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1. 发明公开

KR1020100106614A 원자층 성장 장치 및 원자층 성장 방법 有权
标题翻译：原子沉积装置和原子层沉积法
公开(公告)号：KR1020100106614A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：KR1020107019467
申请日：2009-02-17
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타치바나히로유키
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/452 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , H01J37/32009 , H01L21/3141
摘要： 원자층 성장 장치는, 반응성 가스의 공급 구멍이 형성된 벽에 의하여 둘러싸인 제1 실과, 원료 가스의 공급 구멍이 형성된 벽에 의하여 둘러싸인 제2 실과, 제1 실 내에 설치된, 반응성 가스를 이용하여 플라스마를 생성하기 위한, 막대상(狀)의 복수의 안테나 소자가 평행하게 배설(配設)된 안테나 어레이(array)와, 제2 실 내에 설치된, 기판이 재치(載置)되는 기판 스테이지와, 제1 실로부터 제2 실로, 안테나 어레이에 의하여 생성된 라디칼(radical)을 포함하는 가스를 공급하기 위하여, 제1 실과 제2 실을 접속하는 접속 부재를 구비하고 있다.

2. 发明公开

KR1020110131268A 원자층 퇴적 장치 有权
标题翻译：原子层沉积装置
公开(公告)号：KR1020110131268A
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020117023446
申请日：2010-02-15
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타치바나히로유키 , 무라타카즈토시 , 미야타케나오마사 , 모리야스나리
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4407 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/54
摘要： 기판 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적 장치이고, 제1 내부 공간을 형성하는 제1 용기와, 제1 용기의 내부에 설치되어, 제2 내부 공간을 형성하는 통형상(筒形狀)의 용기이며, 제2 내부 공간 내를 향하여, 기판 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐르는 제1 개구(開口)를 통형상의 일단(一端)에 구비하는 제2 용기와, 원료 가스를, 제1 개구를 통하여 제2 내부 공간으로 공급하는 가스 공급구를 구비하고, 또한, 제2 용기의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기를 누르는 것에 의하여, 제1 내부 공간에 대하여 제2 내부 공간을 격리하는 누름 부재를 가진다.
摘要翻译： 1。一种用于在基板上形成薄膜的原子层沉积设备，包括：限定第一内部空间的第一容器;设置在所述第一容器内部以形成第二内部空间的圆柱形容器; 具有用于形成薄膜的原料气体朝向第二内部空间的内部流动的第一开口（开口）的第二容器以及具有第一开口以及气体供给口，用于通过第二内部空间将气体供给到第二内部空间，并且通过在第二容器的管状的纵向方向上挤压第二容器，有。

3. 发明授权

KR101305298B1 원자층 퇴적 장치 有权
标题翻译：原子层沉积装置
公开(公告)号：KR101305298B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020117023446
申请日：2010-02-15
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타치바나히로유키 , 무라타카즈토시 , 미야타케나오마사 , 모리야스나리
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4407 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/54
摘要： 기판 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적 장치이고, 제1 내부 공간을 형성하는 제1 용기와, 제1 용기의 내부에 설치되어, 제2 내부 공간을 형성하는 통형상(筒形狀)의 용기이며, 제2 내부 공간 내를 향하여, 기판 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐르는 제1 개구(開口)를 통형상의 일단(一端)에 구비하는 제2 용기와, 원료 가스를, 제1 개구를 통하여 제2 내부 공간으로 공급하는 가스 공급구를 구비하고, 또한, 제2 용기의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기를 누르는 것에 의하여, 제1 내부 공간에 대하여 제2 내부 공간을 격리하는 누름 부재를 가진다.

4. 发明授权

KR101111494B1 원자층 성장 장치 및 원자층 성장 방법 有权
标题翻译：原子沉积装置和原子层沉积法
公开(公告)号：KR101111494B1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：KR1020107019467
申请日：2009-02-17
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 타치바나히로유키
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/452 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , H01J37/32009 , H01L21/3141
摘要： 원자층 성장 장치는, 반응성 가스의 공급 구멍이 형성된 벽에 의하여 둘러싸인 제1 실과, 원료 가스의 공급 구멍이 형성된 벽에 의하여 둘러싸인 제2 실과, 제1 실 내에 설치된, 반응성 가스를 이용하여 플라스마를 생성하기 위한, 막대상(狀)의 복수의 안테나 소자가 평행하게 배설(配設)된 안테나 어레이(array)와, 제2 실 내에 설치된, 기판이 재치(載置)되는 기판 스테이지와, 제1 실로부터 제2 실로, 안테나 어레이에 의하여 생성된 라디칼(radical)을 포함하는 가스를 공급하기 위하여, 제1 실과 제2 실을 접속하는 접속 부재를 구비하고 있다.

