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1. 发明公开

KR1020140113618A 액정 표시장치 有权
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：KR1020140113618A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020140108268
申请日：2014-08-20
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 키무라하지메
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/133512 , G02F1/136227 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： The present invention aims to provide a liquid crystal display device which has excellent visibility by eliminating non-uniformity of colors and has high definition. The shielding layer is selectively formed to be overlapped with a contact hole to be electrically connected with a source area or a drain area of a thin film transistor. Otherwise, a pigmented layer (a color filter) having an opening is arranged to be overlapped by the contact hole. Therefore, liquid crystal molecules of which an orientation is disturbed do not affect a displaying performance; thus, the high definition liquid display device can be provided.
摘要翻译：本发明旨在提供一种通过消除颜色的不均匀性并具有高清晰度而具有优异的可视性的液晶显示装置。选择性地形成屏蔽层以与与薄膜晶体管的源极区域或漏极区域电连接的接触孔重叠。否则，具有开口的着色层（滤色器）被布置成与接触孔重叠。因此，取向受到干扰的液晶分子不影响显示性能; 因此，可以提供高分辨率液体显示装置。

2. 发明公开

KR1020090041322A 반도체장치 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090041322A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020080102069
申请日：2008-10-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오 , 치바요쿄
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/027
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2201/50 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided to suppress the lowering of the yield due to misalignment with other photomasks and to reduce the frequency of the position arrangement of the photomask by reducing the number of masks. A first conductive layer with a transparent conductive layer(101) and a metal layer(102) is formed on an insulation substrate(100). A gate electrode and a pixel region which becomes a pixel electrode are formed by etching the transparent conductive layer and the metal layer by using the first resist. The pixel electrode formed as the transparent conductive layer is made by etching the metal layer on the pixel region by using the remaining first resist after ashing the first resist. A gate insulating layer is formed on the insulating substrate. The semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A contact hole is formed by etching the gate insulating layer, the semiconductor layer on the pixel electrode and the semiconductor layer with the impurity element. An island type semiconductor layer is formed by etching the semiconductor and the semiconductor layer with the impurity element giving one conductivity by using the remaining second resist after using the second resist.
摘要翻译：提供了一种用于制造半导体器件的方法，以抑制由于与其它光掩模的不对准而导致的屈服的降低，并且通过减少掩模的数量来降低光掩模的位置布置的频率。在绝缘基板（100）上形成具有透明导电层（101）和金属层（102）的第一导电层。通过使用第一抗蚀剂蚀刻透明导电层和金属层，形成栅极电极和成为像素电极的像素区域。形成为透明导电层的像素电极通过在灰化第一抗蚀剂之后通过使用剩余的第一抗蚀剂蚀刻像素区域上的金属层来制造。在绝缘基板上形成栅极绝缘层。半导体层形成在栅极绝缘层上。通过用杂质元素蚀刻栅极绝缘层，像素电极上的半导体层和半导体层来形成接触孔。通过在使用第二抗蚀剂之后通过使用剩余的第二抗蚀剂，用杂质元素蚀刻半导体和半导体层来形成岛型半导体层。

3. 发明公开

KR1020090041317A 반도체장치 및 그의 제작방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090041317A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020080100665
申请日：2008-10-14
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 호소야쿠니오 , 후지카와사이시
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78678 , H01L27/12 , H01L29/458
摘要： A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of a photo mask and a photolithography process by forming an active matrix substrate by three photolithography processes and two photo masks. A first conductive layer(102) is formed on a substrate(101). A first insulating layer(104), a first amorphous semiconductor layer(106), and a second amorphous semiconductor with a second conductive impurity element are successively formed on a first conductive layer. A first photoresist pattern is formed by forming the photoresist on the second amorphous semiconductor layer and exposing and developing the photoresist by using a first photo mask. The conductive layer, the first insulating layer, the first amorphous semiconductor layer are etched by using the first photoresist pattern as the mask. The second insulating layer is formed on the front of the substrate.
摘要翻译：提供一种半导体器件及其制造方法，通过三个光刻工艺和两个光掩模形成有源矩阵衬底来减少光掩模和光刻工艺的数量。第一导电层（102）形成在衬底（101）上。在第一导电层上依次形成第一绝缘层（104），第一非晶半导体层（106）和具有第二导电杂质元素的第二非晶半导体。通过在第二非晶半导体层上形成光致抗蚀剂并通过使用第一光掩模曝光和显影光致抗蚀剂来形成第一光致抗蚀剂图案。通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻导电层，第一绝缘层，第一非晶半导体层。第二绝缘层形成在基板的前面。

