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1. 发明公开

KR1020150092891A 금속막 식각액 조성물 审中-实审
标题翻译：蚀刻金属层的溶液组成
公开(公告)号：KR1020150092891A
公开(公告)日：2015-08-17
申请号：KR1020140013487
申请日：2014-02-06
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 양진석 , 김성민 , 김정환
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/30
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/30
摘要： 본 발명은 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 히드록실아민계 화합물, 과산화수소 및 중량평균분자량 2,500 이하의 아민계 고분자를 포함함으로써, low k 유전막의 유전상수 값의 변화나 식각을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 텅스텐계 금속막의 식각은 억제하여 티탄계 금속의 질화물막을 보다 선택적으로 식각할 수 있는, 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种金属层蚀刻溶液组合物，更具体地说，涉及包含羟基胺化合物，过氧化氢和重均分子量等于或小于2500的胺系聚合物的金属层蚀刻液组合物以抑制低k电介质层的介电常数变化和蚀刻以及钨基金属层的蚀刻，以便允许选择性蚀刻钛基金属的氮化物层。

2. 发明公开

KR1020150088350A 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물 审中-实审
标题翻译：用于改善涂层和去除耐腐蚀性能的薄膜组合物
公开(公告)号：KR1020150088350A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140008077
申请日：2014-01-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최철민 , 김정환 , 이경호
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/425 , C11D7/266 , G03F7/0045 , G03F7/0048 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/38
摘要： 본발명은프로필렌글리콜알킬(탄소수 1 내지 10) 에테르아세테이트및 알킬(탄소수 1 내지 10) 알콕시(탄소수 1 내지 10) 프로피오네이트중 적어도하나의화합물과탄소수 1 내지 10의케톤을포함함으로써, 소량의포토레지스트또는 SOH를사용하여도기판전면에포토레지스트가고르게도포될수 있도록함으로써, 포토레지스트의사용량을절감하여공정비용및 생산성을향상시킬수 있으며, 포토레지스트도포후 불필요한포토레지스트의제거성능이우수한신너조성물및 이를사용하는기판처리방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种更薄的组合物，其在施加光致抗蚀剂之后提高了不需要的光致抗蚀剂的去除效率。稀释剂包括：丙二醇烷基（具有1至10个碳原子）醚乙酸酯和具有1-10个碳原子的烷基（具有1-10个碳原子）丙酸酯的至少一种化合物; 和具有1-10个碳原子的酮，即使使用少量的光致抗蚀剂或SOH也可均匀地涂覆在基材的正面上，从而减少光致抗蚀剂的使用量以降低加工成本并提高生产率。

3. 发明公开

KR1020150071790A 질화 금속막 식각액 조성물 审中-实审
标题翻译：用于金属氮化物层的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020150071790A
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130158446
申请日：2013-12-18
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김정환 , 양진석 , 이경호
IPC分类号： C23F1/30
CPC分类号： C09K13/00 , G03F1/80 , H01L2021/26573
摘要： 본발명은질화금속막식각액조성물에관한것으로서, 보다상세하게는, 아미노옥사이드계화합물, 산화제및 물을포함함으로써, 질화금속막만을선택적으로식각할수 있는질화금속막식각액조성물에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及金属氮化物膜的蚀刻液复合物。更具体地，涉及能够仅通过含有氨基氧化物系列化合物，氧化剂和水来选择性地蚀刻金属氮化物膜的金属氮化物膜的蚀刻溶液复合物。

4. 发明公开

KR1020140117888A 사파이어 웨이퍼 세정제 조성물 审中-实审
标题翻译：用于SAPPHIRE WAFER的清洁溶液组合物
公开(公告)号：KR1020140117888A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130032783
申请日：2013-03-27
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김정환 , 최철민 , 이경호
IPC分类号： C11D3/37 , C11D1/40
摘要： The present invention relates to a cleaning solution composition for a sapphire wafer including an acryl-based polymer compound including one kind selected from a group composed of a polymer of a structure unit represented by chemical formula 1 and salts of the same; an amine-based compound; a chilate compound, an alkali agent, and water. The cleaning solution composition of the present invention is effective for removal of particles like alumina, silica, ceria, zirconia, silicon carbide, and boron carbide and organic pollutants on the surface of a sapphire wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种蓝宝石晶片用清洗液组合物，其特征在于，含有丙烯酸系高分子化合物，所述丙烯酸系高分子化合物含有选自由化学式1表示的结构单元的聚合物及其盐构成的组中的一种，胺类化合物; 一种化合物，碱剂和水。本发明的清洗液组合物对于在蓝宝石晶片的表面上除去氧化铝，二氧化硅，二氧化铈，氧化锆，碳化硅和碳化硼等颗粒以及有机污染物是有效的。

