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热词
    • 3. 发明公开
    • 연마 패드 및 연마 장치
    • 磨砂垫和磨损装置
    • KR1020080091796A
    • 2008-10-14
    • KR1020087019191
    • 2007-01-29
    • 도레이 카부시키가이샤
    • 시로,구니야스혼다,도모유끼하나모또,미유끼
    • H01L21/304
    • B24B37/205
    • An abrasive pad used for forming a flat surface on a glass, a semiconductor, a dielectric/metal complex, an integrated circuit, or the like, in which a scratch is hard to occur on the surface of a substrate, the abrasion state can be optically measured well during abrasion, and whether uniform abrasion is achieved over the entire surface of a material abraded or not can be checked. An abrasion device is also provided. The abrasive pad is provided with a through hole interconnecting the abrasion side and the back side at a position passing the center of a wafer during abrasion. End of the through hole close to the center of the abrasive pad is located at a distance of 35% or more of the radius from the center of the abrasive pad, the length of the through hole in the direction to the center of the abrasive pad is not longer than the length in the direction perpendicular to the center of the abrasive pad, the length of the through hole in the direction to the center of the abrasive pad is equal to 10% of the radius or less, and the length in the direction perpendicular to the center of the abrasive pad is equal to 12.5% of the radius or less.
    • 用于在玻璃上形成平坦表面的研磨垫,半导体,电介质/金属复合体,集成电路等,其中在基板的表面上难以发生划痕,磨损状态可以是 在磨损期间光学测量良好,并且可以检查在磨损的材料的整个表面上是否均匀磨损。 还提供磨损装置。 研磨垫具有在磨损期间通过晶片中心的位置处将磨损侧和后侧互连的通孔。 靠近研磨垫的中心的通孔的端部位于距研磨垫的中心半径的35%以上的距离处,通孔沿研磨垫中心的方向的长度 不超过与研磨垫中心垂直的方向的长度,通孔沿研磨垫中心方向的长度等于半径的10%或更小, 与研磨垫的中心垂直的方向等于半径的12.5%或更小。
    • 5. 发明授权
    • 연마 패드 및 연마 장치
    • 抛光垫和抛光装置
    • KR100628854B1
    • 2006-09-27
    • KR1020017005781
    • 1999-11-05
    • 도레이 카부시키가이샤
    • 시로,구니야스미나미구찌,히사시오까,데쯔오
    • H01L21/304
    • 본원 발명은 마이크로 고무 A 경도가 80도 이상인 연마층과 체적 탄성률이 40 MPa 이상이고, 동시에 인장 탄성률이 0.1 MPa 이상 20 MPa 이하인 완충층을 갖는 것을 특징으로 하는 연마 패드, 및 반도체 기판을 연마 헤드에 고정하고, 연마 정반에 상기 연마 패드를 연마층이 반도체 기판에 대향되도록 고정하고, 상기 연마 헤드 또는 연마 정반, 또는 모두를 회전시켜 상기 반도체 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 장치에 관한 것이다.
      본원 발명에 의해 반도체 기판 상에 형성된 절연층 또는 금속 배선 표면을 연마에 의해 평활화하는 기계적인 평탄화 공정에서 사용하기 위한 연마 장치 또는 연마 패드에 있어서, 반도체 기판 전면이 균일하게 평탄화되고, 또한 웨이퍼 엣지 가까이까지 균일한 연마를 달성할 수 있으며, 또한 정반 회전 속도가 높은 조건에서 균일성과 평탄성의 양립을 꾀하는 기술을 제공할 수 있다.
      연마 패드, 연마 장치, 균일성, 평탄성
    • 7. 发明授权
    • 연마 패드 및 연마 장치
    • 磨砂垫和磨损装置
    • KR101294863B1
    • 2013-08-08
    • KR1020087019191
    • 2007-01-29
    • 도레이 카부시키가이샤
    • 시로,구니야스혼다,도모유끼하나모또,미유끼
    • H01L21/304
    • B24B37/205
    • 본 발명은 유리, 반도체, 유전/금속 복합체 및 집적 회로 등에 평탄면을 형성하는 데 사용되는 연마용 패드에 있어서, 기판 표면에 스크래치가 생기기 어렵고, 연마 중에 연마 상태를 광학적으로 양호하게 측정할 수 있음과 동시에 피연마재 전체면이 균일하게 연마되었는지 여부를 측정할 수 있는 연마 패드 및 연마 장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 다음과 같은 수단을 채용하는 것이다. 즉, 본 발명의 연마 패드는, 연마면과 이면을 연통하는 관통 구멍이 연마 중에 웨이퍼 중심을 통과하는 위치에 설치되고, 상기 관통 구멍의 연마 패드 중심에 가까운 단부가 연마 패드의 중심으로부터 반경의 35 % 이상의 거리에 있으며, 상기 관통 구멍의 연마 패드 중심으로의 방향의 길이가 연마 패드 중심으로의 방향에 수직인 방향의 길이보다 동일하거나 또는 짧고, 상기 관통 구멍의 연마 패드 중심으로의 방향의 길이가 반경의 10 % 이하이고, 연마 패드 중심으로의 방향에 수직인 방향의 길이가 반경의 12.5 % 이하인 것을 특징으로 하는 연마 패드이다.
      연마 패드, 연마 장치, 관통 구멍, CMP, 반도체, 웨이퍼
    • 9. 发明公开
    • 연마 패드, 정반 홀 커버 및 연마장치 및 연마방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
    • 抛光垫,抛光板孔盖,抛光装置,抛光方法和制造半导体器件的方法
    • KR1020050059123A
    • 2005-06-17
    • KR1020057003272
    • 2003-08-26
    • 도레이 카부시키가이샤
    • 시로,구니야스고바야시,쯔또무하시사까,가즈히꼬
    • H01L21/304
    • B24B37/205
    • A windowed polishing pad used for forming a flat surface on a glass, a semiconductor, a dielectric/metal composite, an integrated circuit and so on, wherein less scratches are given to the surface of a substrate and the polishing condition can be optically measured well during the polishing. The polishing pad has a polishing layer and a transparent window member for the optical measurement of the polishing condition, which is provided in an opening formed in a part of the polishing layer. The indentation of the transparent window member when a certain load is applied to almost entire upper surface of the window member is larger than the indentation of the polishing layer when the same load is applied to a part of the upper surface of the polishing layer having an area equal to that of the window member.
    • 用于在玻璃上形成平坦表面的窗口抛光垫,半导体,电介质/金属复合材料,集成电路等,其中对基材表面施加较少的刮痕,并且可以光学测量抛光条件 在抛光期间。 抛光垫具有抛光层和用于光学测量抛光条件的透明窗构件,其设置在形成在抛光层的一部分中的开口中。 当向窗构件的几乎整个上表面施加一定的负荷时,透明窗构件的压痕大于抛光层的凹陷,当对该抛光层的上表面的一部分施加相同的载荷时, 面积等于窗口构件的面积。