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1. 发明公开

KR1020150032426A 초접합 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：超级半导体器件
公开(公告)号：KR1020150032426A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020130111894
申请日：2013-09-17
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 조문수 , 최창용 , 권순탁 , 전광연 , 김대병 , 우혁
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/404 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7816 , H01L29/0611 , H01L29/0626 , H01L29/7823
摘要： 본 발명은 초접합 반도체 소자에 관한 것으로, 셀 영역과 정션 터미네이션 영역 사이에 트렌지션 영역을 추가하여 각 영역에서 셀 영역의 단위 셀에서 형성되는 임계 전계에 의한 항복전압의 크기보다 정션 터미네이션 영역에서 단위 셀의 임계 전계로 인한 항복전압의 크기를 높여서 궁극적인 소자에서 형성되는 항복전압이 셀 영역에서 만들어질 수 있도록 함으로써 각 단위셀의 임계 전계를 틀리게 하여 셀 영역외의 다른 셀의 전계를 낮추어 임계 전계에 대한 자신 셀의 마진을 크게 하여 안정적인 항복 전압을 얻을 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及超结半导体器件。对于超结半导体器件：过渡区域插入在单元区域和结端接区域之间; 并且由连接端子区域中的单位电池的临界电场产生的击穿电压的大小被设定为大于由单元区域中的单位电池的临界电场产生的击穿电压的大小。因此，可以在单元区域中产生在理想半导体器件中形成的击穿电压。因此，本发明能够使各单位电池的临界电场彼此不同，并且减小了电池区域外的其他电池的电场，从而增加了相对于临界电场的每个电池单元的余量，从而获得稳定的击穿电压。

2. 发明公开

KR1020150032425A 초접합 반도체 소자 및 제조 방법 有权
标题翻译：超级半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150032425A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020130111887
申请日：2013-09-17
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 전광연 , 최창용 , 우혁 , 조문수 , 권순탁
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/0611 , H01L29/0626 , H01L29/7811 , H01L29/7823
摘要： 본 발명은 초접합 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명은 P형 필라 하단에 N형 물질로 추가 이온 주입하게 되면 공핍층 영역을 작게 만들어 소자 턴-온시 흐르는 드레인 전류의 드레인-소스 저항(Rds/on)을 낮출 수 있으며, 동시에 하단 P형 필라 면적 또는 길이를 다른 부위보다 작게 만들어 더욱 드레인-소스 저항(Rds/on)을 낮출 수 있다. 또한, 증가되는 단위셀의 N형 전하량으로 인해 전하량 균형을 맞추기 위하여 그 영역에서만 필라 이온 주입 양을 높여주며, 이로 인해 하단 P형 농도가 높아져 전계가 다른 부분보다 같이 높아져서 소자 항복전압의 임계 전계가 P형 필라의 하단 부분에서 형성이 되어 가장 안정적인 항복 파형을 얻을 수 있으며 역전류에 대한 소자의 내량도 상당히 증가하게 된다.
摘要翻译：本发明涉及超结半导体器件。如果N型材料另外离子注入到P型柱的底部，则耗尽区的尺寸减小，因此漏极 - 源极电阻（Rds / on）与器件接通时流过的漏极电流有关可以减少同时，P型柱的底部的面积或长度变得小于顶部的面积或长度，因此可以额外减小漏极 - 源极电阻（Rds / on）。由于在单元电池中N型电荷的量增加，所以P型注入的量仅在P型支柱的底部增加以平衡电荷量。因此，P型柱底部的P型浓度增加，与其他区域相比，该区域的电场也增加，因此在底部形成器件击穿电压的临界电场 P型支柱。结果，可以获得最稳定的击穿波形，并且器件相对于反向电流的内部公差显着增加。

3. 发明公开

KR1020160010816A 초접합 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：超级连接半导体器件
公开(公告)号：KR1020160010816A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：KR1020140091152
申请日：2014-07-18
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 우혁 , 김대병 , 최창용 , 강기태 , 전광연 , 조문수 , 권순탁
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/7811 , H01L29/7842
摘要： 본발명은초접합반도체소자에관한것이다. 본발명은터미네이션영역내의모든필라영역을플로팅시키지않도록하면서동시에액티브영역과터미네이션영역의필라영역을서로연결되게구성하고있다. 이에터미네이션영역의길이를길게하지않더라도필라영역들간 발생하는전하보상차이를상쇄할수 있게된다.
摘要翻译：本发明涉及超结半导体器件。终端区域中的所有柱区域不浮动。同时，有源区连接到终端区的柱区域。由此，即使延长终端区域的长度，也可以抵消在柱状区域之间产生的电荷补偿差异。

4. 发明授权

KR101932776B1 초접합 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101932776B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020130111894
申请日：2013-09-17
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 조문수 , 최창용 , 권순탁 , 전광연 , 김대병 , 우혁
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 본 발명은 초접합 반도체 소자에 관한 것으로, 셀 영역과 정션 터미네이션 영역 사이에 트렌지션 영역을 추가하여 각 영역에서 셀 영역의 단위 셀에서 형성되는 임계 전계에 의한 항복전압의 크기보다 정션 터미네이션 영역에서 단위 셀의 임계 전계로 인한 항복전압의 크기를 높여서 궁극적인 소자에서 형성되는 항복전압이 셀 영역에서 만들어질 수 있도록 함으로써 각 단위셀의 임계 전계를 틀리게 하여 셀 영역외의 다른 셀의 전계를 낮추어 임계 전계에 대한 자신 셀의 마진을 크게 하여 안정적인 항복 전압을 얻을 수 있다.

5. 发明授权

KR101795828B1 초접합 반도체 소자 및 제조 방법 有权
标题翻译：超结半导体器件和制造方法
公开(公告)号：KR101795828B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020130111887
申请日：2013-09-17
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 전광연 , 최창용 , 우혁 , 조문수 , 권순탁
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802
摘要： 본발명은초접합반도체소자에관한것이다. 본발명은 P형필라하단에 N형물질로추가이온주입하게되면공핍층영역을작게만들어소자턴-온시흐르는드레인전류의드레인-소스저항(Rds/on)을낮출수 있으며, 동시에하단 P형필라면적또는길이를다른부위보다작게만들어더욱드레인-소스저항(Rds/on)을낮출수 있다. 또한, 증가되는단위셀의 N형전하량으로인해전하량균형을맞추기위하여그 영역에서만필라이온주입양을높여주며, 이로인해하단 P형농도가높아져전계가다른부분보다같이높아져서소자항복전압의임계전계가 P형필라의하단부분에서형성이되어가장안정적인항복파형을얻을수 있으며역전류에대한소자의내량도상당히증가하게된다.
摘要翻译：超结半导体器件技术领域本发明涉及超结半导体器件。本发明还提供了离子注入变得更小的耗尽层区域元件转动到N型材料的P型柱匝的底部流过漏极的漏极时的电流 - 以及减少源极电阻（RDS /上），同时下P型柱创建区域或比其它部分小的长度更漏极 - 源极电阻可被降低（RDS /上）。此外，由于单元电池的n型电荷量增加以匹配的电荷平衡量给出增加的区域通过manpil狮子状态，从而增加了电场的下P型浓度器件击穿电压的临界电场变高为比其他部分在P型柱的下部形成得到最稳定的产率波形和也显著增加了装置的公差为反向电流。

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