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    • 1. 发明公开
    • 열처리 시스템, 열처리 방법 및 프로그램
    • 热处理系统,热处理方法和程序
    • KR1020160103528A
    • 2016-09-01
    • KR1020160020712
    • 2016-02-22
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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    • H01L21/324H01L21/67H01L21/02H01L21/16
    • C23C16/52C23C16/45578C23C16/4583C23C16/46G05B15/02H01L21/67109
    • 본발명은피처리체의면내형상을제어할수 있는열처리시스템, 열처리방법및 프로그램을제공하는것을과제로한다. 열처리장치(1)는, 복수매의반도체웨이퍼(W)를수용하는반응관(2) 내를가열하는히터부(10)와, 열처리내용에따른열처리조건을기억하는열처리조건기억수단과, 반응관(2) 내의온도의변화와, 열처리결과의변화의관계를나타내는열처리변화모델을기억하는열처리변화모델기억수단과, 열처리조건에서의열처리결과를실행하는열처리실행수단과, 실행된열처리결과를수신하는열처리결과수신수단과, 목표로하는열처리결과와, 목표로하는열처리결과의형상에관한정보에기초하여, 반도체웨이퍼(W)의면내형상에관한목표로하는열처리결과를산출하고, 산출한면내형상에관한목표로하는열처리결과와, 열처리변화모델에기초하여, 목표로하는열처리결과가되는최적온도를산출하는최적온도산출수단을구비한다.
    • 本发明涉及热处理系统,热处理方法和控制处理对象的平面形状的程序。 热处理系统(1)包括:加热单元(10),其加热容纳多个半导体晶片(W)的反应管(2)的内部; 热处理条件存储装置,其存储根据热处理的热处理条件; 存储表示反应管(2)内的相对温度变化的热处理变化模型和热处理结果的变化的热处理变化模型存储单元; 在热处理条件下进行热处理的热处理执行装置; 接收所执行的热处理结果的热处理结果接收装置; 以及根据目标热处理结果的形状来计算关于半导体晶片(W)的面内形状的目标热处理结果的最佳温度计算单元,并计算关于所计算的热处理结果的目标热处理结果 平面形状和最佳温度,这是热处理变化模型的基础上的目标热处理结果。