4. 发明授权

KR100871891B1 표시장치 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100871891B1
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020080009542
申请日：2008-01-30
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 쿠와바라히데오키 , 후지카와사이시
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1222 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , H01L27/124 , H01L27/156 , H01L29/6675 , H01L29/66765
摘要： 액정표시장치와 같은 표시장치에 있어서, 대화면화하여도 저소비전력을 실현한다. 액티브 매트릭스형 액정표시장치에 사용되는 화소부의 소스 배선의 표면을 도금 처리하여 이 소스 배선을 저저항화한다. 화소부의 소스 배선은 구동회로부의 소스 배선을 제조하는 공정과는 다른 공정에서 제조한다. 또한, 단자부의 전극도 마찬가지로 도금 처리하여 저저항화한다.
반도체장치, 액정표시장치, 액정 모듈, 도금 처리, 저저항화

5. 发明授权

KR101542362B1 액정 표시장치 有权
标题翻译：液晶显示器
公开(公告)号：KR101542362B1
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：KR1020140108268
申请日：2014-08-20
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 키무라하지메
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/133512 , G02F1/136227
摘要： 본발명은, 색의불균일을해소함으로써시인(視認)성이우수하고, 고화질의액정표시장치를제공하는것을목적으로한다. 박막트랜지스터의소스영역, 또는드레인영역과전기적으로접속하기위한콘택트홀과겹치도록차광층을선택적으로형성한다. 혹은, 개구를가지는착색층(컬러필터)의개구부분을콘택트홀과겹치도록배치함으로써, 배향이흐트러진액정분자의영향이표시에반영되지않기때문에고화질의액정표시장치를제공할수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种通过消除颜色不均匀而能够改善视觉感觉的高画质液晶显示装置。遮光层选择性地形成为与用于电连接到薄膜晶体管的源极区域或漏极区域的接触孔重叠。或者，可以通过设置着色层（滤色器）的开口具有开口以便重叠的接触孔提供高清晰度的液晶显示装置中，因为，它不反映在示出的扰动的液晶分子的影响而取向。

6. 发明授权

KR101425845B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR101425845B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020080009626
申请日：2008-01-30
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 호소야구니오 , 후지카와사이시
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1237 , H01L27/1214 , H01L27/127
摘要： 본 발명은 N형 박막 트랜지스터와 P형 박막 트랜지스터를 가지는 반도체 장치를 제작하는 경우에 있어서, TFT의 편차를 저감하는 것을 목적으로 한다. 또한, 마스크 수의 삭감, 제조 공정 수의 저감, 및 제조공정 기간의 단축을 행하는 것을 목적으로 한다.
제 1 박막 트랜지스터의 섬 형상(島狀) 반도체 층을 형성한 후, 제 2 박막 트랜지스터의 섬 형상 반도체 층을 형성하는 반도체 장치의 제작 방법이고, 상기 제 2 박막 트랜지스터의 섬 형상 반도체 층을 형성할 때, 상기 제 2 박막 트랜지스터의 섬 형상 반도체 층과 접하는 게이트 절연막을 상기 제 1 박막 트랜지스터의 섬 형상 반도체 층의 보호막(에칭 스토퍼(stopper)막)으로서 겸용한다.
CMOS, 역 스태거, 에칭 스토퍼 막, 게이트 절연막, 마스크

7. 发明授权

KR101258676B1 액정 표시장치 및 그의 제작방법 有权
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101258676B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020060056040
申请日：2006-06-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/133345 , G02F2001/136222
摘要： 본 발명에서는, 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판을 부착시킬 때 정밀도 높은 위치맞춤이 불필요하고, 또한, 전극으로부터 액정에 대한 전계의 인가에 영향을 주지 않는 액정 표시장치 및 그의 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 액정 표시장치는, 차광막 및 착색막이 형성된 기판 위에, 복수의 TFT 및 배선 등으로 구성되는 구동회로와, 복수의 TFT, 배선, 및 화소 전극 등으로 구성되는 화소부 등이 일체 형성된 액티브 매트릭스 기판을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하고, 이와 같은 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판과의 사이에 액정이 주입된 구성을 가진다.
액정 표시장치, 위치맞춤, 차광막, 착색막, 박막트랜지스터
摘要翻译：在本发明中，不需要用于安装时对置基板，并且，还有一个目的是提供一种液晶显示装置及其生产不影响电场的应用，来自电极的液晶高度精确对准的有源矩阵基板的。在形成有色膜的本发明中，光屏蔽膜和在基板上的液晶显示装置中，多个TFT的并用布线等，多个TFT，配线的构成的驱动电路，和像素电极等的像素部分等一体地形成在由有源矩阵并且，在有源矩阵基板与对置基板之间注入液晶。

