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1. 发明公开

KR20210024839A 자일렌 또는 톨루엔 가스의 선택적 감지용 가스 센서 有权
公开(公告)号：KR20210024839A
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR20190104523
申请日：2019-08-26
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 김태형 , 정성용
IPC分类号： G01N27/12 , G01N27/407 , G01N33/00
摘要： 본발명은나이오븀(Nb)이도핑된산화니켈(NiO)로이루어진가스감응층; 을포함하는자일렌또는톨루엔가스의선택적감지용가스센서를개시한다.

2. 发明授权

KR101616173B1 팔라듐이 첨가된 산화주석 난황구조 미분말을 이용한 메틸벤젠 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用负载Pd的SnO2蛋黄壳球的甲基苯传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101616173B1
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140005180
申请日：2014-01-15
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 건국대학교 산학협력단
发明人： 강윤찬 , 이종흔 , 홍영준 , 윤지욱
IPC分类号： G01N27/407
摘要： 메틸벤젠가스의선택적감응이가능한가스센서및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른가스센서는가스감응층이팔라듐(Pd)이첨가된산화주석(SnO) 난황구조미분말(Pd-loaded SnOyolk shell spheres)로이루어진다. 이러한가스센서는벤젠, 포름알데히드, 알콜등에대한감도가무시할수 있을만큼작으면서도, 자일렌, 톨루엔등의메틸벤젠가스에대해매우높은선택성과감도를나타낸다.

3. 发明授权

KR101602561B1 로듐 첨가 WO3를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用加载有铑的WO3的WO3气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101602561B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140067551
申请日：2014-06-03
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 최권일 , 황수진
IPC分类号： G01N27/12 , H01L29/66 , C22C27/04 , B82B1/00 , B82B3/00 , B01J19/10 , B01J2/02
摘要： 가스센서및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른가스센서는가스감응층이로듐(Rh) 첨가텅스텐산화물(WO)로이루어진다. 본발명에따르면, 수분에의한산화물반도체물질의가스감응특성저하를막고날숨과같은고습도분위기에서높은감도, 빠른반응특성을얻을수 있다. 이러한가스센서는본 발명제조방법에따라쉽게제조할수 있다.

4. 发明公开

KR1020150085560A 팔라듐이 첨가된 산화주석 난황구조 미분말을 이용한 메틸벤젠 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用PD负载SNO2 YELLK壳体的甲基苯甲醛传感器及其制备方法
公开(公告)号：KR1020150085560A
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR1020140005180
申请日：2014-01-15
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 건국대학교 산학협력단
发明人： 강윤찬 , 이종흔 , 홍영준 , 윤지욱
IPC分类号： G01N27/407
CPC分类号： G01N27/407
摘要： 메틸벤젠가스의선택적감응이가능한가스센서및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른가스센서는가스감응층이팔라듐(Pd)이첨가된산화주석(SnO) 난황구조미분말(Pd-loaded SnOyolk shell spheres)로이루어진다. 이러한가스센서는벤젠, 포름알데히드, 알콜등에대한감도가무시할수 있을만큼작으면서도, 자일렌, 톨루엔등의메틸벤젠가스에대해매우높은선택성과감도를나타낸다.
摘要翻译：提供能够选择性地感测甲基苯气体的气体传感器及其制造方法。根据本发明的气体传感器，气敏层由钯（Pd） - 添加氧化锡（SnO_2）蛋黄结构细粉末（Pd负载的SnO_2蛋黄壳球体）组成。气体传感器具有对苯，甲醛，酒精等具有可忽略的小灵敏度的作用，同时对诸如二甲苯，甲苯等甲苯气体具有非常高的选择性和敏感性。

5. 发明授权

KR101457374B1 철이 도핑된 산화 니켈 나노 구조체를 이용한 에탄올 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用Fe掺杂的氧化镍纳米结构的C2H5OH气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101457374B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020120104913
申请日：2012-09-21
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 김효중 , 윤지욱
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 에탄올 가스의 선택적 감응이 가능하도록 철(Fe)이 도핑된 산화니켈(NiO)로 이루어진 가스 감응층을 포함하는 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 가스 감응층이 Fe가 도핑된 NiO로 이루어진다. 이러한 가스 센서는 여타 가스에 비해 에탄올 가스에 대한 선택성이 매우 우수하다. 이러한 가스 센서는 본 발명 제조 방법에 따라 다량으로 쉽게 제조할 수 있으며 가스 감응층을 구성하는 물질의 미세구조에 영향을 받지 않는다.

6. 发明授权

KR101435890B1 아연 산화물-인듐 산화물 복합 나노 섬유 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： ZNO-IN2O3复合纳米气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101435890B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130018945
申请日：2013-02-22
申请人： 고려대학교 산학협력단 , (주)센텍코리아
发明人： 이종흔 , 이철순 , 김일두
IPC分类号： G01N27/407 , B82B3/00 , G01N27/416
摘要： The present invention provides a gas sensor capable of selectively detecting volatile basic nitrogen gas such as trimethylamine and a manufacturing method thereof. The gas sensor according to the present invention is the gas sensor for detecting the volatile basic nitrogen gas and having a gas detecting layer made of zinc oxide (ZnO)-indium oxide (In_2O_3) nanofibers. The gas sensor manufacturing method according to the present invention generates the ZnO-In_2O_3 nanofibers by using the electrospinning of a raw material solution including a Zn precursor and an In precursor, and then forms the gas detecting layer by using the nanofibers.
摘要翻译：本发明提供能够选择性地检测挥发性碱性氮气如三甲胺的气体传感器及其制造方法。根据本发明的气体传感器是用于检测挥发性碱性氮气并具有由氧化锌（ZnO） - 氧化铟（In_2O_3）纳米纤维制成的气体检测层的气体传感器。根据本发明的气体传感器制造方法，通过使用包含Zn前体和In前体的原料溶液的电纺丝来生成ZnO-In_2O_3纳米纤维，然后通过使用纳米纤维形成气体检测层。

