专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020090116779A 플라즈마 전자 온도의 측정 방법 및 장치 失效
标题翻译：等离子体电子温度测量方法和装置
公开(公告)号：KR1020090116779A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020097018412
申请日：2008-03-24
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/00
CPC分类号： H05H1/0043 , G01J3/443 , H01J37/32926 , H01J37/32954 , H01J37/32972
摘要： A laser beam with a wavelength capable of pumping atoms of helium in the metastable state is directed to a produced plasma, and atoms in the metastable state are excited. Absorption amount information representing the amount of laser beam absorbed is acquired, and the density of atoms of helium in the metastable state in the plasma is computed from the absorption amount. The emissions of light from helium gas in the plasma caused by transition from two different excited states to the lower level are measured, and the ratio between the intensities of the emissions is determined. The electron temperature of the produced plasma is computed from the computed density of the atoms of helium gas in the metastable state and the computed emission intensity ratio. With this, the plasma electron temperature can be computed with a relatively high accuracy irrespective of the condition of the plasma atmosphere.
摘要翻译：具有能够在亚稳态的氦原子的波长的激光束被引导到产生的等离子体，并且激发亚稳态的原子。获取表示吸收的激光束的量的吸收量信息，根据吸收量计算等离子体中的亚稳态的氦原子的密度。测量从两个不同的激发态转换到较低的等离子体所产生的等离子体中氦气的光的发射，确定发射强度之间的比例。所产生的等离子体的电子温度是从亚稳态中氦气原子的计算密度和计算出的发射强度比计算的。由此，与等离子体气氛的条件无关地，可以以相对高的精度计算等离子体电子温度。

2. 发明授权

KR101031327B1 플라즈마 전자 온도의 측정 방법 및 장치 失效
标题翻译：等离子体电子温度测量方法和装置
公开(公告)号：KR101031327B1
公开(公告)日：2011-04-29
申请号：KR1020097018412
申请日：2008-03-24
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/00
CPC分类号： H05H1/0043 , G01J3/443 , H01J37/32926 , H01J37/32954 , H01J37/32972
摘要： 헬륨 가스의 준안정 상태의 원자를 여기시키는 파장의 레이저광을, 생성한 플라즈마에 조사(照射)하여, 준안정 상태의 원자를 여기시키고, 레이저광의 흡수량을 나타내는 흡수량 정보를 취득하여, 흡수량 정보에 기초하여 플라즈마 중에 있어서의 헬륨 가스의 준안정 상태의 원자의 밀도를 산출한다. 덧붙여, 플라즈마 중에 있어서의, 헬륨 가스의 다른 2개의 여기 상태로부터의 하위 준위 천이 과정 각각에 의한 각 발광을 계측하여, 각 발광의 발광 강도비를 구한다. 그 후, 산출한 헬륨 가스의 준안정 상태의 원자의 밀도와, 발광 강도비에 기초하여, 생성한 플라즈마의 전자 온도를 산출한다. 이것에 의하여, 플라즈마 분위기의 조건에 의하지 않고 비교적 높은 정도(精度)로, 플라즈마의 전자 온도를 산출할 수 있다.
플라즈마, 전자 온도, 측정 방법, 레이저광, 준안정 상태

3. 发明公开

KR1020110116052A 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 有权
标题翻译：薄膜成型装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR1020110116052A
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020117021253
申请日：2010-01-28
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타키자와카즈키 , 모리야스나리 , 무라타카즈토시
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45536 , C23C16/45557 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 박막 형성 장치는, 성막(成幕) 용기 내의 제1 내부 공간 및, 이 제1 내부 공간 내에 설치된 제2 내부 공간의 압력을 각각 정한 압력 조건으로 제어한다. 장치는, 제2 내부 공간 내의 기판 상에, 원료 가스를 흐르게 하는 것과 동시에, 제1 내부 공간에 설치된 플라스마 발생원에, 압력 조건에 따라 고주파 전력을 주는 것으로, 제2 내부 공간에 플라스마를 발생시켜, 기판에 박막을 형성한다.