8. 发明公开

KR1020090068180A 다이오드, 및 이것을 갖는 표시장치 有权
标题翻译：包含二极管的二极管和显示器件
公开(公告)号：KR1020090068180A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020080130637
申请日：2008-12-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 호소야쿠니오 , 스즈키야스타카 , 후지카와사이시
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
摘要： A diode and a display device having the same are provided to enhance on-current and electric field mobility and to reduce off-current by improving a structure of a thin film transistor. A diode includes a microcrystalline semiconductor layer(258a,258b), an amorphous semiconductor layer, an impurity semiconductor layer, and a wiring. The microcrystalline semiconductor layer is installed in an inside of an end of a gate electrode(251). A gate insulating layer(52a,52b) is inserted into an upper part of the gate electrode. The microcrystalline semiconductor layer includes an impurity element as a donor. The amorphous semiconductor layer is formed to coat an upper surface and a lateral surface of the microcrystalline semiconductor layer. The impurity semiconductor layer has conductivity and includes the impurity element provided on the amorphous semiconductor layer. The wiring comes in contact with a source region or a drain region of the impurity semiconductor layer. The gate electrode and the wiring is connected with each other through the conductive layer.
摘要翻译：提供二极管及其显示装置以提高导通电流和电场迁移率，并通过改进薄膜晶体管的结构来减少截止电流。二极管包括微晶半导体层（258a，258b），非晶半导体层，杂质半导体层和布线。微晶半导体层安装在栅电极（251）的端部的内部。栅绝缘层（52a，52b）插入栅电极的上部。微晶半导体层包括作为供体的杂质元素。形成非晶半导体层以涂覆微晶半导体层的上表面和侧表面。杂质半导体层具有导电性并且包括设置在非晶半导体层上的杂质元素。布线与杂质半导体层的源极区域或漏极区域接触。栅电极和布线通过导电层彼此连接。

9. 发明公开

KR1020090060263A 반도체장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020090060263A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020097001273
申请日：2007-09-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1339 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362
摘要： When a columnar spacer is provided in a region overlapping with a TFT, there is a concern that pressure will be applied when attaching a pair of substrates to each other, which may result in the TFT being adversely affected and a crack forming. A dummy layer is formed of an inorganic material below a columnar spacer which is formed in a position overlapping with the TFT. The dummy layer is located in the position overlapping with the TFT, so that pressure applied to the TFT in a step of attaching the pair of substrates is distributed and relieved. The dummy layer is preferably formed of the same material as a pixel electrode so that it is formed without an increase in the number of processing steps.
摘要翻译：当在与TFT重叠的区域中设置柱状间隔物时，担心当将一对基板彼此连接时施加压力，这可能导致TFT受到不利影响和形成裂纹。虚设层由形成在与TFT重叠的位置的柱状间隔物下方的无机材料形成。虚设层位于与TFT重叠的位置，从而在安装一对基板的步骤中施加到TFT的压力被分配和释放。虚拟层优选由与像素电极相同的材料形成，使得其形成而不增加处理步骤的数量。

10. 发明公开

KR1020080060182A 액정 표시장치 有权
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：KR1020080060182A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020070137217
申请日：2007-12-26
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 키무라하지메
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133512 , G02F1/136227
摘要： An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to prevent non-uniformity of color by selectively forming a light blocking layer so as to hide a contact hole. A switching device is formed on a substrate. A conductive layer is electrically connected with the switching device. A planarizing layer has a contact hole(103) formed on the switching device. A pixel electrode is formed on the planarizing layer, and electrically connected with the conductive layer through the contact hole. A first light blocking layer(108) is formed in an area corresponding to a gate line(151) and a source line(152). A second light blocking layer(109) is formed independent from the first light blocking layer. The first and second light blocking layers are formed on a counter substrate.
摘要翻译：提供LCD（液晶显示器）以通过选择性地形成遮光层以防止接触孔来防止颜色的不均匀。开关装置形成在基板上。导电层与开关装置电连接。平面化层具有形成在开关装置上的接触孔（103）。像素电极形成在平坦化层上，并通过接触孔与导电层电连接。第一遮光层（108）形成在对应于栅极线（151）和源极线（152）的区域中。独立于第一遮光层形成第二遮光层（109）。第一和第二遮光层形成在相对基板上。

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