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1. 发明授权

KR100458502B1 웨이퍼에 인식 부호를 마킹하는 방법 및 장치 失效
标题翻译： 웨이퍼에인식부호를마킹하는방법및장치
公开(公告)号：KR100458502B1
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020000052609
申请日：2000-09-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정실근 , 박경신 , 조희윤 , 박병철
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67282 , B23K26/1435 , B23K26/1438 , B23K26/147 , H01L2223/54493
摘要： A method and an apparatus for marking an identification mark on a wafer. After the wafer is aligned, a laser beam is radiated onto a predetermined portion on the wafer so that the identification mark is engraved on the wafer. While the laser beam is being radiated, a gas blows towards the predetermined portion on the wafer so as to remove the particles which are created on the surface on the wafer caused by the radiation of the laser beam. A collecting and exhausting section is provided to collect and exhaust the gas that is mixed with the particles.
摘要翻译：一种用于在晶片上标识识别标记的方法和设备。在对齐晶片之后，将激光束照射到晶片上的预定部分，从而将识别标记刻在晶片上。在照射激光束期间，气体向晶片上的预定部分喷射，以去除由激光束的照射引起的在晶片上的表面上产生的粒子。收集和排出部分用于收集和排出与颗粒混合的气体。

2. 发明公开

KR1019990031857A 이동통신 시스템의 데이터 전송율 판정장치 및방법 失效
标题翻译：用于确定移动通信系统的数据速率的设备和方法
公开(公告)号：KR1019990031857A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970052726
申请日：1997-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노요한 , 박경신
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04L1/0002 , H04L1/0073
摘要： 데이터 전송율을 시간에 따라 가변적인 데이터 전송율로 부호화하여 전송하는 디지털 전송시스템의 수신장치가, 수신되는 데이터를 디인터리브하는 디인터리버와, 병렬 구조를 가지며 설정된 지연 값 및 데이터 전송율의 심볼 주파수 값을 가지며 상기 디인터리버에서 출력되는 엔알지신호를 설정 값으로 지연하여 알지신호로 변환하고 설정된 데이터 전송율의 심볼주파수와 입력 심볼의 위상을 비교하여 각각 대응되는 전송율의 동기신호를 검출하는 다수의 비트동기화기들과, 비트동기화기들의 출력을 입력하며 동기검출신호 발생시 해당 데이터 전송율을 결정하는 전송율판정기와, 전송율판정기의 출력에 따라 수신되는 데이터를 복호하는 복호기로 구성된다.

3. 发明公开

KR1019980057423A 이동통신단말기에서 진동 회로 无效
标题翻译：在移动通信终端中，
公开(公告)号：KR1019980057423A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960076713
申请日：1996-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박경신
IPC分类号： H04B5/04
摘要： 가. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
이동통신단말기
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
이동통신단말기에서 진동 세기를 점진적으로 증가한다.
다. 발명의 해결 방법의 요지
이동통신단말기에서 착신시 점진적으로 증가하는 구동전류를 모터로 공급하여, 상기 모터는 공급되는 전류의 크기에 따라 진동의 세기를 조정한다.
라. 발명의 중요한 용도
이동통신단말기에서 진동 세기를 조정할 수 있다.

4. 发明公开

KR1019980034555A 서보 라이터 관리방법 无效
标题翻译：伺服作家管理方法
公开(公告)号：KR1019980034555A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052640
申请日：1996-11-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박경신
IPC分类号： G11B21/02
摘要： 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:하드 디스크 드라이브의 생산공정에서 사용되는 서보 라이터 관리방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:하드 디스크 드라이브의 생산수율향상과 제조시간단축을 위한 효율적인 서보 라이터 관리방법을 제공함에 있다.
다. 그 발명의 해결방법의 요지:통신수단을 통해 국선라인과 접속되는 서보 라이터에 있어서,
서보 라이팅 에러발생시 그에 대응되는 에러정보를 상기 통신수단을 통해 외부로 전송함을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도:하드 디스크 드라이브의 생산공정에서 사용되는 서보 라이터에 사용될 수 있다.

