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1. 发明授权

KR100895035B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：KR100895035B1
公开(公告)日：2009-05-04
申请号：KR1020047021052
申请日：2003-06-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이토노리히로 , 가와구치히로아키 , 초우노야스히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 기판 처리 장치에 설치되는 증기 발생기(40')는 PTFE와 PFA의 혼합물로 이루어지는 중공 원통형 부재(302)와, 이 원통형 부재(302)의 양단에 접속된 1쌍의 측벽판(303)을 갖는 탱크(301)를 갖추고 있다. 측벽판(303)은 알루미늄 합금으로 이루어지며, 그 내면에 PFA 피복이 실시되어 있다. 탱크(301)의 주위는 탱크 내압에 기인하는 탱크의 변형을 방지하기 위한 알루미늄 합금제의 셸(305)에 의해 덮여 있다. 셸(305)의 판형 부재(307)의 외면에는 히터(308)가 부착되어 있다. 셸(305)은 탱크(301)를 구속하여, 원통형 부재(302)와 측벽판(303) 사이의 탄성 시일(304)을 눌러 찌그러뜨려, 원통형 부재(302)와 측벽판(303)을 밀봉 결합시킨다.

2. 发明授权

KR100910602B1 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理系统和基板处理方法
公开(公告)号：KR100910602B1
公开(公告)日：2009-08-03
申请号：KR1020030041924
申请日：2003-06-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 초우노야스히로 , 이토노리히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67253 , G03F7/423 , H01L21/67017
摘要： 기판 처리 시스템은 산소 함유 가스 중에서 방전함으로써 오존 함유 가스를 발생시키는 오존 가스 발생기와, 기판을 각각 수납하여 그곳에 공급되는 오존 함유 가스에 의해 기판을 처리하는 복수의 챔버를 구비하고 있다. 유량 조정기는 오존 발생기에 공급되는 산소 함유 가스의 유량을 제어한다. 컨트롤러는 오존 가스 발생기에 공급되는 산소 함유 가스의 유량을 조정함으로써, 하나 또는 복수의 챔버에 오존 가스 발생기로부터 공급되는 오존 함유 가스의 유량을 제어한다.

3. 发明授权

KR100992803B1 기판 처리 용기 失效
标题翻译：基板加工容器
公开(公告)号：KR100992803B1
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020057001397
申请日：2003-07-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 초우노야스히로 , 이토노리히로
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/68728 , H01L21/68742
摘要： 기판 처리 용기는 용기 본체(100)와, 용기 본체(100)에 밀봉하여 걸어 맞춰지는 덮개(130)를 갖는다. 용기 본체(100)에는 복수의 기판 지지 로드(102)가 부착되어 있고, 기판 지지 로드(102)는 축부(103)와, 축부(103) 상단에 설치된 대직경의 헤드부(104)를 갖는다. 축부(103)는 용기 본체(100)를 관통하여 상하 방향으로 연장되어 있다. 기판 지지 로드(102)가 하강 위치에 있는 경우에, 헤드부(104)는 축부(103)가 통과된 구멍(108)의 입구를 기밀하게 폐색한다. 기판 지지 로드(102)가 상승 위치에 있는 경우, 용기 본체(100)의 상면과 기판 지지 로드(102)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W) 사이에 웨이퍼 반송 아암(14a)의 진입을 허용하는 큰 간극이 형성된다. 이 구성에 의해 기판 처리 용기내의 처리 공간의 상하 방향 두께를 매우 작게 할 수 있고, 처리 유체의 사용량의 삭감 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020050013618A 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR1020050013618A
公开(公告)日：2005-02-04
申请号：KR1020047021052
申请日：2003-06-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이토노리히로 , 가와구치히로아키 , 초우노야스히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 기판 처리 장치에 설치되는 증기 발생기(40')는 PTFE와 PFA의 혼합물로 이루어지는 중공 원통형 부재(302)와, 이 원통형 부재(302)의 양단에 접속된 1쌍의 측벽판(303)을 갖는 탱크(301)를 갖추고 있다. 측벽판(303)은 알루미늄 합금으로 이루어지며, 그 내면에 PFA 피복이 실시되어 있다. 탱크(301)의 주위는 탱크 내압에 기인하는 탱크의 변형을 방지하기 위한 알루미늄 합금제의 셸(305)에 의해 덮여 있다. 셸(305)의 판형 부재(307)의 외면에는 히터(308)가 부착되어 있다. 셸(305)은 탱크(301)를 구속하여, 원통형 부재(302)와 측벽판(303) 사이의 탄성 시일(304)을 눌러 찌그러뜨려, 원통형 부재(302)와 측벽판(303)을 밀봉 결합시킨다.

