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1. 发明公开

KR1020170127814A 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：用于半导体器件密封和分离的半导体器件的环氧树脂组合物
公开(公告)号：KR1020170127814A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058438
申请日：2016-05-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 권기혁 , 김민겸 , 정주영 , 천진민 , 최진우 , 한승
IPC分类号： C08G59/14 , H01L23/29
摘要： 본발명은화학식 1 내지 3으로표시된화합물중 하나이상으로개질된변성에폭시수지, 경화제및 무기충전제를포함하는반도체밀봉용에폭시수지조성물및 이를이용하여밀봉된반도체장치에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体密封用环氧树脂组合物，并通过使用这一点，含有改性环氧树脂，固化剂和由一个或多个由式1-3表示的化合物的改性的无机填料密封的半导体器件。

2. 发明公开

KR1020160127268A 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 장치 有权
标题翻译：鏻化合物，含有它们的环氧树脂组合物，以及使用它们制造的半导体器件
公开(公告)号：KR1020160127268A
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：KR1020150058072
申请日：2015-04-24
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 권기혁 , 김민겸 , 이동환 , 정주영 , 천진민 , 최진우
IPC分类号： C07F9/54 , C07C233/75 , C08L63/00
摘要： 본발명은하기화학식 1로표시되는포스포늄계화합물에관한것이다: [화학식 1](상기화학식 1에서, R, R, R, 및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, X및 X는각각독립적으로치환또는비치환된탄소수 6 내지 30의아릴렌기, 치환또는비치환된탄소수 3 내지 10의사이클로알킬렌기, 치환또는비치환된탄소수 1 내지 20의알킬렌기이고, R및 R는서로동일하지않으며, 각각독립적으로수소, 하이드록시기, C1~C20의알킬기, C6~C30의아릴기, C3~C30의헤테로아릴기, C3~C10의시클로알킬기, C3~C10의헤테로시클로알킬기, C7~C30의아릴알킬기, C1~C30의헤테로알킬기이고, m은 1~2의정수이다).
摘要翻译：本发明涉及由下式1表示的磷酸化合物nyumgye：[化学式1]（在式中，R，R，R和R各自独立地是未取代的C1〜C30的取代或未取代的脂肪族烃基基，未取代的C6〜C30的取代或未取代的芳香族烃基，或含杂原子的C1〜C30，X和X的取代或未取代的环的烃基各自独立地为取代或未取代的C6至C30环亚芳基，取代或未取代的具有3-10个碳原子uisayi爪亚烷基，具有1至20个碳原子的未取代的，R和R不彼此相等的取代或未取代的亚烷基，各自独立地表示氢，羟基，烷基C1〜C20，C6〜C30芳基，C3〜C30杂芳基，C3〜C10环烷基，C3〜C10杂环烷基，C7〜C30芳基，该一个的C1〜C30的杂环基团的 m是1至2的数字）。

3. 发明公开

KR1020160056398A 포스포늄 이온 함유 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 장치 有权
标题翻译：包含磷酸盐的化合物，包含其的环氧树脂组合物和使用其制备的装置
公开(公告)号：KR1020160056398A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140155683
申请日：2014-11-10
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 권기혁 , 김민겸 , 이동환 , 천진민
IPC分类号： C08G59/68 , C08G59/70 , C08L63/00 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , C08G59/68 , C08G59/688 , C08G59/70 , C08L63/00 , H01L23/293
摘要： 포스포늄 1가양이온과, 전이금속 4가양이온함유킬레이트 2가음이온을포함하는포스포늄이온함유화합물, 이를포함하는에폭시수지조성물및 이를사용하여제조된장치가제공된다.
摘要翻译：提供含有鏻离子的化合物，其包括一价阳离子鏻和含有过渡金属四价阳离子的螯合二价阴离子。此外，提供了包含该环氧树脂组合物的环氧树脂组合物和通过使用环氧树脂制备的装置。更具体地，本发明的目的是提供一种用于催化环氧树脂固化的化合物。

