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    • 1. 发明公开
    • 가스 분류 공급장치 및 가스 분류 공급방법
    • 气体供应装置和气体分配供应方法
    • KR1020150026920A
    • 2015-03-11
    • KR1020140112466
    • 2014-08-27
    • 가부시키가이샤 후지킨도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 타카하시에이지사사키노리카즈사와치아츠시사와다요헤이이케다노부카즈도히료우수케니시노코우지
    • H01L21/02
    • G05D7/0664G05D11/132Y10T137/0363Y10T137/2529Y10T137/2562Y10T137/7759Y10T137/7761H01L21/02G05D7/0641G05D11/16
    • (과제) 압력식 유량 제어장치로부터의 가스 흐름을 복수의 분류로를 통해서 분류 공급하는 가스 분류 공급장치에 있어서, 가스 도입시의 분류로에 있어서의 가스의 오버슈트의 발생을 방지함과 아울러 분류량 제어의 응답성과 안정성과 제어 정밀도를 높인다.
      (과제 해결수단) 가스 공급원으로부터의 가스의 유량 제어장치와, 유량 제어장치로부터의 가스를 가스 사용 개소로 분류하는 병렬로 접속된 복수의 분류로(L
      1 ∼L
      n )와, 각 분류로(L
      1 ∼L
      n )에 설치한 열식 유량센서와, 열식 유량센서(29a∼29n)의 하류측에 설치한 전동밸브(28a∼28n)와, 각 전동밸브(28a∼28n)의 개폐를 제어하는 컨트롤러(16a∼16n)와, 외부로부터 유량비 지령값이 입력됨과 아울러 각 열식 유량센서(29a∼29n)의 유량으로부터 총 유량을 연산하고, 상기 연산한 총 유량과 상기 유량비 지령값으로부터 각 분류로(L
      1 ∼L
      n )의 유량값을 연산해서 각 컨트롤러(16a∼16n)에 상기 연산 유량값을 설정 유량으로서 입력하는 유량비 설정 연산기(RSC)를 구비하고, 우선, 상기 유량비 설정 연산기(RSC)로부터 입력된 설정 유량값이 최대가 되는 어느 하나의 분류로 (L
      1 ∼L
      n )를 비제어 상태로 해서 그 개방도를 일정값으로 유지함과 아울러 그 밖의 분류로의 개방도를 설정 개방도로 제어하고, 그 후에 각 컨트롤러(16a∼16n)에 의해 각 분류로(L
      1 ∼L
      n )의 분류량을 피드백 제어한다.
    • (问题)中,通过多个分散路径分散并供给来自压力式流量控制装置的气体流的气体分散供给装置,能够防止产生气体,并且能够抑制气体的响应特性,稳定性,控制精度 当输入气体时,色散量控制在色散路径上得到改善。 (溶液)本发明包括来自气体供给源的气体的流量控制装置,并联连接的多个分散路径(L1-Ln),以将来自流量控制装置的气体分散到气体使用场所, 安装在每个分散路径(L1-Ln)处的热流量传感器,安装在热流量传感器(29a-29n)的下侧的电动阀(28a-28n),控制器(16a-16n) 控制每个电动阀的打开和关闭,以及流量设定操作单元(RSC)。
    • 2. 发明授权
    • 가스 분류 공급장치 및 가스 분류 공급방법
    • 气体供应装置和气体分配供应方法
    • KR101690583B1
    • 2016-12-28
    • KR1020140112466
    • 2014-08-27
    • 가부시키가이샤 후지킨도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 타카하시에이지사사키노리카즈사와치아츠시사와다요헤이이케다노부카즈도히료우수케니시노코우지
    • H01L21/02
    • G05D7/0664G05D11/132Y10T137/0363Y10T137/2529Y10T137/2562Y10T137/7759Y10T137/7761
    • (과제) 압력식유량제어장치로부터의가스흐름을복수의분류로를통해서분류공급하는가스분류공급장치에있어서, 가스도입시의분류로에있어서의가스의오버슈트의발생을방지함과아울러분류량제어의응답성과안정성과제어정밀도를높인다. (과제해결수단) 가스공급원으로부터의가스의유량제어장치와, 유량제어장치로부터의가스를가스사용개소로분류하는병렬로접속된복수의분류로(L∼L)와, 각분류로(L∼L)에설치한열식유량센서와, 열식유량센서(29a∼29n)의하류측에설치한전동밸브(28a∼28n)와, 각전동밸브(28a∼28n)의개폐를제어하는컨트롤러(16a∼16n)와, 외부로부터유량비지령값이입력됨과아울러각 열식유량센서(29a∼29n)의유량으로부터총 유량을연산하고, 상기연산한총 유량과상기유량비지령값으로부터각 분류로(L∼L)의유량값을연산해서각 컨트롤러(16a∼16n)에상기연산유량값을설정유량으로서입력하는유량비설정연산기(RSC)를구비하고, 우선, 상기유량비설정연산기(RSC)로부터입력된설정유량값이최대가되는어느하나의분류로(L∼L)를비제어상태로해서그 개방도를일정값으로유지함과아울러그 밖의분류로의개방도를설정개방도로제어하고, 그후에각 컨트롤러(16a∼16n)에의해각 분류로(L∼L)의분류량을피드백제어한다.
