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1. 发明授权

KR102130057B1 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102130057B1
公开(公告)日：2020-07-06
申请号：KR1020190005583
申请日：2019-01-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주열 , 김범수 , 박광민 , 박현 , 안재영 , 유동철 , 전종식 , 황기현
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L29/792 , H01L27/105 , H01L21/8234 , H01L27/06

2. 发明授权

KR102015578B1 불휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법 有权
公开(公告)号：KR102015578B1
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：KR1020120100517
申请日：2012-09-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박광민 , 김병주 , 윤주미 , 안재영
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247

3. 发明授权

KR101933665B1 3차원 반도체 메모리 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101933665B1
公开(公告)日：2018-12-31
申请号：KR1020110047445
申请日：2011-05-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤주미 , 유동철 , 박광민 , 장병현
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115

4. 发明公开

KR1020160017840A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：KR1020160017840A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140101114
申请日：2014-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노영진 , 최재호 , 김비오 , 박광민 , 안재영 , 유동철 , 임승현 , 이전일
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/518 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/4234 , H01L29/7883 , H01L29/792 , H01L29/78696 , H01L29/78642
摘要： 본발명의실시예에따른반도체장치는, 채널영역을포함하는기판, 기판상에순차적으로배치된터널링층, 전하저장층및 블록킹층을포함하는게이트유전층, 및게이트유전층상에배치되는게이트전극을포함하고, 터널링층은채널영역에수직한방향에서질소의농도가변화되며, 터널링층의중심으로부터전하저장층을향해시프트된위치에서최대질소농도를갖는다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，半导体器件包括：基板，包括沟道区; 包括依次放置在基板上的隧道层，电荷存储层和阻挡层的栅介质层; 以及放置在栅介质层上的栅电极。隧穿层的浓度在垂直于沟道面积的方向上发生变化，并且具有从隧道层中心向电荷存储层偏移的位置的最大氮浓度。

5. 发明公开

KR1020150113634A 터널 절연막 구조물, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 수직형 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：隧道绝缘层结构及其制造方法以及包括其的垂直存储器件
公开(公告)号：KR1020150113634A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：KR1020140037880
申请日：2014-03-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최은영 , 노영진 , 김비오 , 박광민 , 안재영 , 윤주미 , 최재호 , 황기현
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/513 , H01L21/28282 , H01L27/11582 , H01L29/518 , H01L27/11543
摘要： 터널절연막구조물, 터널절연막구조물의제조방법및 터널절연막구조물을포함하는수직형메모리장치를개시한다. 상기터널절연막구조물은제1 터널절연막, 제2 터널절연막, 제3 터널절연막, 제4 터널절연막및 제5 터널절연막을포함한다. 상기제1 터널절연막은기판상에배치되며, 제1 밴드갭에너지를갖는다. 상기제2 터널절연막은상기제1 터널절연막상에배치되며, 상기제1 밴드갭에너지보다작은제2 밴드갭에너지를갖는다. 상기제3 터널절연막은상기제2 터널절연막상에배치되며, 상기제2 밴드갭에너지보다큰 제3 밴드갭에너지를갖는다. 상기제4 터널절연막은상기제3 터널절연막상에배치되며, 상기제3 밴드갭에너지보다작은제4 밴드갭에너지를갖는다. 상기제5 터널절연막은상기제4 터널절연막상에배치되며, 상기제4 밴드갭에너지보다큰 제5 밴드갭에너지를갖는다.
摘要翻译：公开了隧道绝缘膜结构，隧道绝缘膜结构的制造方法和包括隧道绝缘膜结构的垂直存储装置。隧道绝缘膜结构包括第一隧道绝缘膜，第二隧道绝缘膜，第三隧道绝缘膜，第四隧道绝缘膜和第五隧道绝缘膜。第一隧道绝缘膜布置在基板上，并且具有第一带隙能量。第二隧道绝缘膜布置在第一隧道绝缘膜上，并且具有小于第一带隙能量的第二带隙能量。第三隧道绝缘膜布置在第二隧道绝缘膜上，并且具有大于第二带隙能量的第三带隙能量。第四隧道绝缘膜布置在第三隧道绝缘膜上，并且具有小于第三带隙能量的第四带隙能量。第五隧道绝缘膜布置在第四隧道绝缘层上，并且具有大于第四带隙能量的第五带隙能量。

6. 发明公开

KR1020140033939A 불휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其制造
公开(公告)号：KR1020140033939A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：KR1020120100517
申请日：2012-09-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박광민 , 김병주 , 윤주미 , 안재영
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L29/42332 , H01L29/7889 , H01L29/7926 , H01L21/28282
摘要： Disclosed is a nonvolatile memory device. The device has a vertical channel, a first tunnel insulating layer which is adjacent to a blocking insulating layer, a third tunnel insulating layer which is adjacent to a channel pillar, and a second tunnel insulating layer which is between the first tunnel insulating layer and the third tunnel insulting layer. The energy band gap of the third tunnel insulting layer is less than that of the first insulating layer and is greater than that of the second tunnel insulating layer.
摘要翻译：公开了一种非易失性存储装置。该器件具有垂直沟道，与隔离绝缘层相邻的第一隧道绝缘层，与沟道柱相邻的第三隧道绝缘层和位于第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层之间的第二隧道绝缘层第三隧道侮辱层。第三隧道绝缘层的能带隙小于第一绝缘层的能带隙，并且大于第二隧道绝缘层的能带隙。

