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1. 发明授权

KR102028550B1 축전 장치 有权
公开(公告)号：KR102028550B1
公开(公告)日：2019-10-04
申请号：KR1020120105779
申请日：2012-09-24
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 타지마료타 , 호소야쿠니오 , 오사다타케시 , 오구니텟페이 , 야마자키,순페이
IPC分类号： H01M4/02 , H01M4/13 , H01G9/04 , H01M12/08

2. 发明公开

KR1020090041322A 반도체장치 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090041322A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020080102069
申请日：2008-10-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오 , 치바요쿄
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/027
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2201/50 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided to suppress the lowering of the yield due to misalignment with other photomasks and to reduce the frequency of the position arrangement of the photomask by reducing the number of masks. A first conductive layer with a transparent conductive layer(101) and a metal layer(102) is formed on an insulation substrate(100). A gate electrode and a pixel region which becomes a pixel electrode are formed by etching the transparent conductive layer and the metal layer by using the first resist. The pixel electrode formed as the transparent conductive layer is made by etching the metal layer on the pixel region by using the remaining first resist after ashing the first resist. A gate insulating layer is formed on the insulating substrate. The semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A contact hole is formed by etching the gate insulating layer, the semiconductor layer on the pixel electrode and the semiconductor layer with the impurity element. An island type semiconductor layer is formed by etching the semiconductor and the semiconductor layer with the impurity element giving one conductivity by using the remaining second resist after using the second resist.
摘要翻译：提供了一种用于制造半导体器件的方法，以抑制由于与其它光掩模的不对准而导致的屈服的降低，并且通过减少掩模的数量来降低光掩模的位置布置的频率。在绝缘基板（100）上形成具有透明导电层（101）和金属层（102）的第一导电层。通过使用第一抗蚀剂蚀刻透明导电层和金属层，形成栅极电极和成为像素电极的像素区域。形成为透明导电层的像素电极通过在灰化第一抗蚀剂之后通过使用剩余的第一抗蚀剂蚀刻像素区域上的金属层来制造。在绝缘基板上形成栅极绝缘层。半导体层形成在栅极绝缘层上。通过用杂质元素蚀刻栅极绝缘层，像素电极上的半导体层和半导体层来形成接触孔。通过在使用第二抗蚀剂之后通过使用剩余的第二抗蚀剂，用杂质元素蚀刻半导体和半导体层来形成岛型半导体层。

3. 发明公开

KR1020090041317A 반도체장치 및 그의 제작방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090041317A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020080100665
申请日：2008-10-14
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 호소야쿠니오 , 후지카와사이시
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78678 , H01L27/12 , H01L29/458
摘要： A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of a photo mask and a photolithography process by forming an active matrix substrate by three photolithography processes and two photo masks. A first conductive layer(102) is formed on a substrate(101). A first insulating layer(104), a first amorphous semiconductor layer(106), and a second amorphous semiconductor with a second conductive impurity element are successively formed on a first conductive layer. A first photoresist pattern is formed by forming the photoresist on the second amorphous semiconductor layer and exposing and developing the photoresist by using a first photo mask. The conductive layer, the first insulating layer, the first amorphous semiconductor layer are etched by using the first photoresist pattern as the mask. The second insulating layer is formed on the front of the substrate.
摘要翻译：提供一种半导体器件及其制造方法，通过三个光刻工艺和两个光掩模形成有源矩阵衬底来减少光掩模和光刻工艺的数量。第一导电层（102）形成在衬底（101）上。在第一导电层上依次形成第一绝缘层（104），第一非晶半导体层（106）和具有第二导电杂质元素的第二非晶半导体。通过在第二非晶半导体层上形成光致抗蚀剂并通过使用第一光掩模曝光和显影光致抗蚀剂来形成第一光致抗蚀剂图案。通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻导电层，第一绝缘层，第一非晶半导体层。第二绝缘层形成在基板的前面。

