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1. 发明授权

KR102223145B1 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 액정 표시 패널 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102223145B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140083991
申请日：2014-07-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조현민 , 김동일
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786
摘要： 박막트랜지스터기판은, 기판상에배치되는게이트전극, 게이트전극상에배치되는게이트절연층, 게이트절연층상에배치되는액티브패턴, 액티브패턴의제1 단부에중첩하는소스전극및 액티브패턴의제2 단부에중첩하는드레인전극을포함한다. 액티브패턴, 소스전극및 드레인전극중 어느하나의일면상에는부분적으로불화탄소성분이잔류한다.

2. 发明公开

KR1020170052721A 터치 스크린 패널의 제조방법 审中-实审
标题翻译：触摸屏面板的制造方法
公开(公告)号：KR1020170052721A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150153640
申请日：2015-11-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김동일 , 조현민 , 이주형 , 김상갑
IPC分类号： G06F3/044
摘要： 본발명은기판상에순차적으로제1 도전층과제2 도전층및 제1 감광막을형성하는단계와, 상기제1 감광막상부에마스크를배치하여감지전극에대응하는제1 감광막패턴과감지배선에대응하는제2 감광막패턴을형성하고상기제2 도전층의일부를외부로노출하는단계와, 상기제1 감광막패턴과상기제2 감광막패턴을식각마스크로사용하고상기노출된제2 도전층을제거하여제2 도전패턴을형성하되상기제1 도전층의일부를외부로노출시키는단계와, 상기제1 감광막패턴을제거하여상기제2 도전패턴을노출시키고상기제2 감광막패턴을두께가얇은제3 감광막패턴으로형성하는단계와, 상기노출된제2 도전패턴을식각마스크로사용하고상기노출된제1 도전층을제거하여제1 도전패턴을형성하는단계와, 상기제3 감광막패턴을식각마스크로사용하고상기제1 도전패턴상에위치한상기제2 도전패턴을제거하여상기감지전극을형성하는단계와, 상기제3 감광막패턴을제거하여상기감지배선을형성하는단계와, 상기감지전극과상기감지배선상에절연패턴을형성하는단계, 및상기절연패턴상에상기감지전극들을연결하는브릿지패턴을형성하는단계를포함하는터치스크린패널의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：发明顺序地在第一导电层分配第二导电层和所述对应于所述第一感光膜图案和检测布线和形成第一感光膜，通过将掩模上的第一光致抗蚀剂层上对应于所述感测电极的基板上的形成第二光致抗蚀剂图案并将所述第二导电层的一部分暴露于外部;使用所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模去除所述暴露的第二导电层通过将第一导电层的一部分暴露于外部来形成第二导电图案;去除第一光敏膜图案以暴露第二导电图案;以及通过第三光敏膜形成第二光敏膜图案使用暴露的第二导电图案作为蚀刻掩模形成第一导电图案，并且使用第三光敏膜图案作为蚀刻掩模去除暴露的第一导电层以形成第一导电图案; 并位于第一个导电图案上通过去除第二基底导电图案形成感测电极;去除第三感光膜图案以形成感测布线;在感测电极和感测线上形成绝缘图案; 并形成连接绝缘图案上的感测电极的桥接图案。

3. 发明公开

KR1020160128518A 표시장치 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160128518A
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020150059718
申请日：2015-04-28
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김동일 , 이주형
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2001/13625 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3279 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L2227/323
摘要： 본발명의일 실시예는, 제1 기판, 상기제1 기판상에배치된게이트라인, 상기제1 기판상에배치되며상기게이트라인으로부터돌출된게이트전극, 상기게이트라인및 상기게이트전극상에배치된게이트절연막, 상기게이트절연막상에배치된반도체층및 상기반도체층상에서로이격되어배치된소스전극과드레인전극을포함하며, 상기게이트전극은상기제1 기판상에배치된상기제1 도전막을포함하고, 상기게이트라인은상기제1 도전막및 상기제1 도전막상에배치된제2 도전막을포함하는표시장치를제공한다.
摘要翻译：一种显示装置，包括：第一基板; 第一基板上的栅极线; 栅电极，设置在所述第一基板上并从所述栅极线突出; 栅极线上的栅极绝缘层和栅电极; 栅极绝缘层上的半导体层; 以及设置在半导体层上并彼此间隔开的源电极和漏电极。栅电极可以包括在第一衬底上的第一导电层，并且栅极线可以包括第一导电层和第一导电层上的第二导电层。

