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1. 发明授权

KR100702371B1 토출 노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 有权
标题翻译：放电喷涂方法的积极光电组合物和耐蚀图案的形成方法
公开(公告)号：KR100702371B1
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020040078514
申请日：2004-10-02
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 모리오기미타카 , 아오키도모사부로 , 가토데츠야 , 나카지마데츠야
IPC分类号： G03F7/023
摘要： 토출 노즐식에 의한 레지스트 도포법에 적합하게 사용할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 조성물이 제공된다. 이 조성물은, 토출 노즐과 기판을 상대적으로 이동시킴으로써 기판의 도포면 전체에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정을 갖는 토출 노즐식 도포법에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물이고, (A) 알칼리 가용성 노볼락 수지, (B) 분자량이 1000 이하인 페놀성 수산기 함유 화합물, (C) 나프토퀴논디아지드기 함유 화합물, 및 (D) 유기용제를 함유하여 이루어지며, 상기 (D) 유기용제가 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 함유한다.
(Ⅰ)
포지티브형 포토레지스트 조성물

2. 发明公开

KR1020050058956A 레지스트 패턴의 형성방법, 이것을 사용한 미세 패턴의형성방법 및 액정 표시소자의 제조방법 有权
标题翻译：电阻图案形成方法，使用其的精细图案形成方法和液晶显示元件制造方法
公开(公告)号：KR1020050058956A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020040102204
申请日：2004-12-07
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 모리오기미타카
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/36 , H01L27/1288
摘要： (A) 기체 (10) 상에 포토레지스트 피막을 형성하는 공정, (B) 선택적 노광을 포함하는 포토리소그래피 공정을 거쳐, 상기 포토레지스트 피막을, 후육부 r1 과 박육부 r2 를 갖는 패턴형상으로 패터닝하는 공정 및, (C) 상기 패터닝을 실시한 후, UV 큐어 처리를 실시하여 후육부 r1 과 박육부 r2 를 갖는 단상 레지스트 패턴 R 을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
摘要翻译：要解决的问题：形成具有优异的蚀刻耐久性和耐热性的阶梯状抗蚀剂图案。＆lt; P＆gt;解决方案：形成抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：（A）在基板10上形成光致抗蚀剂膜; （B）通过包括选择性曝光的光刻工艺将光致抗蚀剂膜图案化成具有厚部分r1和薄部分r2的图案; 和（C）在图案化之后用紫外线固化抗蚀剂以形成具有厚部分r1和薄部分r2的阶梯状抗蚀剂图案R. 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

3. 发明公开

KR1020150053712A 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고 메탈층으로 이루어지는 패턴의 형성 방법 및 관통 전극의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：正极性组合物，形成耐蚀图案的方法，形成包含金属层的图案的方法和通过电极生产的方法
公开(公告)号：KR1020150053712A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：KR1020140153672
申请日：2014-11-06
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 다카하시가즈키 , 모리오기미타카 , 히키다지로
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/0392 , G03F7/2041
摘要： (과제) 포스트베이크에의한형상불량을잘 발생시키지않는포지티브형레지스트조성물의제공. (해결수단) p-크레졸반복단위 (a1) 과 m-크레졸반복단위 (a2) 를주성분으로하는노볼락수지를함유하는알칼리가용성수지성분 (A) 와, 페놀화합물성분 (B) 와, 감광성성분 (C) 를함유하는포지티브형레지스트조성물로서, 상기노볼락수지는, 상기반복단위 (a1) 과상기반복단위 (a2) 의혼합비율 (몰비) 이반복단위 (a1)/반복단위 (a2) = 6/4 ∼ 9/1 인노볼락수지 (A1) 과, 반복단위 (a1)/반복단위 (a2) = 1/9 ∼ 4/6 인노볼락수지 (A2) 를함유하는것을특징으로하는포지티브형레지스트조성물.
摘要翻译：在本发明中，提供一种正型抗蚀剂组合物，其不易产生由后烘烤引起的形状的缺陷，其包含（A）具有酚醛清漆树脂的碱溶性树脂（a1）对 - 甲酚重复单元和（a2）间甲酚重复单元为主要成分; （B）酚化合物; 和（C）其中所述酚醛清漆树脂包含（A1）重复单元（a1）与（a2）重复单元的混合摩尔比在6至4和9比1之间的酚醛清漆树脂的感光组分; 和（A2）重复单元（a1）与（a2）重复单元的混合摩尔比为1〜9〜4〜6的酚醛清漆树脂。