4. 发明公开

KR1020160047677A 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 장치 有权
标题翻译：磷化合物，包含其的环氧树脂组合物和使用其制备的半导体器件
公开(公告)号：KR1020160047677A
公开(公告)日：2016-05-03
申请号：KR1020140143638
申请日：2014-10-22
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 김민겸 , 권기혁 , 이동환 , 정주영 , 천진민
IPC分类号： C07F9/54 , C08L63/00 , H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , C07F9/54 , C07F9/00 , C08L63/00 , H01L23/29 , H01L23/293
摘要： 본발명은하기화학식 1로표시되는포스포늄계화합물에관한것이다: [화학식 1](상기화학식 1에서, R, R, R, 및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, X는치환또는비치환된탄소수 6 내지 30의아릴렌기, 치환또는비치환된탄소수 3 내지 10의사이클로알킬렌기, 치환또는비치환된탄소수 1 내지 20의알킬렌기이고, R는수소, 하이드록시기, C1~C20의알킬기, C6~C30의아릴기, C3~C30의헤테로아릴기, C3~C10의시클로알킬기, C3~C10의헤테로시클로알킬기, C7~C30의아릴알킬기, C1~C30의헤테로알킬기이고, m은 0~5의정수이다).
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的鏻化合物。在化学式1中，R 1，R 2，R 3和R 4各自独立地表示取代或未取代的C 1 -C 30脂族烃基，取代或未取代的C 6 -C 30芳族或含有杂原子的取代或未取代的C 1 -C 30烃基; X表示取代或未取代的碳原子数为6〜30的亚芳基，取代或未取代的碳原子数为3〜10的亚环烷基，或取代或未取代的碳原子数为1〜20的亚烷基。 R 5表示氢，羟基，C 1 -C 20烷基，C 6 -C 30芳基，C 3 -C 30杂芳基，C 3 -C 10环烷基，C 3 -C 10杂环烷基，C 7 -C 30芳烷基，或C 1 -C 30杂烷基; m表示0〜5的整数。鏻化合物可以提供可促进环氧树脂固化的固化加速化合物; 成型灵活性好; 具有较高的固化强度; 并可在短时间内进行固化。

5. 发明授权

KR102146996B1 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102146996B1
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：KR1020170184884
申请日：2017-12-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 정주영 , 권기혁
IPC分类号： C08L63/00 , C08L83/04 , H01L23/29

6. 发明授权

KR101845134B1 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 장치 有权
标题翻译：鏻化合物，含有它们的环氧树脂组合物，以及使用它们制造的半导体器件
公开(公告)号：KR101845134B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020150100672
申请日：2015-07-15
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 권기혁 , 김민겸 , 정주영 , 천진민 , 최진우 , 한승 , 이동환
IPC分类号： C07F9/54 , C07F7/02 , C08G59/40 , C08G59/68 , H01L51/10
CPC分类号： C09J163/00 , C07F7/045 , C07F9/5442 , C08L63/00 , C08L2201/08 , C08L2203/206 , C09J2203/326 , H01L23/293 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명은하기화학식 1로표시되는포스포늄계화합물에관한것이다: [화학식 1](상기화학식 1에서, R, R, R, 및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, R, R및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, M은알카리금속이다).
摘要翻译：本发明涉及由下式（1）表示的鏻化合物：其中R，R，R和R各自独立地为取代或未取代的C1至C30脂族烃取代或未取代的C 6 -C 30芳族烃基或取代或未取代的含有杂原子的C 1 -C 30烃基，R 1，R 2和R 3各自独立地为取代或未取代的C1- 取代或未取代的C6-C30芳族烃基或取代或未取代的含有杂原子的C1-C30烃基，M是碱金属。

7. 发明授权

KR101768303B1 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101768303B1
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020150045772
申请日：2015-03-31
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 정주영 , 천진민 , 권기혁 , 김민겸 , 이동환 , 최진우
IPC分类号： C07F9/54
摘要： 본발명은하기화학식 1로표시되는포스포늄계화합물에관한것이다: [화학식 1](상기화학식 1에서, R, R, R, 및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, X및 X은각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, Y및 Y는산소원자(O)이고, Y, 및 Y는각각독립적으로산소원자(O), 치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, Z는 C1~C10의알콕시기, 불소원자(F), 또는히드록시기(-0H)이고, l, m, 및 n은각각독립적으로 0 또는 1이고, l, m, 및 n 중 2개이상이 0인경우를제외한다.)