4. 发明公开

KR1020090108730A 플라즈마 생성 장치 및 플라즈마 성막 장치 失效
标题翻译：等离子体生成装置和等离子体膜形成装置
公开(公告)号：KR1020090108730A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：KR1020097018549
申请日：2008-03-28
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 모리야스나리 , 타키자와카즈키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01Q21/12
CPC分类号： H01Q21/0006 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01P5/12 , H01Q1/26 , H05H1/46
摘要： A plasma generating apparatus is provided with an impedance matching member, which is connected to a feed line that supplies an antenna element with a high frequency signal, and has variable characteristic parameters for impedance matching; a distribution wiring, which is arranged corresponding to the impedance matching member and connects the impedance matching member with at least two antenna elements; and a control section which changes at the same time impedance matching statuses of at least the two antenna elements connected to the impedance matching member through the distribution wiring by changing the characteristic parameters of the impedance member. Thus, the number of impedance matching devices is smaller than that of the antenna elements, and a mechanism relating to impedance matching is made relatively small.
摘要翻译：一种等离子体发生装置具有阻抗匹配部件，该阻抗匹配部件连接到向天线元件供给高频信号的馈电线，并且具有用于阻抗匹配的可变特性参数; 分配布线，其对应于所述阻抗匹配部件布置并将所述阻抗匹配部件与至少两个天线元件连接; 以及控制部，其通过改变阻抗部件的特性参数，通过分配配线同时改变与阻抗匹配部件连接的至少两个天线元件的阻抗匹配状态。因此，阻抗匹配装置的数量小于天线元件的数量，并且与阻抗匹配有关的机构相对较小。

5. 发明授权

KR101314582B1 원자층 성장 장치 및 박막 형성 방법 有权
标题翻译：原子层生长装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR101314582B1
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：KR1020117020860
申请日：2010-01-28
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32972 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要： 원자층 성장 장치는, 성막(成膜) 용기 내로 수소를 포함하는 유기 금속 가스를 도입하여, 기판 상에 유기 금속의 성분을 흡착시킨다. 다음으로, 장치는, 성막 용기 내로 산화 가스 또는 질화 가스를 도입하여 플라스마를 발생시키고, 기판에 적층한 유기 금속의 성분을 산화 또는 질화시킨다. 플라스마를 발생시켰을 때, 장치는, 기판 상에서 발광하는 광의 소정의 파장의 발광 강도를, 성막 용기에 설치된 관측창을 통하여 검출한다. 검출한 발광 강도가 소정값 이하가 될 때, 장치는, 플라스마의 발생을 정지한다.

6. 发明授权

KR101045271B1 플라즈마 생성 장치 및 플라즈마 성막 장치 失效
标题翻译：等离子体生成装置和等离子体膜形成装置
公开(公告)号：KR101045271B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020097018549
申请日：2008-03-28
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 모리야스나리 , 타키자와카즈키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205 , H01Q21/12
CPC分类号： H01Q21/0006 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01P5/12 , H01Q1/26 , H05H1/46
摘要： 플라즈마 생성 장치는, 안테나 소자에 고주파 신호를 급전(給電)하는 급전선과 접속된, 임피던스(impedance) 정합을 위한 특성 파라미터가 가변인 임피던스 정합 부재와, 임피던스 정합 부재에 대응하여 설치되고, 임피던스 정합 부재와 적어도 2개 이상의 안테나 소자를 접속하는 분배 배선과, 임피던스 정합 부재의 특성 파라미터를 변화시켜, 분배 배선을 통하여 임피던스 정합 부재와 접속된 적어도 2개 이상의 안테나 소자의 임피던스 정합 상태를 동시에 변화시키는 제어부를 가진다. 이것에 의하여, 안테나 소자에 비하여 임피던스 정합기의 수가 적고, 임피던스 정합에 관련되는 기구가 비교적 콤팩트(compact)한 장치가 된다.
플라즈마 생성 장치, 안테나 소자, 임피던스 정합, 분배 배선, 제어부

7. 发明授权

KR101272564B1 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101272564B1
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：KR1020117021253
申请日：2010-01-28
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타키자와카즈키 , 모리야스나리 , 무라타카즈토시
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45536 , C23C16/45557 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 박막 형성 장치는, 성막(成幕) 용기 내의 제1 내부 공간 및, 이 제1 내부 공간 내에 설치된 제2 내부 공간의 압력을 각각 정한 압력 조건으로 제어한다. 장치는, 제2 내부 공간 내의 기판 상에, 원료 가스를 흐르게 하는 것과 동시에, 제1 내부 공간에 설치된 플라스마 발생원에, 압력 조건에 따라 고주파 전력을 주는 것으로, 제2 내부 공간에 플라스마를 발생시켜, 기판에 박막을 형성한다.