4. 发明授权

KR100758865B1 레지스트 패턴의 형성 방법 및 이것을 사용한 미세 패턴의형성 방법 및 액정 표시 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：形成电阻图案的方法，使用其的精细图案的方法以及用于生产液晶显示元件的方法
公开(公告)号：KR100758865B1
公开(公告)日：2007-09-14
申请号：KR1020050066128
申请日：2005-07-21
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 모리오기미타카
IPC分类号： G02F1/136
摘要： (과제) 내에칭성 및 내열성이 우수한 계단형상 레지스트 패턴을 형성할 수 있도록 한다.
(해결수단) (A) 기체 (10) 상에 포토레지스트 피막을 형성하는 공정, 및 (B) 선택적 노광을 포함하는 포토리소그래피 공정을 거쳐 상기 포토레지스트 피막을 두꺼운 부분 (r1) 와 얇은 부분 (r2) 를 갖는 계단형상 레지스트 패턴 (R) 의 형상으로 패터닝하는 공정을 갖는 레지스트 패턴의 형성 방법으로서, (a) 겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량 (Mw) 이 8000 을 초과하는 알칼리 가용성 노볼락 수지, (b) 나프토퀴논디아지드기 함유 화합물, 및 (d) 유기 용제를 함유하여 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하여 상기 포토레지스트 피막을 형성하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
레지스트 패턴, 미세 패턴, 액정 표시 소자의 제조 방법

5. 发明授权

KR102253191B1 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고 메탈층으로 이루어지는 패턴의 형성 방법 및 관통 전극의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102253191B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020140153672
申请日：2014-11-06
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 다카하시가즈키 , 모리오기미타카 , 히키다지로
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/023 , G03F7/004 , G03F7/20
摘要： (과제) 포스트베이크에의한형상불량을잘 발생시키지않는포지티브형레지스트조성물의제공. (해결수단) p-크레졸반복단위 (a1) 과 m-크레졸반복단위 (a2) 를주성분으로하는노볼락수지를함유하는알칼리가용성수지성분 (A) 와, 페놀화합물성분 (B) 와, 감광성성분 (C) 를함유하는포지티브형레지스트조성물로서, 상기노볼락수지는, 상기반복단위 (a1) 과상기반복단위 (a2) 의혼합비율 (몰비) 이반복단위 (a1)/반복단위 (a2) = 6/4 ∼ 9/1 인노볼락수지 (A1) 과, 반복단위 (a1)/반복단위 (a2) = 1/9 ∼ 4/6 인노볼락수지 (A2) 를함유하는것을특징으로하는포지티브형레지스트조성물.

6. 发明公开

KR1020060043817A 논스핀 도포방식용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 有权
标题翻译：无旋涂法的积极光电组合物和耐蚀图案的形成方法
公开(公告)号：KR1020060043817A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020050020013
申请日：2005-03-10
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 아오키도모사부로 , 모리오기미타카 , 가토데츠야
IPC分类号： G03F7/022
摘要： 논스핀 도포방식에 바람직하게 사용할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 조성물이 제공된다. 이 조성물은 토출노즐과 기판을 상대적으로 이동시킴으로써 기판의 도포면 전체에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정을 갖는 논스핀 도포방식에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물로서, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 나프토퀴논디아지드에스테르화물 및, (D) 유기용제를 함유하여 이루어지고 해당 조성물의 점도가 1 ~ 10cp 이다.
포지티브형 포토레지스트 조성물

7. 发明授权

KR100816319B1 레지스트 희석 시스템 有权
标题翻译：耐腐蚀系统
公开(公告)号：KR100816319B1
公开(公告)日：2008-03-24
申请号：KR1020060098803
申请日：2006-10-11
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 모리오기미타카 , 하세가와도루 , 무로부시에이지
IPC分类号： H01L21/027
摘要： (과제) 본 발명에서는 고점도 레지스트 등의 건조되기 쉬운 액체가 흐르는 배관을 갖는 레지스트 희석 시스템을 제공한다.
(해결 수단) 고점도 레지스트용 배관 (3a) 과 희석 용제용 배관 (3b) 및 1 개의 유출부 (3e) 를 갖는 배관 (3) 과, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 으로부터 유입되고, 유출부 (3e) 로부터 유출된 고점도 레지스트와, 희석 용제용 배관 (3b) 으로부터 유입되고, 유출부 (3e) 로부터 유출된 희석 용제를 혼합시키는 조제 탱크 (2) 를 구비하는 레지스트 희석 시스템 (1) 을 사용함으로써, 사용시에, 희석 용제가 항상 배관의 표면에 잔류하고 있는 고점도 레지스트를 씻어낼 수 있다.
레지스트 희석 시스템

