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1. 发明授权

KR101525810B1 전력증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR101525810B1
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020130069422
申请日：2013-06-18
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/19
CPC分类号： H03F3/21 , H03F1/0261 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/411 , H03F2203/7206
摘要： 소비전력을저감하고, 또한스위칭속도를빠르게할 수있는전력증폭기를얻는다. 트랜지스터 Trb1은, 온·오프신호에따라증폭기 Tr1의베이스에바이어스를공급한다. 용량 Cb1이증폭기 Tr1의베이스와접지점사이에접속되어있다. 저항 Rb2가증폭기 Tr1의베이스와접지점사이에있어서용량 Cb1과병렬로접속되어있다. 다이오드 Db1이저항 Rb2와직렬로접속되어있다. 다이오드 Db1의임계전압은증폭기 Tr1의온 전압보다도낮다.

2. 发明公开

KR1020140079713A 전력 증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR1020140079713A
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：KR1020130152739
申请日：2013-12-10
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 하루나타카오 , 사사키요시노부
IPC分类号： H03F3/68 , H03F3/24
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/0277 , H03F3/24 , H03F3/72 , H03F2203/21175 , H03F2203/7221 , H03F2203/7233 , H03F3/68
摘要： The present invention relates to a power amplifier which guarantees an isolation function of two power amplification paths and reduces the circuit loss. First and second amplifiers (A1, A2) are connected in between an input terminal (IN) and an output terminal (OUT). A first contact point (P1) is formed in between the input terminal (IN) and input of the amplifiers (A1, A2). A second contact point (P2) is formed in between the output terminal (OUT) and output of the amplifiers (A1, A2). The second contact point (P2) is a point which an impedance starts to decrease in a path from the input terminal (IN) to the output terminal (OUT) through the two amplifiers (A1, A2). A third amplifier (A3) is connected in parallel with the first and second amplifiers (A1, A2) in between the first and second contact points (P1, P2). A third contact point (P3) is formed in between an output of the third amplifier (A3) and the second contact point (P2). A first capacitor (C1) is connected in between the third contact point (P3) and ground. A switch (SW) is connected in serial to the first capacitor (C1) in between the third contact point (P3) and ground. The switch (SW) is turned off when the third amplifier is turned on, and is turned on when the first and second amplifiers (A1, A2) are turned on.
摘要翻译：本发明涉及一种保证两个功率放大路径的隔离功能并减少电路损耗的功率放大器。第一和第二放大器（A1，A2）连接在输入端（IN）和输出端（OUT）之间。在输入端（IN）和放大器（A1，A2）的输入之间形成第一接触点（P1）。在输出端（OUT）和放大器（A1，A2）的输出之间形成第二接触点（P2）。第二接触点（P2）是通过两个放大器（A1，A2）从输入端子（IN）到输出端子（OUT）的路径中阻抗开始减小的点。在第一和第二接触点（P1，P2）之间，第三放大器（A3）与第一和第二放大器（A1，A2）并联连接。第三接触点（P3）形成在第三放大器（A3）的输出端和第二接触点（P2）之间。第一电容器（C1）连接在第三接触点（P3）和地之间。开关（SW）与第三接触点（P3）和地之间的第一电容器（C1）串联连接。当第三放大器导通时，开关（SW）截止，当第一和第二放大器（A1，A2）导通时，开关（SW）被接通。

3. 发明授权

KR100270760B1 마이크로파 회로 失效
标题翻译：微波电路
公开(公告)号：KR100270760B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019980005011
申请日：1998-02-18
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부 , 나카지마야스하루 , 마루야마타카야
IPC分类号： H01P1/185 , H01P5/08 , H01Q23/00
CPC分类号： H01P1/185
摘要： 페이스 쉬프터로서의 마이크로파 회로100에서, 시스템측의 전원사정으로 페이스양을 바꾸는 스위치 FET 소자의 제어전압이 제한되는 경우라도, 스위치 FET 소자의 게이트 바이어스의 오프레벨이 핀치오프전압에 비해서 깊은 것에 의한 페이스 쉬프터 출력의 상승지연을 억제한다.
외부시스템의 전원전압에 의해 형성된 상기 스위치 FET 소자50a∼50d의 제어전압에 파형 변환처리를 시행하고, 상기 스위치 FET 소자의 게이트 바이어스를 생성하는 바이어스 조정회로101a∼101d를 구비하며, 상기 스위치 FET 소자의 게이트 바이어스의 오프레벨을 그 핀치오프전압에 가까운 수치로 하였다.

