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1. 发明公开

KR1020080083406A ＬＥＤ 광원모듈 无效
标题翻译：发光二极管光源模块
公开(公告)号：KR1020080083406A
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：KR1020070023888
申请日：2007-03-12
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 오경섭 , 김병만 , 민경익 , 정명식 , 김창욱 , 이태홍 , 이민상
IPC分类号： H01L33/00
摘要： An LED(Light Emitting Diode) light source module is provided to extend lifespan of an LED light source by dividedly forming a metal layer in an LED module unit and a circuit module unit on a rear surface of a PCB(Printed Circuit Board). An LED light source module(100) includes a PCB(110), LED modules(120), and circuit modules(130,140). An LED module unit(150a) and a circuit module unit(150b) are defined on the PCB. The PCB has electrodes of circuit patterns on an upper surface and a metal layer(150) insulated from the electrodes on a rear surface. The LED modules are formed in the LED module unit on the PCB and have terminal units electrically connected to the electrodes. The circuit modules are formed in the circuit module unit on the PCB and electrically connected to the LED modules through the circuit patterns to drive the LED modules.
摘要翻译：提供LED（发光二极管）光源模块，以通过在LED模块单元中分开形成金属层和PCB（印刷电路板）的后表面上的电路模块单元来延长LED光源的寿命。 LED光源模块（100）包括PCB（110），LED模块（120）和电路模块（130,140）。 LED模块单元（150a）和电路模块单元（150b）被定义在PCB上。 PCB具有在上表面上的电路图案的电极和与后表面上的电极绝缘的金属层（150）。 LED模块形成在PCB上的LED模块单元中，并且具有电连接到电极的端子单元。电路模块形成在PCB上的电路模块单元中，并通过电路图案与LED模块电连接以驱动LED模块。

2. 发明授权

KR100843455B1 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법 失效
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100843455B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060080337
申请日：2006-08-24
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박영민 , 박길한 , 유상덕 , 민경익 , 최락준 , 이상범 , 김학환 , 박기태 , 박희석 , 정명식
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 본 발명은 광추출효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층; 및 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 복수의 육각 피라미드 질화물 결정체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
피라미드, 질화물 결정체, 전반사, 발광, 요철, 광추출
摘要翻译：本发明涉及一种具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光器件及其制造方法，并且根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：第一导电型氮化物半导体层; 形成在第一导电型氮化物半导体层上的有源层; 在有源层上形成的第二导电型氮化物半导体层; 并且多个六角锥氮化物晶体形成在第二导电型氮化物半导体层上并且具有相对于第二导电型氮化物半导体层的上表面倾斜的晶面。

3. 发明授权

KR100755610B1 피라미드 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有PYRAMID结构的氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100755610B1
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020060088250
申请日：2006-09-12
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김학환 , 박길한 , 유상덕 , 민경익 , 박희석 , 이상범 , 정명식 , 박영민 , 박기태 , 최락준
IPC分类号： H01L33/20
摘要： A nitride semiconductor light emitting device having a pyramid structure and its fabricating method are provided to obtain easily a p-type nitride semiconductor layer having sufficient hall concentration in a light emitting portion of hexagonal pyramid structure. A p-type nitride semiconductor base layer(102) is formed on a substrate(101). A mask layer(103) having an opening is formed on the p-type nitride semiconductor. A light emitting portion(150) of a hexagonal pyramid structure is grown through the opening of the mask layer. The light emitting portion has a p-type nitride semiconductor crystal of hexagonal pyramid, an active layer(105) and an n-type nitride semiconductor layer.
摘要翻译：提供具有棱锥体结构的氮化物半导体发光器件及其制造方法，以容易地获得在六角锥体结构的发光部分中具有足够的霍尔浓度的p型氮化物半导体层。在基板（101）上形成p型氮化物半导体基底层（102）。在p型氮化物半导体上形成具有开口的掩模层（103）。通过掩模层的开口生长六角锥形结构的发光部分（150）。发光部分具有六角锥的p型氮化物半导体晶体，有源层（105）和n型氮化物半导体层。