    • 一种用于分配和供应气体的装置设置有流量控制装置,从流量控制装置流动的多条分流流路,设置在分流流路上的热型质量流量传感器,设置有电动阀的电动阀 在热型质量流量传感器的下游侧,控制电动阀的控制器和计算总流量的流量比设定计算器,然后计算分流流路的流量,然后输入计算出的 流量设定为每个控制器的流量。 一个具有最高设定流量的分流通道处于不受控状态,并且对每个其余分流通道的开度进行控制,然后分流流路的分流流量的反馈控制为 由每个控制器实现。
    • 5. 发明授权
    • 성막 장치
    • 成膜装置
    • KR101271800B1
    • 2013-06-07
    • KR1020127020098
    • 2009-09-29
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 즈지노리히코모로이마사유키사와치아츠시이와타테루오
    • H01L21/205
    • C23C16/45544B29C66/71C23C16/45517C23C16/45527C23C16/45551C23C16/45563H01L21/02164H01L21/02197H01L21/0228H01L21/3141H01L21/31608H01L21/31691
    • 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위� � 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
    • 一种成膜装置,通过在真空容器内交替地供给和排出第一反应气体和第二反应气体来进行基板的排气循环,从而在基板的表面形成薄膜, 多个下部构件,所述多个下部构件布置成面对所述多个下部构件中的每一个并且在所述下部构件和所述布置区域之间形成处理空间; 在用于供给第一反应气体的时刻和供给用于供给第一反应气体的第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体,第一反应气体供给部件,第二反应气体供给部件, 以及沿着处理空间的圆周方向形成并与处理空间外部的真空室内的大气连通的真空室 和用于排气的开口,一个膜形成处理空间的装置,其特征在于,它包括一个真空排气装置,用于通过在所述排气口的气氛中,并在真空容器抽真空。
    • 8. 发明公开
    • 처리 장치
    • 加工设备
    • KR1020120056782A
    • 2012-06-04
    • KR1020110122901
    • 2011-11-23
    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
    • 데즈카카즈유키카토켄이치사와치아츠시기쿠치타카미치미무라타카노리
    • H01L21/3065
    • H01J37/32449H01J37/32082
    • PURPOSE: A processing apparatus is provided to easily change a discharge location of a process gas without changing a location of a circular partition member or a processing gas discharge unit. CONSTITUTION: A process chamber(2) processes a wafer(W) by using a process gas. A mounting table(4) mounts the wafer while being installed in the process chamber. The mounting table is connected to a second high frequency power supply(9) by interposing a matching device(8). A processing gas discharge unit(5) is installed within the process chamber facing the mounting table. The processing gas discharge unit discharges the process gas to the process chamber. The processing gas discharge unit is connected to a first high frequency power(7) by interposing a matching device(6).
    • 目的:提供一种处理装置,用于容易地改变处理气体的排放位置,而不改变圆形分隔构件或处理气体排出单元的位置。 构成:处理室(2)通过使用工艺气体处理晶片(W)。 安装台(4)在安装在处理室中时安装晶片。 安装台通过插入匹配装置(8)连接到第二高频电源(9)。 处理气体排出单元(5)安装在面向安装台的处理室内。 处理气体放电单元将处理气体排放到处理室。 处理气体放电单元通过插入匹配装置(6)连接到第一高频电力(7)。