4. 发明公开

KR1020140008240A 전력증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR1020140008240A
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020130069422
申请日：2013-06-18
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/19
CPC分类号： H03F3/21 , H03F1/0261 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/411 , H03F2203/7206
摘要： The present invention relates to a power amplifier capable of reducing power consumption and increasing switching speed. A transistor Trb1 supplies a bias to a base of an amplifier Tr1 according to on/off signals. A capacitor Cb1 is connected between the base of the amplifier Tr1 and a contact point. A resistor Rb2 is connected to the capacitor Cb1 in a row in between the base of the amplifier Tr1 and the contact point. A diode Db1 is connected to the resistor Rb2 in series. The critical voltage of the diode Db1 is lower than the voltage of the amplifier Tr1. [Reference numerals] (AA) Bias circuit; (BB) On-off signal
摘要翻译：本发明涉及能够降低功耗并提高切换速度的功率放大器。晶体管Trb1根据开/关信号向放大器Tr1的基极提供偏置。电容器Cb1连接在放大器Tr1的基极和接触点之间。电阻器Rb2在放大器Tr1的基极和接触点之间的一行中连接到电容器Cb1。二极管Db1串联连接到电阻器Rb2。二极管Db1的临界电压低于放大器Tr1的电压。（标号）（AA）偏置电路; （BB）开 - 关信号

5. 发明公开

KR1020130112747A 트랜지스터 有权
标题翻译：晶体管
公开(公告)号：KR1020130112747A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020130030100
申请日：2013-03-21
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부 , 쿠루수히토시
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L27/04 , H01L29/73 , H01L29/812
摘要： 고전압인가에의한파괴를방지할수 있는트랜지스터를얻는다. 반도체기판(1) 위에에미터전극(2), 콜렉터전극(3) 및베이스전극(4)이배치되어있다. 콜렉터전극(3)은에미터전극(2)으로부터이격되어있다. 베이스전극(4)은에미터전극(2)과콜렉터전극(3) 사이에배치되어있다. 에미터전극(2)은부분 2a, 2b를갖는다. 방열판(5)이, 에미터전극(2)의부분 2a에접합되지않고, 부분 2b에접합되어있다.
摘要翻译：目的：提供晶体管，以制备与第一电极的第二部分接合的第一散热板，从而防止被施加的高电压的破坏。构成：在半导体衬底（1）上布置发射电极（2）。集电极（3）和基极（4）配置在半导体基板上。发射电极包括第一部分（2a）和第二部分（2b）。集电极与发射电极间隔开。基极配置在发射电极与集电极之间。散热板（5）连接到发射极的第二部分而不是第二部分。散热板在存在发射电极，集电极和基极的区域的外侧与半导体基板接合。（附图标记）（5）散热板; （AA）访问输入匹配电路; （BB）接地电极; （CC）热量增加量较大的区域; （DD）访问级间匹配电路; （EE）有效晶体管的尺寸

6. 发明公开

KR1020130007456A 전력증폭기 有权
标题翻译：功率放大器
公开(公告)号：KR1020130007456A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020120067791
申请日：2012-06-25
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부 , 야마모토카즈야
IPC分类号： H03F3/68 , H03F3/24 , H04B1/16
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2203/21136 , H03F2203/7233
摘要： PURPOSE: A power amplifier is provided to reduce loss due to parasitic resistance of an inductor and capacitor or parasitic resistance of a switch by suppressing a locus of impedance passing through a low impedance region. CONSTITUTION: Input of an amplification device(Tr1) is connected to an input terminal(IN) via matching circuit(M1). A switch(SW1) and a matching circuit(M2) are connected between output of the amplification device and input of an amplification device(Tr2). A matching circuit(M3a) is connected between output of an amplification device and an output terminal(OUT). One edge of a switch(SW2) is connected to output of an amplification device. The output of an amplification device is connected to an output terminal via a switch and a matching circuit(M3b). An amplification device supplies a collector voltage from a power supply via inductors(L1,L2). An output matching circuit has a matching circuit for high power and a matching circuit for low power.
摘要翻译：目的：通过抑制通过低阻抗区域的阻抗轨迹，提供功率放大器以减少由于电感器和电容器的寄生电阻或开关的寄生电阻引起的损耗。构成：放大装置（Tr1）的输入通过匹配电路（M1）连接到输入端子（IN）。开关（SW1）和匹配电路（M2）连接在放大装置的输出端和放大装置（Tr2）的输入端之间。匹配电路（M3a）连接在放大装置的输出端和输出端（OUT）之间。开关（SW2）的一个边缘连接到放大装置的输出端。放大装置的输出经由开关和匹配电路（M3b）连接到输出端子。放大装置通过电感器（L1，L2）从电源提供集电极电压。输出匹配电路具有用于大功率的匹配电路和用于低功率的匹配电路。