4. 发明授权

KR100691444B1 질화물 반도체 발광소자 失效
标题翻译： 질화물반도체발광소자
公开(公告)号：KR100691444B1
公开(公告)日：2007-03-09
申请号：KR1020050111057
申请日：2005-11-19
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이성숙 , 민경익 , 김수한 , 김민호
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06
摘要： A nitride semiconductor light emitting device is provided to make the characteristic light of a plurality of active layers having light of different wavelengths have a desired level of distribution by embodying the disposition and number of the active layers according to a wavelength. A nitride semiconductor light emitting device has a p-type nitride layer, an n-type nitride layer and a plurality of active layers formed between the p-type and the n-type nitride layers such that the active layer emits light with different wavelengths. The plurality of active layers include a first active layer(24) for emitting light with at least a first wavelength and a second active layer(26) for emitting light with a second wavelength longer than the first wavelength. At least one quantum well layer and at least one quantum barrier layer are alternately formed in the first and the second active layers. The first active layer is disposed in a position closer to the p-type nitride layer than the second active layer. The number of the quantum well layer of the first active layer is smaller than that of the quantum well layer of the second active layer. The quantum well layer of the first and the second active layers are made of In1-x1Gax1N and In1-x2Gax2N, respectively. The quantum barrier layer of the first and the second active layers is made of In1-yGayN wherein x2
摘要翻译：提供氮化物半导体发光器件以通过根据波长体现有源层的配置和数量来使具有不同波长的光的多个有源层的特征光具有期望的分布等级。氮化物半导体发光器件具有p型氮化物层，n型氮化物层以及在p型和n型氮化物层之间形成的多个有源层，使得有源层发射不同波长的光。多个有源层包括用于发射具有至少第一波长的光的第一有源层（24）和用于发射具有比第一波长更长的第二波长的光的第二有源层（26）。在第一和第二有源层中交替形成至少一个量子阱层和至少一个量子阻挡层。第一有源层设置在比第二有源层更靠近p型氮化物层的位置。第一有源层的量子阱层的数量小于第二有源层的量子阱层的数量。第一和第二有源层的量子阱层分别由In1-x1Gax1N和In1-x2Gax2N制成。第一和第二有源层的量子势垒层由In1-yGayN制成，其中x2 <1,0

5. 发明授权

KR100674858B1 백색 발광소자 失效
标题翻译：白色发光元件
公开(公告)号：KR100674858B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020050061101
申请日：2005-07-07
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김민호 , 민경익 , 코이케마사요시
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/04 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 모놀리식 백색 발광소자에 관한 것으로서, 제1 및 제2 도전형 질화물층과 그 사이에 순차적으로 형성된 서로 다른 파장광을 발광하는 복수의 활성층을 갖는 질화물 발광소자에 있어서, 상기 복수의 활성층은 복수의 제1 양자장벽층과 양자우물층으로 구성된 적어도 하나의 제1 활성층과, 상기 제1 활성층의 발광파장보다 큰 발광파장을 갖는 제2 활성층을 포함하며, 상기 제2 활성층은 복수의 제2 양자장벽층과 그 복수의 제2 양자장벽층 사이에 각각 형성된 다수의 양자점 또는 결정체(crystallites)로 이루어진 적어도 하나의 불연속적인 양자우물구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
백색 발광소자(white light emitting device), 양자점(quantum dot), 모놀리식 소자(monolithic device)
摘要翻译：本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，其具有第一和第二导电型的氮化物层和另外的多个有源层的发射光按顺序的不同波长在其间形成涉及一种整体式的白色发光装置中，多个包括具有至少一个第一有源层，一个大的发光波长比由多个第一量子势垒层和量子阱层的第一有源层的发射波长的第二有源层的有源层，所述第二有源层包括多个以及至少一个不连续的量子阱结构，其由在第二量子势垒层和多个第二量子势垒层之间形成的多个量子点或微晶组成。

6. 发明授权

KR100665173B1 질화물층의 제조방법 및 이를 이용한 수직구조 질화물반도체 발광소자의 제조방법 有权
标题翻译：生产氮化层的方法和制备垂直结构氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR100665173B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050034351
申请日：2005-04-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박희석 , 코이케마사요시 , 민경익
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： C30B29/403 , C30B29/64 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0079
摘要： 본 발명은 질화물층 및 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 사파이어 기판을 마련하는 단계; 상기 사파이어 기판상에, 질화물보다 높은 융점을 가지며 질화물보다 높은 열전도성을 갖는 물질로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 질화물층을 형성하는 단계; 및 상기 사파이어 기판의 하부에 레이저를 조사하여 상기 질화물층을 분리하는 단계를 포함하는 질화물층의 제조방법을 제공한다. 본 발명에서 상기 질화물층은 Al
x In
y Ga
(1-xy) N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 물질이며, 상기 버퍼층은 SiC로 이루어진 것을 특징으로 한다.
질화물, 사파이어 기판, 레이저 리프트 오프(LLO), 수직구조