4. 发明公开

KR1020160090940A 플라즈마 발생장치의 오염측정장비 审中-实审
标题翻译：用于测量等离子体发生装置的污染的设备
公开(公告)号：KR1020160090940A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150010551
申请日：2015-01-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김지헌 , 김동일
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： G01B7/085 , C23C14/545 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32477 , H01J37/32853 , H01J37/32871 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H05H1/0081
摘要： 플라즈마발생장치의오염측정장비를개시한다. 본발명은챔버;와, 챔버내에설치되며, 기판이장착되는서셉터;와, 챔버내에플라즈마를형성하는플라즈마발생부;와, 챔버내에설치되며, 플라즈마가발생하는공간을둘러싸는이너자켓;와, 이너자켓에전기적으로연결되며, 전압및 전류의위상차를검출하는 V-I 프로브;와, 블로킹커패시터를통하여전압을상기이너자켓에인가하는전원부;와, V-I 프로브에연결되어, 측정데이터가표시되는모니터;를포함하되, 이너자켓에전압을인가하여얻어진신호를분석하여이너자켓표면의오염층두께를측정한다.
摘要翻译：公开了一种等离子体产生装置的污染测量设备。根据本发明，设备包括：腔室; 安装在所述腔室中的基座，其中基底安装在所述基座上; 等离子体生成单元，其构造成在所述室中形成等离子体; 内套，安装在所述室中并且构造成围绕产生所述等离子体的空间; 电连接到所述内护套并被配置为检测电压和电流之间的相位差的V-I探头; 电源单元，被配置为通过隔离电容器将电压提供给所述内护套; 以及连接到V-I探头并被配置为显示测量数据的监视器。通过分析通过向内护套提供电压获得的信号来测量内护套表面上的污染层的厚度。

5. 发明公开

KR1020140145785A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140145785A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：KR1020130068367
申请日：2013-06-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박지영 , 김동일 , 김상갑
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/134363 , G02F1/136227 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , G02F1/134309 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/13458
摘要： 본 발명은 자기-정렬(self-aligned)된 접촉 구멍을 포함하여, 접촉 구멍의 폭이 커지는 것을 방지하고, 접촉 구멍의 단면이 정테이퍼 구조를 가지도록 형성하여 단락되는 것을 방지하기 위해, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 위치하며 게이트 패드부를 포함하는 게이트선, 상기 게이트선 위에 위치하며, 소스 전극 및 데이터 패드부를 포함하는 데이터선, 그리고 드레인 전극, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 위치하는 제1 보호막, 상기 제1 보호막 위에 위치하는 유기 절연막, 상기 유기 절연막 위에 위치하는 제1 전기장 생성 전극, 상기 제1 전기장 생성 전극 위에 위치하는 제2 보호막, 및 상기 제2 보호막 위에 위치하는 제2 전기장 생성 전극을 포함하고, 상기 유기 절연막의 가장자리는 상기 제1 전기장 생성 전극의 가장자리와 일치하거나 돌출되고, 정테이퍼진 구조를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜晶体管显示面板，其包括自对准接触孔，以防止接触孔的宽度增加并且形成接触孔以在其横截面中具有向前锥形结构，以防止短路电路。薄膜晶体管显示面板包括绝缘基板，位于绝缘基板上的栅极线，并且包括栅极焊盘部分，位于栅极线上的数据线，包括源电极和数据焊盘部分，漏电极，位于漏电极上的第一保护膜，数据线，位于第一保护膜上的有机绝缘层，位于有机绝缘层上的第一电场产生电极，位于第一电场产生电极上的第二保护层，以及位于所述第二保护层上的第二电场产生电极，其中所述有机绝缘层的边缘与所述第一电场产生电极的边缘对准或突出并具有向前锥形结构。

6. 发明授权

KR102248837B1 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102248837B1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：KR1020150000232
申请日：2015-01-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김동일 , 이주형 , 정재우
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 본발명은기판위에게이트전극을포함하는게이트배선을형성하는단계; 상기게이트배선위에게이트절연막, 액티브층, 데이터금속층및 포토레지스트식각마스크패턴을순차적으로형성하는단계; 상기포토레지스트식각마스크패턴과동일한형상으로상기데이터금속층을식각하는단계; 상기포토레지스트식각마스크패턴을이용하여상기액티브층을식각하는단계; 상기액티브층위에채널부를완성하기위한소스전극및 드레인전극을포함하는데이터배선을형성하는단계; 및상기드레인전극을노출하고상기드레인전극과전기적으로연결된화소전극을형성하는단계를포함하며, 상기액티브층을식각하는단계는 NF3 및 H2 중적어도하나를포함하는가스를사용하여건식식각공정으로진행하는박막트랜지스터표시판의제조방법에관한것이다.