5. 发明授权

KR101076674B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR101076674B1
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020097018413
申请日：2008-03-26
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 모리야스나리 , 타치바나히로유키 , 미야타케나오마사 , 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32495
摘要： 플라즈마처리장치는, 처리대상기판이배치되는기판스테이지와, 안테나어레이를이용하여플라즈마를생성하는플라즈마생성부와, 상기안테나어레이의상방(上方)에설치된복수의가스방사구를가지는가스방사판을구비하는가스방사부와, 상기가스방사판의복수의가스방사구의일부분으로부터상기기판스테이지의표면으로향하여방사하여상기안테나소자의표면을통하도록, 제1 원료가스를공급하는제1 가스공급부와, 상기가스방사판의복수의가스방사구의다른부분으로부터상기기판스테이지의표면으로향하여방사하여상기안테나소자의간극(間隙)을통하도록, 제2 원료가스를공급하는제2 가스공급부를가진다. 제1 원료가스는, 안테나소자에노출된경우, 부착물이생기지않거나, 또는제2 원료가스보다도부착량이적다. 이것에의하여, 성막(成膜) 속도를향상시키는것과함께, 파티클의발생을억제할수 있다.
摘要翻译：该等离子体处理装置具备：载置被处理基板的基板载置台，使用该天线阵列来生成等离子体的等离子体生成部，以及在该天线阵列的上方具有多个气体放出口的气体放射板第一气体供应部分，用于通过从所述气体辐射板的多个气体辐射工具的一部分朝向所述基板台的表面辐射来通过所述天线元件的表面供应第一源气体; 以及第二气体供给部，其供给第二原料气体，以从气体辐射板的多个气体喷出口的另一部分朝向基板载台的表面照射，以通过天线元件的间隙。当第一原料气体暴露于天线元件时，不形成沉积物，或沉积量小于第二原料气体的沉积量。因此，可以提高沉积速度并且可以抑制颗粒的发生。

6. 发明公开

KR1020090117777A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020090117777A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020097018413
申请日：2008-03-26
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 모리야스나리 , 타치바나히로유키 , 미야타케나오마사 , 타키자와카즈키
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32495
摘要： A plasma processing apparatus is provided with a substrate stage whereupon a substrate to be processed is arranged; a plasma generating section for generating plasma by using an antenna array; a gas radiating section having a gas radiating plate which is arranged above the antenna array and has a plurality of gas radiating ports; a first gas supply section, which supplies the first material gas by radiating the gas from some of the gas radiating ports on the gas radiating plate toward the surface of the substrate stage so that the gas passes over the surface of the antenna element; and a second gas supply section, which supplies a second material gas by radiating the gas from other gas radiating ports among the gas radiating ports on the gas radiating plate toward the surface of the substrate stage so that the gas passes through a space between the antenna elements. When the first material gas is exposed to the antenna element, the first material gas does not generate an attaching material or generates a smaller quantity of the attaching material compared with a case where a second material gas is used. Thus, film forming speed can be improved and generation of particles can be suppressed.
摘要翻译：等离子体处理装置设置有基板台，其中布置有待处理的基板; 用于通过使用天线阵列产生等离子体的等离子体产生部分; 气体辐射部分，具有布置在天线阵列上方并具有多个气体辐射口的气体辐射板; 第一气体供给部，其通过从气体辐射板上的一些气体排出口朝向基板台的表面喷射气体来供给第一原料气体，使得气体越过天线元件的表面; 以及第二气体供给部，其通过从气体辐射板的气体喷出口中的其它气体喷出口向基板台的表面喷射气体来供给第二原料气体，使得气体通过天线元素。当第一材料气体暴露于天线元件时，与使用第二材料气体的情况相比，第一材料气体不产生附着材料或产生较少量的附着材料。因此，可以提高成膜速度，并且可以抑制颗粒的产生。

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