5. 发明公开

KR1020140051546A 신너 조성물 无效
标题翻译：薄膜组成
公开(公告)号：KR1020140051546A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120117662
申请日：2012-10-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김정환 , 최철민 , 이경호
IPC分类号： C11D7/50 , G03F7/42 , G03F7/32
摘要： The present invention relates to a thinner composition, and more specifically, to a thinner composition which enables photoresist to be uniformly applied on the front surface of a substrate by containing a mixture solvent including alkoxy alkyl acetate even though the small amount of photoresist and SOH are used, thereby reducing the amount of photoresist and improving process costs and productivity.
摘要翻译：本发明涉及一种较薄的组合物，更具体地说，涉及一种较薄的组合物，即使少量的光致抗蚀剂和SOH均为含有包含烷氧基烷基乙酸酯的混合溶剂，能够使光致抗蚀剂均匀地涂覆在基材的正面上从而减少光致抗蚀剂的量并提高工艺成本和生产率。

6. 发明公开

KR1020130067809A 수성 절삭액 조성물 无效
标题翻译：水溶液流体组合物
公开(公告)号：KR1020130067809A
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110134754
申请日：2011-12-14
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최철민 , 김정환 , 이경호
IPC分类号： C10M169/04 , C10M141/06 , C10M125/14 , C10N40/20
CPC分类号： C10M169/04 , C10M125/14 , C10M141/06 , C10N2040/22 , C10N2240/401
摘要： PURPOSE: An aqueous cutting liquid composition is provided to improve processing accuracy, and to prevent precipitate from being converted into a hard cake. CONSTITUTION: An aqueous cutting liquid composition comprises 1-30 wt% of a dioxolane compound; 9.9-95 wt% of a glycol compound; 0.01-10 wt% of acid; 0.01-10 wt% of base; and residual water. The acid is one or more selected from a group consisting of an aliphatic organic acid, aromatic organic acid, or inorganic acid. An aqueous processing slurry includes abrasive grain and the aqueous cutting liquid composition. By using the aqueous processing slurry, cutting process and/or polishing process is conducted.
摘要翻译：目的：提供一种水性切割液组合物，以提高加工精度，并防止沉淀物转化成硬质饼。构成：水性切削液组合物包含1-30重量％的二氧戊环化合物; 9.9-95重量％的二醇化合物; 0.01-10重量％的酸; 0.01-10重量％的碱; 和残余水。酸是选自脂肪族有机酸，芳香族有机酸，无机酸中的一种以上的酸。水处理浆料包括磨料颗粒和水性切割液组合物。通过使用水处理浆料，进行切割工艺和/或抛光工艺。

7. 发明授权

KR102128374B1 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물 有权
公开(公告)号：KR102128374B1
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：KR1020140008077
申请日：2014-01-23
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최철민 , 김정환 , 이경호
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/004 , G03F7/38 , G03F7/16 , G03F7/039 , C11D7/26 , G03F7/038

8. 发明授权

KR101956388B1 사파이어 웨이퍼 세정제 조성물 有权
公开(公告)号：KR101956388B1
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：KR1020130032783
申请日：2013-03-27
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김정환 , 최철민 , 이경호
IPC分类号： C11D11/00 , C11D3/37 , C11D3/30 , C11D3/00 , C11D3/16 , H01L33/00

9. 发明公开

KR1020150111594A 레지스트 박리액 조성물 审中-实审
标题翻译：耐腐蚀组合物
公开(公告)号：KR1020150111594A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140035078
申请日：2014-03-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김정환 , 양진석 , 이경호
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/0395 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/02071 , H01L21/31133
摘要： 본발명은레지스트박리액조성물에관한것으로, 보다상세하게는아민옥사이드화합물, 1,8-디아자바이사이클로운데크-7-엔, 탄소수 1 내지 20의알칸올아민및 함황유기용제를포함함으로써, 일반포토레지스트뿐만아니라플라즈마가스또는이온에의해변질된변성포토레지스트에대해서도우수한제거력을가지면서, 하부금속배선및 실리콘에대한부식은최소화할수 있는레지스트박리액조성물에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种抗蚀剂剥离溶液组合物，更具体地说，涉及一种抗蚀剂剥离溶液组合物，其包含氧化胺化合物，1,8-二氮杂双环十一碳-7-烯，碳数为1至20的链烷醇胺，含有有机溶剂，因此相对于通过等离子体气体或离子转化的转化的光致抗蚀剂以及一般的光致抗蚀剂具有优异的去除力，并且能够使相对于下部金属线和硅的腐蚀最小化。

10. 发明公开

KR1020150017154A 반도체 웨이퍼 세정용 조성물 审中-实审
标题翻译：用于清洁半导体晶片的组合物
公开(公告)号：KR1020150017154A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130093082
申请日：2013-08-06
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최철민 , 김정환 , 김성민
IPC分类号： C11D1/34 , C11D3/00 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 세정용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 4급 암모늄 히드록시드; 화학식 1로 표시되는 음이온 계면활성제; 및 유기산, 무기산 또는 이들의 염을 포함함으로써, 세정 효과가 현저히 개선됨에 따라 장치의 수율 및 소자 특성이 우수한 반도체 디바이스를 제조할 수 있도록 하는 반도체 웨이퍼 세정용 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于洗涤半导体晶片的组合物，更具体地说，涉及一种包含氢氧化季铵的半导体晶片的洗涤用组合物，由化学式1表示的负离子表面活性剂; 有机酸和无机酸或其盐，从而提高洗涤效果，从而以高产率和良好的元素性质制造半导体器件。

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