8. 发明授权

KR101768287B1 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101768287B1
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020140169213
申请日：2014-11-28
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 천진민 , 권기혁 , 김민겸 , 이동환 , 정주영
IPC分类号： C08G59/68 , C08G59/70 , C08G59/20 , C08L63/00 , H01L23/29
CPC分类号： C07F9/54 , C08G59/68 , C08L63/00 , H01L23/29 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 본발명은하기화학식 1로표시되는포스포늄계화합물에관한것이다: [화학식 1](상기화학식 1에서, R, R, R, 및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, X및 X는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고Y, Y, Y및 Y는각각독립적으로산소원자(O), 황원자(S) 또는치환된질소원자(N)이다).

9. 发明公开

KR1020170000464A 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자 有权
标题翻译：用于密封半导体元件的环氧树脂组合物，以及使用该制造的半导体器件
公开(公告)号：KR1020170000464A
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150089335
申请日：2015-06-23
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 천진민 , 권기혁 , 김민겸 , 정주영 , 최진우 , 한승
IPC分类号： C08K5/00 , C08K3/00 , C08L63/00 , H01L23/29
CPC分类号： C09D7/63 , C08G59/688 , C08K3/36 , C08K5/053 , C08K5/50 , C08L63/00 , C09D163/00 , C09J7/00 , H01L23/293 , H01L2224/73204 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
摘要： 본발명은에폭시수지; 경화제; 무기충전제; 경화촉매; 및하이드록시기를 1개이상포함하는화합물;을포함하고, 상기경화촉매는하기화학식 4로표시되는포스포늄계화합물을포함하는반도체소자밀봉용에폭시수지조성물에관한것이다: [화학식 4](상기화학식 4에서, R, R, R, 및 R는각각독립적으로치환또는비치환된 C1~C30의지방족탄화수소기, 치환또는비치환된 C6~C30의방향족탄화수소기, 또는헤테로원자를포함하는치환또는비치환된 C1~C30의탄화수소기이고, X는치환또는비치환된탄소수 6 내지 30의아릴렌기, 치환또는비치환된탄소수 3 내지 10의사이클로알킬렌기, 또는치환또는비치환된탄소수 1 내지 20의알킬렌기이고, R는수소, 하이드록시기, C1~C20의알킬기, C6~C30의아릴기, C3~C30의헤테로아릴기, C3~C10의시클로알킬기, C3~C10의헤테로시클로알킬기또는 C7~C30의아릴알킬기, 또는 C1~C30의헤테로알킬기이고, m은 0~5의정수이다).
摘要翻译：本发明涉及包含环氧树脂的环氧树脂组合物; 固化剂; 无机填料; 固化催化剂; 和羟基化合物，其包含1个或多个;所述固化催化剂，和包括本发明涉及用于半导体元件封装含有式（4）的膦酸酯化合物nyumgye的环氧树脂组合物：[化学式4]（式在4，R，R，R和R各自独立地为被取代的，包括取代或未取代的芳香族烃基，或脂肪族烃基中的杂原子，取代或未取代的C1〜C30或未取代的C6〜C30的或未取代的 C1〜C30的hwandoen的烃基，X是取代或未取代的C6至C30芳基，取代或未取代的，具有3至10个碳原子的uisayi爪的亚烷基，或取代或未取代的C1至C20环亚烷基，R是氢，羟基，C1〜C20烷基，C6〜C30芳基，杂环烷基，或C3〜C30杂芳基的C7〜，环烷基C3〜C10，C3的C10〜的 C30芳烷基或C1-C30杂烷基，并且m是0至5的整数）。

10. 发明授权

KR102264930B1 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102264930B1
公开(公告)日：2021-06-14
申请号：KR1020180169440
申请日：2018-12-26
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 김소윤 , 권기혁 , 이동환
IPC分类号： C08L63/00 , C08L33/04 , C08L83/12 , H01L23/29

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