8. 发明授权

KR101076674B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR101076674B1
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020097018413
申请日：2008-03-26
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 모리야스나리 , 타치바나히로유키 , 미야타케나오마사 , 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32495
摘要： 플라즈마처리장치는, 처리대상기판이배치되는기판스테이지와, 안테나어레이를이용하여플라즈마를생성하는플라즈마생성부와, 상기안테나어레이의상방(上方)에설치된복수의가스방사구를가지는가스방사판을구비하는가스방사부와, 상기가스방사판의복수의가스방사구의일부분으로부터상기기판스테이지의표면으로향하여방사하여상기안테나소자의표면을통하도록, 제1 원료가스를공급하는제1 가스공급부와, 상기가스방사판의복수의가스방사구의다른부분으로부터상기기판스테이지의표면으로향하여방사하여상기안테나소자의간극(間隙)을통하도록, 제2 원료가스를공급하는제2 가스공급부를가진다. 제1 원료가스는, 안테나소자에노출된경우, 부착물이생기지않거나, 또는제2 원료가스보다도부착량이적다. 이것에의하여, 성막(成膜) 속도를향상시키는것과함께, 파티클의발생을억제할수 있다.
摘要翻译：该等离子体处理装置具备：载置被处理基板的基板载置台，使用该天线阵列来生成等离子体的等离子体生成部，以及在该天线阵列的上方具有多个气体放出口的气体放射板第一气体供应部分，用于通过从所述气体辐射板的多个气体辐射工具的一部分朝向所述基板台的表面辐射来通过所述天线元件的表面供应第一源气体; 以及第二气体供给部，其供给第二原料气体，以从气体辐射板的多个气体喷出口的另一部分朝向基板载台的表面照射，以通过天线元件的间隙。当第一原料气体暴露于天线元件时，不形成沉积物，或沉积量小于第二原料气体的沉积量。因此，可以提高沉积速度并且可以抑制颗粒的发生。

9. 发明公开

KR1020110116043A 원자층 성장 장치 및 박막 형성 방법 有权
标题翻译：原子层生长装置和薄膜成型方法
公开(公告)号：KR1020110116043A
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020117020860
申请日：2010-01-28
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32972 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要： 원자층 성장 장치는, 성막(成膜) 용기 내로 수소를 포함하는 유기 금속 가스를 도입하여, 기판 상에 유기 금속의 성분을 흡착시킨다. 다음으로, 장치는, 성막 용기 내로 산화 가스 또는 질화 가스를 도입하여 플라스마를 발생시키고, 기판에 적층한 유기 금속의 성분을 산화 또는 질화시킨다. 플라스마를 발생시켰을 때, 장치는, 기판 상에서 발광하는 광의 소정의 파장의 발광 강도를, 성막 용기에 설치된 관측창을 통하여 검출한다. 검출한 발발광 강도가 소정값 이하가 될 때, 장치는, 플라스마의 발생을 정지한다.

10. 发明公开

KR1020090117777A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020090117777A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020097018413
申请日：2008-03-26
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 모리야스나리 , 타치바나히로유키 , 미야타케나오마사 , 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32495
摘要： A plasma processing apparatus is provided with a substrate stage whereupon a substrate to be processed is arranged; a plasma generating section for generating plasma by using an antenna array; a gas radiating section having a gas radiating plate which is arranged above the antenna array and has a plurality of gas radiating ports; a first gas supply section, which supplies the first material gas by radiating the gas from some of the gas radiating ports on the gas radiating plate toward the surface of the substrate stage so that the gas passes over the surface of the antenna element; and a second gas supply section, which supplies a second material gas by radiating the gas from other gas radiating ports among the gas radiating ports on the gas radiating plate toward the surface of the substrate stage so that the gas passes through a space between the antenna elements. When the first material gas is exposed to the antenna element, the first material gas does not generate an attaching material or generates a smaller quantity of the attaching material compared with a case where a second material gas is used. Thus, film forming speed can be improved and generation of particles can be suppressed.
摘要翻译：等离子体处理装置设置有基板台，其中布置有待处理的基板; 用于通过使用天线阵列产生等离子体的等离子体产生部分; 气体辐射部分，具有布置在天线阵列上方并具有多个气体辐射口的气体辐射板; 第一气体供给部，其通过从气体辐射板上的一些气体排出口朝向基板台的表面喷射气体来供给第一原料气体，使得气体越过天线元件的表面; 以及第二气体供给部，其通过从气体辐射板的气体喷出口中的其它气体喷出口向基板台的表面喷射气体来供给第二原料气体，使得气体通过天线元素。当第一材料气体暴露于天线元件时，与使用第二材料气体的情况相比，第一材料气体不产生附着材料或产生较少量的附着材料。因此，可以提高成膜速度，并且可以抑制颗粒的产生。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式