16/04
    • G11C16/12G11C11/5628G11C16/10G11C16/3459G11C2211/5621
    • 본발명에따른불휘발성메모리장치의프로그램방법은, 검증전압및 증가형스텝펄스를사용하여메모리셀들을타깃상태로프로그램하는단계, 상기타깃상태로프로그램된메모리셀들중에서보완검증전압보다낮은문턱전압을갖는메모리셀들을선택하는단계, 그리고상기선택된메모리셀들에보완프로그램전압을인가하는단계를포함하되, 상기보완검증전압은상기검증전압과같거나높고, 상기보완프로그램전압은상기증가형스텝펄스들중에서상기메모리셀들이상기타깃상태로프로그램완료된프로그램루프에서제공된프로그램전압과같거나낮다.
    • 根据本发明的用于非易失性存储器件编程的方法包括通过使用验证电压和增加的步进脉冲来对目标状态的存储器单元进行编程的步骤; 与在目标状态下编程的存储单元中的辅助验证电压相比,选择具有较低阈值电压的存储单元的步骤; 以及将补充编程电压施加到所选存储单元的步骤。 辅助验证电压等于或高于验证电压。 补充编程电压等于或低于提供给程序循环的编程电压,其中存储单元以增加的步进脉冲编程在目标状态。 因此,可以提高存储单元的分布。
    • 6. 发明公开
    • 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
    • 非易失性MEMOY装置及其操作方法
    • KR1020150025495A
    • 2015-03-10
    • KR1020130103470
    • 2013-08-29
    • 삼성전자주식회사
    • 이동준문성수송재혁이창섭
    • G11C16/34G11C16/30G11C16/06
    • G11C16/10G11C16/0483G11C16/26G11C16/3427
    • 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치는 기판과 수직한 방향으로 적층된 복수의 메모리 셀들, 복수의 메모리 셀들과 기판의 사이에 제공되는 접지 선택 트랜지스터, 그리고 상기 복수의 메모리 셀들과 비트 라인 사이에 제공되는 스트링 선택 트랜지스터를 포함하는 복수의 셀 스트링들을 포함하는 메모리 셀 어레이; 워드 라인들을 통해 상기 복수의 메모리 셀들과 연결되고, 스트링 선택 라인들을 통해 스트링 선택 트랜지스터들과 연결되고, 그리고 접지 선택 라인을 통해 접지 선택 트랜지스터들과 연결되는 어드레스 디코더; 비트 라인들을 통해 상기 복수의 셀 스트링들의 스트링 선택 트랜지스터들과 연결되는 읽기 및 쓰기 회로; 그리고 복수의 셀 스트링들에 포함된 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나의 읽기 동작시 접지 선택 트랜지스터들의 문턱 전압들이 임계값보다 높아지도록 상기 기판으로 인가되는 기판 전압을 조절하는 제어 로직을 포함한다.
    • 本发明的目的是提供一种具有改善的可靠性的非易失性存储装置及其操作方法。 根据本发明的实施例,非易失性存储器件包括:包括多个单元串的存储单元阵列,其中每个单元串包括沿垂直于基板的方向堆叠的多个存储单元,地选择 提供在存储单元和衬底之间的晶体管,以及设置在存储单元和位线之间的串选择晶体管; 通过字线连接到存储单元的地址解码器,通过串选择线连接到串选择晶体管,并通过接地选择线连接到接地选择晶体管; 通过位线连接到单元串的串选择晶体管的读写电路; 以及控制逻辑,被配置为控制施加到所述衬底的衬底电压,使得在所述单元串中包括的存储单元中的至少一个读取操作时,所述接地选择晶体管的阈值电压变得大于阈值。
    • 10. 发明公开
    • 가로등 디밍 제어 장치 및 방법
    • 行灯控制装置及方法
    • KR1020120140033A
    • 2012-12-28
    • KR1020110059643
    • 2011-06-20
    • 삼성전자주식회사
    • 이상훈이창섭
    • H05B37/02
    • H05B37/02H05B37/0245H05B37/0281Y02B20/42Y02B20/72H05B33/0815H05B37/0218H05B37/0227
    • PURPOSE: A dimming control apparatus and method for a street lamp are provided to produce optimized illumination by driving a lighting apparatus according to a selected dimming profile. CONSTITUTION: A lighting drive unit(11) drives a lighting apparatus. A power supply unit(12) supplies power which is necessary to drive the lighting apparatus. A storage unit(13) stores a dimming profile. The dimming profile comprises a time zone for driving the lighting apparatus and a dimming level corresponding to the time zone. A control unit controls the lighting drive unit and the power supply unit using the dimming profile. [Reference numerals] (11) Lighting drive unit; (12) Power supply unit; (13) Storage unit; (14) Control unit; (15) Selection unit; (16) Communication unit; (17) Sensor unit; (AA) Lighting device
    • 目的:提供一种用于路灯的调光控制装置和方法,以通过根据所选择的调光轮廓驱动照明装置来产生优化的照明。 构成:照明驱动单元(11)驱动照明装置。 电源单元(12)提供驱动照明装置所必需的电力。 存储单元(13)存储调光轮廓。 调光轮廓包括用于驱动照明装置的时区和对应于时区的调光水平。 控制单元使用调光轮廓控制照明驱动单元和电源单元。 (附图标记)(11)照明驱动单元; (12)电源单元; (13)存储单元; (14)控制单元; (15)选择单位; (16)通讯单元; (17)传感器单元; (AA)照明装置