7. 发明公开

KR1020080032882A 발광 다이오드 패키지 无效
标题翻译：发光二极管封装
公开(公告)号：KR1020080032882A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020060098964
申请日：2006-10-11
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박희석 , 박길한 , 유상덕 , 박기태 , 정명식 , 민경익
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： A light emitting diode package is provided to obtain high optical extraction efficiency by using an electrical insulating transparent fluid instead of a refractive index matching medium. A package substrate(41) includes a mounting area and a first and second wiring structures having exposed parts. The first and second wiring structures are formed in the mounting region. A light emitting diode(45) includes a first and second electrodes and is loaded in the mounting region so that the first and second electrodes are connected to a first and second bonding pads. A transparent member for cover is loaded in the mounting region of the package substrate. An electrical insulating transparent fluid(47) is used for filling a mounting space of the sealed light emitting diode. The electrical insulating transparent fluid has a refractive index smaller than a refractive index of a component of the light emitting diode.
摘要翻译：提供发光二极管封装以通过使用电绝缘透明流体代替折射率匹配介质来获得高光学提取效率。封装基板（41）包括安装区域和具有露出部分的第一和第二布线结构。第一和第二布线结构形成在安装区域中。发光二极管（45）包括第一和第二电极，并且被装载在安装区域中，使得第一和第二电极连接到第一和第二接合焊盘。用于盖的透明构件装载在封装基板的安装区域中。电绝缘透明流体（47）用于填充密封发光二极管的安装空间。电绝缘透明流体的折射率小于发光二极管的分量的折射率。

8. 外观设计

KR3005110770000S 有权
公开(公告)号：KR3005110770000S
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：KR3020080024434
申请日：2008-06-09
申请人： 삼성전기주식회사
设计人： 윤영수 , 이욱희 , 지용근 , 전영진 , 민경익 , 김진종

9. 发明公开

KR1020080017173A 질화물 반도체 발광소자 제조방법 失效
标题翻译：氮化物半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020080017173A
公开(公告)日：2008-02-26
申请号：KR1020060078987
申请日：2006-08-21
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이상범 , 박길한 , 민경익 , 명선영 , 박희석 , 정명식
IPC分类号： H01L33/02
摘要： A fabricating method of a nitride semiconductor light emitting device is provided to suppress a merged effect of a pyramid crystal structure by adjusting a window interval of a mask. A mask(23) having windows is formed on an upper surface of a base layer(22) including a first conductive type nitride semiconductor. A first conductive type nitride semiconductor crystal(24) of a hexagonal pyramid structure having an inclined crystal surface to an upper surface of the base layer is selectively grown on each of base layer regions exposed by the windows. An active layer(25) and a second conductive type nitride semiconductor layer(26) are sequentially grown on a surface of the first conductive type nitride semiconductor crystal. The mask is divided into at least two regions. The windows positioned on at least two regions are arranged at different intervals.
摘要翻译：提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，通过调整掩模的窗口间隔来抑制金字塔晶体结构的合并效果。在包括第一导电型氮化物半导体的基底层（22）的上表面上形成具有窗口的掩模（23）。在由窗户露出的每个基底层区域上选择性地生长具有到基底层的上表面的倾斜晶体表面的六角锥体结构的第一导电型氮化物半导体晶体（24）。在第一导电型氮化物半导体晶体的表面上依次生长有源层（25）和第二导电型氮化物半导体层（26）。该掩模被分成至少两个区域。位于至少两个区域上的窗口以不同的间隔布置。

10. 发明公开

KR1020080013636A 질화물 반도체 선택 성장방법, 질화물 발광소자 및제조방법 有权
标题翻译：选择生长方法，氮化物半导体发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080013636A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：KR1020060075407
申请日：2006-08-09
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박희석 , 박길한 , 유상덕 , 박영민 , 김학환 , 명선영 , 이상범 , 박기태 , 정명식 , 민경익
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： C30B25/04 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/24
摘要： A method for selectively growing a nitride semiconductor, a nitride semiconductor light emitting device, and a method for manufacturing the same are provided to reduce generation of stress and to uniformly maintain a thickness of an active layer by employing an intermediate isolation region having a tilt angle greater than that of a crystal surface of the other region. A mask(M) having an opening unit(W) is formed on a nitride semiconductor layer(33). A hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure(34) is selectively grown on the nitride semiconductor layer region exposed by the opening unit of the mask. The hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure has a slope crystal surface for an upper surface of the nitride semiconductor layer. The hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure includes at least one intermediate isolation region(34b). The intermediate isolation region has a crystal surface of a tilt angle greater than that of the crystal surface located on the upper and lower portions of the hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure.
摘要翻译：提供了选择性地生长氮化物半导体的方法，氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过采用具有倾斜角的中间隔离区域来减少应力的产生和均匀地保持有源层的厚度大于其他区域的晶体表面的厚度。具有开口单元（W）的掩模（M）形成在氮化物半导体层（33）上。在由掩模的开口单元暴露的氮化物半导体层区域上选择性地生长六角锥氮化物半导体晶体结构（34）。六角锥氮化物半导体晶体结构具有用于氮化物半导体层的上表面的倾斜晶体表面。六角锥氮化物半导体晶体结构包括至少一个中间隔离区域（34b）。中间隔离区具有大于位于六角锥形氮化物半导体晶体结构的上部和下部的晶体表面的倾斜角的晶体表面。

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