7. 发明公开

KR1020120059038A ｐ형 산화물 반도체 나노섬을 코팅한 ｎ형 산화물 반도체 나노선 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：涂覆有p型氧化物半导体的离散纳米岛的N型氧化物半导体纳米线气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120059038A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020100120639
申请日：2010-11-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 나찬웅
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/26
摘要： PURPOSE: An n-type oxide semiconductor nanowire gas sensor coated with a p-type oxide semiconductor nanosome and a manufacturing method thereof are provided to control relative gas sensitivity with respect to the resistance of the nanowire and oxidation gas and reducing gas by forming a p-n joining portion on interfaces of an n-type oxide semiconductor nanowire and p-type oxide semiconductor nanosome. CONSTITUTION: A gas sensor comprises a gas inductor(20) composing of a discontinuous p-type oxide semiconductor nanosome formed on a n-type oxide semiconductor nanowire. The n-type oxide semiconductor nanowire are one selected among ZnO, SnO2, In2O3, WO3, Fe2O3, TiO2, and a mixture of the same. The p-type oxide semiconductor nanosome are one selected among Co3O4, CoO, NiO, Ni2O3, MnO2, Mn3O4, CuO, Cr2O3, Bi2O3, and a mixture of the same.
摘要翻译：目的：提供涂覆有p型氧化物半导体纳米颗粒的n型氧化物半导体纳米线气体传感器及其制造方法，以通过形成pn来控制相对于纳米线和氧化气体和还原气体的电阻的相对气体灵敏度在n型氧化物半导体纳米线和p型氧化物半导体纳米体的界面上的接合部分。构成：气体传感器包括由形成在n型氧化物半导体纳米线上的不连续p型氧化物半导体纳米颗粒构成的气体电感器（20）。 n型氧化物半导体纳米线是选自ZnO，SnO 2，In 2 O 3，WO 3，Fe 2 O 3，TiO 2及其混合物中的一种。 p型氧化物半导体纳米颗粒是选自Co 3 O 4，CoO，NiO，Ni 2 O 3，MnO 2，Mn 3 O 4，CuO，Cr 2 O 3，Bi 2 O 3及其混合物中的一种。

8. 发明授权

KR101094277B1 나노 기공성 구조의 산화코발트를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用纳米多孔氧化钴结构的气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101094277B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020090064355
申请日：2009-07-15
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 최권일 , 김해룡
IPC分类号： G01N27/12 , B82B3/00
摘要： 가스 감응층이 나노 기공성 구조를 가지는 산화코발트(Co
3 O
4 )로 이루어진 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 나노 기공성 구조의 Co
3 O
4 가스 센서는 알코올 계열 가스에 대한 선택성이 우수하며 빠른 응답속도 및 빠른 회복속도를 얻을 수 있다. 이러한 가스 센서는 본 발명에 따라 Co
3 O
4 단일성분계로 쉽게 합성할 수 있으며 다양한 구조로 만들 수 있다.

9. 发明公开

KR1020110006800A 나노 기공성 구조의 산화코발트를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用纳米多孔钴氧化物结构的气体传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110006800A
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：KR1020090064355
申请日：2009-07-15
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 최권일 , 김해룡
IPC分类号： G01N27/12 , B82B3/00
摘要： PURPOSE: A gas sensor using cobalt oxide of nano porous structure and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a gas sensor with small primary particles since a porous gas sensor is made of Co3O4 which has nano porous structure. CONSTITUTION: A manufacturing method of a gas sensor using cobalt oxide of nano porous structure comprises following steps. The Co3O4 particle having the nano structure is formed. A film is formed by the particle and a Co3O4 gas sensitive layer of the nano porous structure is formed. The amino acid is added in the Co precursor, so the hydrothermal synthesis reaction is raised(S2). The organic acid is added more in the Co precursor and the hydrothermal synthesis reaction is raised. Oxalic acid is used as the organic acid.
摘要翻译：目的：提供一种使用纳米多孔结构的氧化钴的气体传感器及其制造方法，由于多孔气体传感器由具有纳米多孔结构的Co 3 O 4制成，因此制造具有小一次粒子的气体传感器。构成：使用纳米多孔结构的氧化钴的气体传感器的制造方法包括以下步骤。形成具有纳米结构的Co 3 O 4颗粒。由该颗粒形成膜，形成纳米多孔结构的Co 3 O 4气体敏感层。在Co前体中加入氨基酸，使水热合成反应升高（S2）。在Co前体中加入有机酸，提高水热合成反应。草酸用作有机酸。

10. 发明授权

KR102235899B1 금(Au) 촉매 및 산화물로 이루어진 이중층 구조를 이용한 메틸벤젠 가스 센서 및 이를 제조하는 가스 센서 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102235899B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020190083794
申请日：2019-07-11
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 이종흔 , 문영국 , 정성용 , 조영무 , 김준식
IPC分类号： G01N27/12 , G01N27/407 , G01N27/414 , B01J23/52
摘要： 본발명은메틸벤젠을검지하는가스센서에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른가스센서는, 상기메틸벤젠에감응하는감응층과; 상기감응층의상면에형성되는금(Au)을포함하는촉매층을포함한다.

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