5. 发明授权

KR101019456B1 처리 시스템, 처리액 공급 방법 및 처리액 공급 프로그램을기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 有权
标题翻译：处理系统，处理液体供应方法和具有处理液体供应计划的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101019456B1
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020060090543
申请日：2006-09-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 야마모토슈 , 초우노야스히로 , 토쿠노요시치카
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B01F3/08 , B01F15/0022 , B01F15/0408 , B01F2215/0096 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67253
摘要： 본 발명은 복수의 원액 공급원으로부터 공급되는 원액을 조합조에서 조합함으로써, 소정 농도의 처리액을 생성하고, 이 처리액을 공급조에 저류하며, 이 공급조로부터 처리액 토출구에 처리액을 공급하는 처리 시스템에 있어서, 공급조 내의 처리액에 농도 변화가 생겼는지 여부를 판단하고, 공급조 내의 처리액에 농도 변화가 생겼다고 판단한 경우에, 조합조로부터 공급조에 처리액을 보충하거나 혹은 원액 공급원으로부터 공급조에 원액을 직접 보충하거나 하여, 처리액의 농도를 유지하는 것을 목적으로 한다.

6. 发明公开

KR1020070040296A 처리 시스템, 처리액 공급 방법 및 처리액 공급 프로그램을기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 有权
标题翻译：处理系统，处理液体供应方法和具有处理液体供应计划的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020070040296A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020060090543
申请日：2006-09-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 야마모토슈 , 초우노야스히로 , 토쿠노요시치카
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B01F3/08 , B01F15/0022 , B01F15/0408 , B01F2215/0096 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67253
摘要： 본 발명은 복수의 원액 공급원으로부터 공급되는 원액을 조합조에서 조합함으로써, 소정 농도의 처리액을 생성하고, 이 처리액을 공급조에 저류하며, 이 공급조로부터 처리액 토출구에 처리액을 공급하는 처리 시스템에 있어서, 공급조 내의 처리액에 농도 변화가 생겼는지 여부를 판단하고, 공급조 내의 처리액에 농도 변화가 생겼다고 판단한 경우에, 조합조로부터 공급조에 처리액을 보충하거나 혹은 원액 공급원으로부터 원액을 직접 보충하거나 하여, 처리액의 농도를 유지하는 것을 목적으로 한다.

7. 发明公开

KR1020050019928A 기판 처리 용기 失效
标题翻译：基板加工容器
公开(公告)号：KR1020050019928A
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：KR1020057001397
申请日：2003-07-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 초우노야스히로 , 이토노리히로
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/68728 , H01L21/68742
摘要： 기판 처리 용기는 용기 본체(100)와, 용기 본체(100)에 밀봉하여 걸어 맞춰지는 덮개(130)를 갖는다. 용기 본체(100)에는 복수의 기판 지지 로드(102)가 부착되어 있고, 기판 지지 로드(102)는 축부(103)와, 축부(103) 상단에 설치된 대직경의 헤드부(104)를 갖는다. 축부(103)는 용기 본체(100)를 관통하여 상하 방향으로 연장되어 있다. 기판 지지 로드(102)가 하강 위치에 있는 경우에, 헤드부(104)는 축부(103)가 통과된 구멍(108)의 입구를 기밀하게 폐색한다. 기판 지지 로드(102)가 상승 위치에 있는 경우, 용기 본체(100)의 상면과 기판 지지 로드(102)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W) 사이에 웨이퍼 반송 아암(14a)의 진입을 허용하는 큰 간극이 형성된다. 이 구성에 의해 기판 처리 용기내의 처리 공간의 상하 방향 두께를 매우 작게 할 수 있고, 처리 유체의 사용량의 삭감 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020040002743A 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：用于处理基板的系统和方法
公开(公告)号：KR1020040002743A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：KR1020030041924
申请日：2003-06-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 초우노야스히로 , 이토노리히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67253 , G03F7/423 , H01L21/67017
摘要： PURPOSE: To provide a system and method for treating substrates by which a stable flow rate of ozone gas having a stable ozone concentration can be generated even if ozone gas is fed to a plurality of chambers. CONSTITUTION: This system for treating substrates comprises an ozone gas generator 42 for generating ozone gas by discharging in oxygen-containing gas, and a plurality of chambers 30A, 30B for separately housing substrates W. Ozone gas is fed into the chambers 30A, 30B to separately treat the substrate W. Further, the system has gas flow rate regulators 188, 191 for regulating the flow rate of the oxygen-containing gas fed to the ozone gas generator 42, and a controller 201 for controlling the gas flow rate regulators 188, 191. The total flow rate of the ozone gas fed to the plurality of the chambers 30A, 30B is controlled by controlling the flow rate of the oxygen-containing gas by the controller 201.
摘要翻译：目的：提供一种用于处理底物的系统和方法，其中即使将臭氧气体输送到多个室，也可以产生具有稳定的臭氧浓度的臭氧气体的稳定流速。构成：用于处理基板的系统包括用于通过在含氧气体中排放产生臭氧气体的臭氧气体发生器42和用于单独容纳基板W的多个室30A，30B。臭氧气体被供给到室30A，30B至此外，该系统具有用于调节供给到臭氧气体发生器42的含氧气体的流量的气体流量调节器188,191和用于控制气体流量调节器188的控制器201，通过控制器201控制含氧气体的流量来控制供给到多个室30A，30B的臭氧气体的总流量。

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