7. 发明公开

KR1020100028917A 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020100028917A
公开(公告)日：2010-03-15
申请号：KR1020080087868
申请日：2008-09-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임주완 , 백성권 , 박광민 , 백승재 , 황기현
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11568 , H01L21/28185
摘要： PURPOSE: A non-volatile memory device and a methods of forming the same are provided to easily control a element content ratio of a multi-element insulating layer by supplying a first, a second, and a third source successively. CONSTITUTION: A tunnel insulating layer is formed on a substrate. An insulating film with plurality of elements is formed by supplying a first, a second, a third source in order. A charge storage layer is formed on a tunnel insulating layer. A blocking insulating layer is formed on the charge storage layer. A control gate electrode is formed on the blocking insulation film.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件及其形成方法，以通过依次提供第一，第二和第三源来容易地控制多元件绝缘层的元件含量比。构成：在基板上形成隧道绝缘层。通过依次提供第一，第二，第三源，形成具有多个元件的绝缘膜。在隧道绝缘层上形成电荷存储层。在电荷存储层上形成阻挡绝缘层。在阻挡绝缘膜上形成控制栅电极。

8. 发明公开

KR1020090015665A 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090015665A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070080188
申请日：2007-08-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박광민 , 황기현 , 백승재 , 최시영 , 노진태 , 남궁현
IPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/66833 , B82Y10/00 , H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/792
摘要： A non-volatile memory device and method of fabricating the same is provided to improve charge storage capacity by forming an oxide film that surrounds a nano crystal. In a non-volatile memory device and method of fabricating the same, a charge trapping layer(140) is formed on the semiconductor substrate. A charge trapping layer includes more than two laminated sub charge trap layers(142,144). A gate electrode is formed on the charge trapping layer, each sub charge trap layer includes a nano-crystal layer(120 NC) including a plurality of nano crystals and the dielectric layer(130) covering the nanocrystal layer. At least one of the sub charge trap layers includes the oxide film(127) that surrounds each nano-crystal. The tunnel layer(110) is interposed between the semiconductor board and the charge trapping layer. The blocking layer(150) is interposed between the charge trapping layer and the gate electrode.
摘要翻译：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，用于通过形成围绕纳米晶体的氧化膜来改善电荷存储容量。在非易失性存储器件及其制造方法中，在半导体衬底上形成电荷俘获层（140）。电荷捕获层包括多于两个的层叠次电荷陷阱层（142,144）。在电荷捕获层上形成栅电极，每个子电荷陷阱层包括包含多个纳米晶体的纳米晶体层（120NC）和覆盖纳米晶体层的电介质层（130）。子电荷陷阱层中的至少一个包括围绕每个纳米晶体的氧化膜（127）。隧道层（110）介于半导体板和电荷俘获层之间。阻挡层（150）介于电荷俘获层和栅电极之间。

9. 发明授权

KR102247914B1 반도체 장치 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102247914B1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：KR1020140145348
申请日：2014-10-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 연국현 , 안재영 , 김비오 , 노영진 , 박광민 , 유동철
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/788
摘要： 본발명은 3차원반도체메모리장치및 그제조방법에관한것으로, 보다구체적으로터널절연막내에전하트랩사이트의밀도가낮은고유전막을추가로포함함으로써, 3차원반도체메모리장치의리텐션및 내구성특성을향상시킬수 있다.

10. 发明公开

KR1020150083319A 비휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其制造
公开(公告)号：KR1020150083319A
公开(公告)日：2015-07-17
申请号：KR1020140002929
申请日：2014-01-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노영진 , 김비오 , 박광민 , 안재영 , 임승현 , 최재호 , 윤주미 , 최지훈
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/7926 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L27/11521
摘要： 비휘발성메모리장치가개시된다. 상기장치는기판상에수직적으로적층된게이트간절연패턴들과상기게이트간절연패턴들사이의게이트전극을포함하는게이트구조체, 상기게이트구조체를관통하여상기기판과연결되는수직활성기둥, 상기수직활성기둥과상기게이트전극사이의전하저장막, 상기전하저장막과상기수직활성기둥사이의터널절연막, 및상기전하저장막과상기게이트전극사이의블로킹절연막을포함한다. 상기전하저장막은상기블로킹절연막에인접한제1 전하저장막과상기터널절연막에인접한제2 전하저장막을포함하고, 상기제1 전하저장막은실리콘질화막이고상기제2 전하저장막은실리콘산화질화막이다.
摘要翻译：公开了非易失性存储器件。非易失性存储器件包括：栅极结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的栅极间绝缘图案，以及栅极间绝缘图案之间的栅电极; 垂直激活柱，通过所述栅极结构连接到所述衬底; 垂直激活柱和栅电极之间的电荷存储膜; 在电荷储存膜和垂直激活柱之间的隧道绝缘膜; 以及电荷存储膜和栅电极之间的阻挡绝缘膜。电荷存储膜包括靠近阻挡绝缘膜的第一电荷存储膜和靠近隧道绝缘膜的第二电荷存储膜。第一电荷存储膜是硅化硝化层。第二电荷存储膜是氧化硅 - 氮化物膜。

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