8. 发明授权

KR100685200B1 논스핀 도포방식용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 有权
标题翻译：无旋涂法的积极光电组合物和耐蚀图案的形成方法
公开(公告)号：KR100685200B1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050020013
申请日：2005-03-10
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 아오키도모사부로 , 모리오기미타카 , 가토데츠야
IPC分类号： G03F7/022
摘要： 논스핀 도포방식에 바람직하게 사용할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 조성물이 제공된다. 이 조성물은 토출노즐과 기판을 상대적으로 이동시킴으로써 기판의 도포면 전체에 포지티브형 포토레지스트 조성물을 도포하는 공정을 갖는 논스핀 도포방식에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물로서, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 나프토퀴논디아지드에스테르화물 및, (D) 유기용제를 함유하여 이루어지고 해당 조성물의 점도가 1 ~ 10cp 이다.
포지티브형 포토레지스트 조성물

9. 发明公开

KR1020060053968A 레지스트 패턴의 형성 방법 및 이것을 사용한 미세 패턴의형성 방법 및 액정 표시 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：形成电阻图案的方法，使用其的精细图案的方法以及用于生产液晶显示元件的方法
公开(公告)号：KR1020060053968A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020050066128
申请日：2005-07-21
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 모리오기미타카
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G03F7/0236 , G03F7/0392 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L27/1262
摘要： (과제) 내에칭성 및 내열성이 우수한 계단형상 레지스트 패턴을 형성할 수 있도록 한다.
(해결수단) (A) 기체 (10) 상에 포토레지스트 피막을 형성하는 공정, 및 (B) 선택적 노광을 포함하는 포토리소그래피 공정을 거쳐 상기 포토레지스트 피막을 두꺼운 부분 (r1) 와 얇은 부분 (r2) 를 갖는 계단형상 레지스트 패턴 (R) 의 형상으로 패터닝하는 공정을 갖는 레지스트 패턴의 형성 방법으로서, (a) 겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량 (Mw) 이 8000 을 초과하는 알칼리 가용성 노볼락 수지, (b) 나프토퀴논디아지드기 함유 화합물, 및 (d) 유기 용제를 함유하여 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하여 상기 포토레지스트 피막을 형성하는 레지스트 패턴의 형성 방법.
레지스트 패턴, 미세 패턴, 액정 표시 소자의 제조 방법
摘要翻译：一种形成抗蚀剂图案的方法包括（A）在基底上形成光致抗蚀剂膜，（B）在通过包括选择性曝光的光刻步骤之后，将光致抗蚀剂膜图案化成具有厚部分和薄部分的图案形式，其中使用正型抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，其包含（a）通过凝胶渗透色谱法测定的聚苯乙烯换算重均分子量大于8000的碱溶性酚醛清漆树脂，（b）含有萘醌二叠氮基的化合物和（d）有机溶剂。

10. 发明公开

KR1020070053100A 레지스트 희석 시스템 有权
标题翻译：耐腐蚀系统
公开(公告)号：KR1020070053100A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060098803
申请日：2006-10-11
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 모리오기미타카 , 하세가와도루 , 무로부시에이지
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/26 , G03F7/00 , G03F7/16
摘要： (과제) 본 발명에서는 고점도 레지스트 등의 건조되기 쉬운 액체가 흐르는 배관을 갖는 레지스트 희석 시스템을 제공한다.
(해결 수단) 고점도 레지스트용 배관 (3a) 과 희석 용제용 배관 (3b) 및 1 개의 유출부 (3e) 를 갖는 배관 (3) 과, 고점도 레지스트용 배관 (3a) 으로부터 유입되고, 유출부 (3e) 로부터 유출된 고점도 레지스트와, 희석 용제용 배관 (3b) 으로부터 유입되고, 유출부 (3e) 로부터 유출된 희석 용제를 혼합시키는 조제 탱크 (2) 를 구비하는 레지스트 희석 시스템 (1) 을 사용함으로써, 사용시에, 희석 용제가 항상 배관의 표면에 잔류하고 있는 고점도 레지스트를 씻어낼 수 있다.
레지스트 희석 시스템

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