7. 发明公开

KR1019980023927A 반도체 장치 无效
公开(公告)号：KR1019980023927A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970002274
申请日：1997-01-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부 , 마에무라고우세이 , 야마모토가즈야
IPC分类号： H01L27/06
摘要： 기판상에 배치된 복수의 회로사이에서 발생하는 RF 신호누설에 의한 특성의 열화를 방지할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
제어회로2 및 부전압 발생회로4와 LNA1 및 SW3에 끼워진 영역 및 제어회로2 및 부전압 발생회로4 와 HPA5 에 끼워진 영역의 GaAs 기판 10상에 접지금속막6을 배치하였다.

8. 发明授权

KR102249569B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102249569B1
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：KR1020197027537
申请日：2017-03-28
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 사사키요시노부
IPC分类号： H03F1/52 , H01L25/00
摘要： 본발명은, 게이트단자와드레인단자와접지용단자에접속된소스단자를갖는전계효과트랜지스터를형성한제 1 반도체칩과, 직류적으로접속된입력단자와출력단자를갖고, 입력단자와접지용단자에접속된제 1 용량을갖는제 2 반도체칩과, 출력단자와게이트단자의사이에접속된제 1 인덕터와, 입력단자와제 1 단자가접속된제 2 인덕터와, 제 2 인덕터의제 2 단자와접지용단자의사이에접속된제 2 용량과, 캐소드와접지용단자에애노드가접속된적어도 2개이상이순방향으로직렬접속된보호다이오드와, 캐소드와제 2 단자의사이에접속된제 3 인덕터를구비하고적은보호다이오드의직렬단수로 ESD 파괴보호기능을실현하고, 또한전력이득의저하를억제할수 있다.

9. 发明授权

KR101878557B1 증폭기 有权
公开(公告)号：KR101878557B1
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：KR1020160116086
申请日：2016-09-09
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 고사카나오키 , 이마이쇼헤이 , 오카무라아츠시 , 미와신이치 , 초메이겐이치로 , 사사키요시노부 , 호리구치겐이치
IPC分类号： H03F3/60 , H03F3/195 , H03F3/68
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48157 , H01L2224/49052 , H01L2224/49096 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H03F3/16 , H01L2924/20752 , H01L2224/05599
摘要： (과제) 본발명은, 본딩와이어의용단을억제할수 있는증폭기를제공하는것을목적으로한다. (해결수단) 패키지와, 게이트패드와, 가늘고길게형성된드레인패드를갖고, 그패키지의안에마련된트랜지스터칩과, 그드레인패드에접속된복수의드레인본딩와이어를구비하고, 그복수의드레인본딩와이어는, 그드레인패드의한쪽의말단부분에접속된제 1 최외측본딩와이어와, 그드레인패드의다른쪽의말단부분에접속된제 2 최외측본딩와이어와, 그제 1 최외측본딩와이어와그 제 2 최외측본딩와이어의사이에있는중간본딩와이어를갖고, 그복수의드레인본딩와이어는 1㎜보다길고, 그제 1 최외측본딩와이어와그 제 2 최외측본딩와이어의루프높이는그 중간본딩와이어의루프높이보다높다.

10. 发明授权

KR101591689B1 반도체장치 有权
公开(公告)号：KR101591689B1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：KR1020140126555
申请日：2014-09-23
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 호리구치켄이치 , 히로베마사카즈 , 미호사토시 , 사사키요시노부 , 야마모토카즈야
IPC分类号： H03F1/56 , H03K17/693
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/56 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/414 , H03F2200/429 , H03F2200/451
摘要： 본발명은, 소형화에적합한반도체장치를제공하는것을목적으로한다. 복수의주파수대역의 RF 신호를증폭하는전력증폭기(16)와, 상기전력증폭기의출력에접속된출력정합회로(18)와, 일단이상기출력정합회로의출력에접속된제1커패시터(30)와, 복수의출력경로(34)와, 상기제1커패시터의타단에접속되고, 상기 RF 신호를주파수대역에따라상기복수의출력경로중 어느한개로진행시키는스위치(32)와, 상기복수의출력경로의각각에직렬로접속된제2커패시터를갖는복수의제2커패시터(40)를구비하고, 상기제1커패시터와상기복수의제2커패시터의적어도한쪽과, 상기스위치는동일한 MMIC(46)로구성된것을특징으로한다.

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