7. 发明公开

KR1020170102144A 박막트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170102144A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：KR1020160024719
申请日：2016-02-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 안태영 , 김동일 , 양성훈 , 이상욱 , 전우석 , 정용빈
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343
摘要： 본발명에따른일 실시예는, 기판; 및상기기판상에위치하며, 게이트전극, 반도체층, 소스전극및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터;를포함하며, 상기소스전극및 상기드레인전극은, 상기반도체층상에순차적으로적층된도전층및 보호층을포함하고, 상기보호층은 30 내지 40 원자퍼센트의수소를갖는절연물질을포함하는, 박막트랜지스터기판을제공한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例包括：衬底; 且其中一个衬底，栅电极，半导体层，包括：源电极和漏电极的薄膜晶体管上位于;其中，所述源极电极和漏极电极，导电层和保护被顺序地堆叠在半导体层上层，其中保护层包含具有30至40原子百分比的氢的绝缘材料。

8. 发明公开

KR1020160005295A 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 액정 표시 패널 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜基板，液晶显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160005295A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：KR1020140083991
申请日：2014-07-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조현민 , 김동일
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/467 , G02F1/1368 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869
摘要： 박막트랜지스터기판은, 기판상에배치되는게이트전극, 게이트전극상에배치되는게이트절연층, 게이트절연층상에배치되는액티브패턴, 액티브패턴의제1 단부에중첩하는소스전극및 액티브패턴의제2 단부에중첩하는드레인전극을포함한다. 액티브패턴, 소스전극및 드레인전극중 어느하나의일면상에는부분적으로불화탄소성분이잔류한다.
摘要翻译：薄膜晶体管基板包括：设置在基板上的栅电极; 设置在栅电极上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的有源图案; 与有源图案的第一端部重叠的源电极和与有源图案的第二端部重叠的漏电极。碳氟元素部分地保留在活性图案，源电极和漏电极中的至少一个的一个表面上。因此，薄膜晶体管基板可以提高薄膜晶体管的可靠性。

9. 发明公开

KR1020150015978A 표시 장치의 방법 审中-实审
标题翻译：制作显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020150015978A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020130092103
申请日：2013-08-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박지영 , 김동일 , 김상갑
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/124
摘要： 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
일례로, 표시 장치의 제조 방법은 기판에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 제1 절연층 및 제2 절연층을 형성하는 단계; 상기 제2 절연층 상에 공통 전극 물질을 증착하고, 상기 공통 전극 물질 상에 형성되는 포토레지스트 패턴의 표면에 플라즈마 처리를 한 후, 상기 플라즈마 처리된 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 공통 전극 물질을 식각함으로써 상기 제2 절연층 상에 공통 전극을 형성하는 단계; 상기 플라즈마 처리된 포토레지스트 패턴과 상기 공통 전극을 마스크로 이용하여 상기 제2 절연층 중 상기 드레인 전극과 대응되는 영역에 컨택홀을 형성하는 단계; 상기 컨택홀과 상기 드레인 전극을 노출하도록 상기 제2 절연층 및 상기 공통 전극 상에 제3 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 절연층 상에 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种显示装置的制造方法。显示装置的制造方法包括在基板上形成包括栅电极，源电极和漏电极的薄膜晶体管的步骤; 在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层和第二绝缘层; 在第二绝缘层上沉积公共电极材料并等离子体处理形成在公共电极材料上的光致抗蚀剂图案的表面，以使用等离子体处理的光致抗蚀剂图案作为掩模，以在公共电极材料上刻蚀公共电极材料以从公共电极第二绝缘层; 使用等离子体处理的光致抗蚀剂图案和公共电极作为掩模，在与漏极对应的第二绝缘层中的区域上形成接触孔; 在所述第二绝缘层和所述公共电极上形成第三绝缘层，以暴露所述接触孔和所述漏电极; 以及在所述第三绝缘层上形成要连接到所述漏电极的像素电极。

10. 发明公开

KR1020170017028A 액정 표시 장치 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170017028A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020150109933
申请日：2015-08-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이주형 , 최신일 , 고경수 , 김동일 , 여종모
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F2201/122 , G02F2201/124 , H01L21/32139 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/41733 , H01L29/78696
摘要： 본발명의일 실시예에따른액정표시장치는기판, 기판상에위치하는게이트전극, 게이트전극상에위치하는반도체패턴층, 반도체패턴층상에위치하며, 서로이격된소스전극및 드레인전극을포함하되, 소스전극은드레인전극과대항하는제1 대향부및 제1 대향부로부터드레인전극을향해돌출된제1 돌출부를포함하고, 드레인전극은소스전극과대향하는제2 대향부및 제2 대향부로부터소스전극을향해돌출되어, 제1 돌출부와대향하는제2 돌출부를포함하며, 반도체패턴층은소스전극과중첩되는소스영역, 드레인전극과중첩되는드레인영역및소스영역과드레인영역을잇는브릿지영역을포함한다.
摘要翻译：液晶显示装置包括：基板; 基板上的栅电极; 栅电极上的半导体图案层; 以及半导体图案层上的源电极和漏电极并彼此间隔开。源电极包括：面向漏电极的第一面对部分; 以及从所述第一突起朝所述漏电极突出的第一突起。漏电极包括：面对源电极的第二面对部分; 以及从所述第二面对部朝向所述源电极突出并面对所述第一突起的第二突起。半导体图案层包括：与源电极重叠的源极区域; 漏极区域与漏电极重叠; 以及将源区域与排水区域连接的桥接区域，并且在第一突起部和第二突起部之间限定的空间在桥区域上。

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