5. 发明公开

KR1019980026264A 반도체 스테퍼설비의 조명계장치 失效
标题翻译：半导体步进设备的照明系统
公开(公告)号：KR1019980026264A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044632
申请日：1996-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김청협 , 김동호 , 박경신 , 송호종
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 스테퍼설비 내부에 설치된 렌즈, 반사거울, 광필터 등의 광학부재 표면을 오염시키는 단파장 화학선을 미연에 차단하도록 하여 광학부재의 손상 및 오염을 방지하도록 하는 반도체 스테퍼설비의 조명계장치에 관한 것이다.
본 발명은 노광공정에 필요한 광을 제공하는 램프와, 상기 램프로부터 공급되는 광을 집광 유도하는 집광거울이 설치된 제 1 챔버를 포함하여 구성된 반도체 스테퍼설비의 조명계장치에 있어서, 상기 집광거울에 의해 집광 유도되는 전방 제 1 챔버 내에 화학선 필터가 설치됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 집광거울 전방에 단파장 화학선을 제거하는 화학선 필터를 설치함으로써 이후에 설치되는 광학부재는 단파장 화학선에 의한 손상 및 오염을 예방하게 되어 웨이퍼 스테이지에 조사되는 시간을 일정하게 유지할 수 있을 뿐 아니라 본체부로 이동하는 광의 반사율과 투과율 및 웨이퍼상에 조사되는 조도가 일정하게 유지되는 효과가 있다.

6. 发明公开

KR1019980014176A 스핀 온 글래스톱형 교번 위상 반전마스크 제조 방법 无效
标题翻译：旋转玻璃锯顶交替相位反转掩模制造方法
公开(公告)号：KR1019980014176A
公开(公告)日：1998-05-15
申请号：KR1019960033032
申请日：1996-08-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김성기 , 박경신
IPC分类号： H01L21/30
摘要： △CD를 해결할 수 있는 SOG 톱 형 교번 위상 반전 마스크 제조 방법을 개시한다.
SOG 톱 형 교번 위상 반전 마스크의 제작 방법에 있어서, SOG의 CD의 크기 및 두께 조절과 토포그래피의 최적화에 의해 △CD와 X-현상을 제거하는 것을 특징으로 하는 SOG 톱형 교번 위상 반전 마스크를 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 SOG 톱 형 교번 위상 반전 마스크에 있어서 SOG의 CD 크기 및 두께 조절과 토포그래피의 최적화에 의해 △CD와 X-현상을 제거하여 패턴의 해상도를 높일 수 있게 함으로써, 보다 미세한 패턴 형성을 할 수 있게 된다,

7. 发明授权

KR100082532B1 트랩(Trap) 失效
公开(公告)号：KR100082532B1
公开(公告)日：1995-02-20
申请号：KR1019920000808
申请日：1992-01-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김역환 , 박경신
IPC分类号： H01L21/68

8. 发明授权

KR100958702B1 반도체 웨이퍼의 가장자리 칩들에 기인하는 결함들을제거하기 위한 반도체 공정 失效
标题翻译：用于去除由半导体晶片的边缘芯片引起的缺陷的半导体工艺
公开(公告)号：KR100958702B1
公开(公告)日：2010-05-18
申请号：KR1020030018274
申请日：2003-03-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채희선 , 박경신 , 박정훈
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L28/90
摘要： 반도체 웨이퍼의 가장자리 칩들에 기인하는 결함들을 제거하기 위한 반도체 공정을 제공한다. 이 반도체 공정은 반도체 웨이퍼 상에 몰딩산화막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 몰딩산화막을 스토리지 노드 마스크를 사용하여 패터닝하여 상기 웨이퍼의 내측에 한정되는 복수개의 유효칩 영역들 및 상기 웨이퍼의 가장자리에 한정되는 복수개의 가장자리 칩 영역들 내에 스토리지 노드 홀들을 형성한다. 상기 스토리지 노드 홀들 내에 서로 분리된 스토리지 노드들을 형성한다. 상기 스토리지 노드들을 갖는 반도체 웨이퍼의 전면 상에 포토레지스트막을 도포한다. 상기 유효칩 영역들 상의 상기 포토레지스트막을 블랭크 마스크를 사용하여 선택적으로 제거하여 상기 가장자리 칩 영역들을 덮는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 습식식각 마스크로 사용하여 상기 유효칩 영역들 내의 상기 몰딩 산화막을 습식식각하여 상기 유효칩 영역들 내의 상기 스토리지 노드들의 측벽들을 선택적으로 노출시킨다.

