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1. 发明公开

KR1020130129872A 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：衬底工艺装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130129872A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020130130222
申请日：2013-10-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 아사이마사유끼 , 혼다고이찌 , 우메모또마모루 , 오꾸다가즈유끼
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053
摘要： When a substrate is processed by using plasma, the present invention decreases a substrate processing temperature by reducing the damage of the substrate or film. The present invention comprises a processing chamber (201) processing a substrate (200); a plurality of buffer chambers (423, 433); a first processing gas supply system (301) supplying first processing gases to the processing chamber; second processing gas supply systems (302, 303) supplying second processing gases to the buffer chambers; high-frequency power (270); electrodes (471, 472, 481, 482) for plasma generation; a heating system (207) heating the substrate; and a control unit (280). The control unit controls the first processing gas supply system, power, the second processing gas supply systems, and the heating system in order to activate the substrate, which includes a metal film on the surface, inside the buffer chambers by applying the high-frequency power to the first processing gases and the electrodes; offer second processing gases, which are supplied from the buffer chambers to the processing chamber, to the substrate; and form the film on the metal film while heating the substrate under the magnetic analysis temperature of the first processing gases. [Reference numerals] (AA) Up;(BB) Back;(CC) Right;(DD) Left;(EE) Front;(FF) Down
摘要翻译：当通过使用等离子体处理衬底时，本发明通过减少衬底或膜的损坏来降低衬底处理温度。本发明包括处理基板（200）的处理室（201）。多个缓冲室（423,433）; 第一处理气体供应系统（301），其向处理室供应第一处理气体; 向缓冲室供应第二处理气体的第二处理气体供应系统（302,303）; 高频电源（270）; 用于等离子体产生的电极（471,472,481,482）加热系统（207），加热衬底; 和控制单元（280）。控制单元控制第一处理气体供应系统，动力，第二处理气体供应系统和加热系统，以通过施加高频来激活包括表面上的金属膜在内的衬底第一加工气体和电极的功率; 提供从缓冲室供应到处理室的第二处理气体到基板; 并且在第一处理气体的磁分析温度下加热衬底，在金属膜上形成膜。（AA）Up;（BB）Back;（CC）Right;（DD）Left;（EE）Front;（FF）Down

2. 发明授权

KR101369615B1 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101369615B1
公开(公告)日：2014-03-03
申请号：KR1020130130222
申请日：2013-10-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 아사이마사유끼 , 혼다고이찌 , 우메모또마모루 , 오꾸다가즈유끼
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053
摘要： 플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 때에 기판이나 형성하는 막에 주는 데미지를 작게 하여, 기판 처리 온도를 낮게 한다.
기판(200)을 처리하는 처리실(201)과, 복수의 버퍼실(423, 433)과, 제1 처리 가스를 처리실에 공급하는 제1 처리 가스 공급계(301)와, 제2 처리 가스를 복수의 버퍼실에 공급하는 제2 처리 가스 공급계(302, 303)와, 고주파 전원(270)과, 플라즈마 발생용의 전극(471, 472, 481, 482)과, 기판을 가열하는 가열계(207)와, 표면에 금속막이 형성된 기판을, 제1 처리 가스 및 전극에 고주파 전력이 인가됨으로써 복수의 버퍼실의 내부에서 활성화되고, 복수의 버퍼실로부터 처리실로 공급된 제2 처리 가스에 노출하고, 기판을 제1 처리 가스의 자기 분석 온도 이하로 가열하면서 금속막 상에 막을 형성하도록 제1 처리 가스 공급계, 전원, 제2 처리 가스 공급계 및 가열계를 제어하는 제어 수단(280)을 구비한다.

3. 发明公开

KR1020120105339A 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：衬底工艺装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120105339A
公开(公告)日：2012-09-25
申请号：KR1020110092573
申请日：2011-09-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 아사이마사유끼 , 혼다고이찌 , 우메모또마모루 , 오꾸다가즈유끼
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a manufacturing method of a semiconductor device are provided to minimize damage added to a substrate and a formed film when processing the substrate using plasma. CONSTITUTION: A heater(207) for heating a wafer(200) is installed in a treatment container(202). A reaction tube(203) for processing the wafer is installed inside the heater. A seal cap(219) is installed at the bottom of the reaction tube. A boat support stand(218) supporting a boat(217) is installed on the seal cap. The boat comprises a bottom plate and a top plate fixed to the boat support stand. A boat elevator lifts up and down the boat. An arm is connected to an elevating stand of the boat elevator.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的衬底处理设备和制造方法，以在使用等离子体处理衬底时最小化对衬底和形成的膜的加入。构成：用于加热晶片（200）的加热器（207）安装在处理容器（202）中。用于处理晶片的反应管（203）安装在加热器的内部。密封帽（219）安装在反应管的底部。支撑船（217）的船支撑架（218）安装在密封盖上。船包括底板和固定到船支撑架上的顶板。一艘船电梯在船上上下升降。手臂连接到船电梯的升降台。

4. 发明授权

KR101369600B1 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：衬底工艺装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101369600B1
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020110092573
申请日：2011-09-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 아사이마사유끼 , 혼다고이찌 , 우메모또마모루 , 오꾸다가즈유끼
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053
摘要： 플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 때에 기판이나 형성하는 막에 주는 데미지를 작게 하여, 기판 처리 온도를 낮게 한다.
기판(200)을 처리하는 처리실(201)과, 복수의 버퍼실(423, 433)과, 제1 처리 가스를 처리실에 공급하는 제1 처리 가스 공급계(301)와, 제2 처리 가스를 복수의 버퍼실에 공급하는 제2 처리 가스 공급계(302, 303)와, 고주파 전원(270)과, 플라즈마 발생용의 전극(471, 472, 481, 482)과, 기판을 가열하는 가열계(207)와, 표면에 금속막이 형성된 기판을, 제1 처리 가스 및 전극에 고주파 전력이 인가됨으로써 복수의 버퍼실의 내부에서 활성화되고, 복수의 버퍼실로부터 처리실로 공급된 제2 처리 가스에 노출하고, 기판을 제1 처리 가스의 자기 분석 온도 이하로 가열하면서 금속막 상에 막을 형성하도록 제1 처리 가스 공급계, 전원, 제2 처리 가스 공급계 및 가열계를 제어하는 제어 수단(280)을 구비한다.

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