9. 发明公开

KR1020040083709A 반도체 웨이퍼의 가장자리 칩들에 기인하는 결함들을제거하기 위한 반도체 공정 失效
标题翻译：用于消除半导体晶片边缘缺陷的半导体工艺，以防止异常模式的松散状态
公开(公告)号：KR1020040083709A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030018274
申请日：2003-03-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채희선 , 박경신 , 박정훈
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L28/90
摘要： PURPOSE: A semiconductor process for removing defects due to edge chips of a semiconductor wafer is provided to prevent loosing states of abnormal patterns by using a photoresist pattern for covering edge chip regions of the semiconductor wafer. CONSTITUTION: A molding oxide layer(59) is formed on a semiconductor wafer(51). A plurality of storage node holes are formed within plural effective chip regions and plural edge chip regions on an inner side of a wafer by patterning the molding oxide layer. A plurality of storage nodes(65a,65b) are formed within the storage node holes. A photoresist layer is formed on the entire surface of the semiconductor wafer. A photoresist pattern(69) for covering the edge chip regions is formed by removing selectively the photoresist layer from the effective chip regions. Sidewalls of the storage nodes within the effective chip regions are selectively exposed by wet-etching the molding oxide layer within the effective chip regions.
摘要翻译：目的：提供一种用于消除由于半导体晶片的边缘芯片引起的缺陷的半导体工艺，以通过使用用于覆盖半导体晶片的边缘芯片区域的光致抗蚀剂图案来防止异常图案的松动状态。构成：在半导体晶片（51）上形成模制氧化物层（59）。通过图案化模制氧化物层，在晶片的内侧的多个有效芯片区域和多个边缘芯片区域中形成多个存储节点孔。多个存储节点（65a，65b）形成在存储节点孔内。在半导体晶片的整个表面上形成光致抗蚀剂层。通过从有效芯片区域选择性地去除光致抗蚀剂层，形成用于覆盖边缘芯片区域的光致抗蚀剂图案（69）。在有效芯片区域内的存储节点的侧壁通过湿蚀刻有效芯片区域内的模制氧化物层来选择性地暴露。

10. 发明公开

KR1020030005496A 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 에지 노광 방법 无效
标题翻译：半导体制造工艺中的边缘曝光方法
公开(公告)号：KR1020030005496A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020010040810
申请日：2001-07-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배재현 , 김문우 , 박경신 , 이제철
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: An exposure method for a wafer edge in a semiconductor fabrication process is provided to increase exposure efficiency at the edge of a wafer and eliminate the remnants at the wafer edge or flat zone by performing a heat treatment process like a post exposure bake(PEB) process before the exposure process is performed on the wafer edge. CONSTITUTION: Photoresist liquid is applied by using a wafer coater. A pattern is exposed by using an exposure apparatus. A heat treatment process is performed to eliminate a standing wave occurring in an interface between an exposure portion and a non-exposure portion of the photoresist liquid. The temperature of the wafer is decreased. An exposure process is performed to eliminate the applied photoresist liquid remaining on the wafer edge or flat zone by using the exposure apparatus regarding the wafer edge. A development process is performed after the exposure process.
摘要翻译：目的：提供半导体制造工艺中的晶片边缘的曝光方法，以提高晶片边缘的曝光效率，并通过执行曝光后烘烤（PEB）等热处理工艺消除晶片边缘或平坦区域的残留）处理，在晶片边缘进行曝光处理之前。构成：使用晶片涂布机涂布光致抗蚀剂液体。通过使用曝光装置曝光图案。进行热处理处理以消除在光致抗蚀剂液体的曝光部分和非曝光部分之间的界面中发生的驻波。晶片的温度降低。执行曝光处理以通过使用关于晶片边缘的曝光装置来消除残留在晶片边缘或平坦区域上的所施加的光致抗蚀剂液体。在曝光处理之后进行显影处理。

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