4. 发明授权

KR101425379B1 표시장치 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR101425379B1
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020130103075
申请日：2013-08-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L51/055 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3279 , H01L29/4908 , H01L51/0023 , H01L51/56
摘要： 제1 도전막을 형성하고, 제1 도전막 위에 선택적으로 레지스트를 형성하고, 제1 도전막 및 레지스트 위에 제2 도전막을 형성하고, 레지스트를 제거함으로써 레지스트 위에 형성된 제2 도전막을 제거하고, 제1 도전막 위에 형성된 제2 도전막을 덮도록 제3 도전막을 형성하고, 제1 도전막 및 제3 도전막을 선택적으로 에칭하여, 복수의 배선 및 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해, 대형 패널에 저저항 재료를 사용한 배선을 형성할 수 있으므로, 신호 지연 등의 문제를 해결할 수 있다.
摘要翻译：形成第一导电膜，在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂，在第一导电膜和抗蚀剂上形成第二导电膜，去除抗蚀剂以去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜，形成第三导电膜以覆盖形成在膜上的第二导电膜，并且选择性地蚀刻第一导电膜和第三导电膜以形成多个布线和电极。根据本发明，可以在大尺寸的面板上形成使用低电阻材料的布线，从而解决信号延迟等问题。

5. 发明授权

KR101369281B1 표시장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101369281B1
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020060108063
申请日：2006-11-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/055 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3279 , H01L29/4908 , H01L51/0023 , H01L51/56
摘要： 제1 도전막을 형성하고, 제1 도전막 위에 선택적으로 레지스트를 형성하고, 제1 도전막 및 레지스트 위에 제2 도전막을 형성하고, 레지스트를 제거함으로써 레지스트 위에 형성된 제2 도전막을 제거하고, 제1 도전막 위에 형성된 제2 도전막을 덮도록 제3 도전막을 형성하고, 제1 도전막 및 제3 도전막을 선택적으로 에칭하여, 복수의 배선 및 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해, 대형 패널에 저저항 재료를 사용한 배선을 형성할 수 있으므로, 신호 지연 등의 문제를 해결할 수 있다.
표시, 저항, 배선, 레지스트, 신호 지연

6. 发明公开

KR1020130035894A 축전 장치 审中-实审
标题翻译：电源存储设备
公开(公告)号：KR1020130035894A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120105779
申请日：2012-09-24
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 타지마료타 , 호소야쿠니오 , 오사다타케시 , 오구니텟페이 , 야마자키,순페이
IPC分类号： H01M4/02 , H01M4/13 , H01G9/04 , H01M12/08
CPC分类号： H01M4/134 , H01M2/1673 , H01M2/18 , H01M4/366 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/025 , H01M2004/027
摘要： PURPOSE: A negative electrode and a storage device are provided to have high charging and discharging capacity, to be quickly charged and discharged, and to minimize the deterioration of a battery performance. CONSTITUTION: A negative electrode(200) comprises an active material(201) which includes a plurality of protrusions and to have a concave and polygonal shaped cross section. The active material includes one or more selected from silicon, germanium, tin, and aluminum. The active material additionally includes a common part(201a). The common part is connected to the protrusions. The common part and the protrusion contain the same material. A storage device includes the negative electrode.
摘要翻译：目的：提供负电极和存储装置以具有高充电和放电能力，以便快速充电和放电，并且最小化电池性能的劣化。构成：负极（200）包括活性材料（201），其包括多个突起并且具有凹形和多边形的横截面。活性物质包括选自硅，锗，锡和铝中的一种或多种。活性物质另外包括公共部分（201a）。公共部分连接到突起。公共部分和突起包含相同的材料。存储装置包括负极。

7. 发明公开

KR1020090104730A 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090104730A
公开(公告)日：2009-10-06
申请号：KR1020090026936
申请日：2009-03-30
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 호소야쿠니오
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/134309 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1255
摘要： PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the area of an auxiliary capacitor, thereby improving the aperture ratio of a pixel. CONSTITUTION: A display device comprises a gate electrode(104), a data signal line(102), the first insulating layer, a semiconductor film(105), a source electrode, a drain electrodes(106a,106b), a scanning signal line(101) and an auxiliary capacitance line(103). The gate electrode is formed on a light-transmissive substrate. The data signal line is formed by using the first conductive film. The first insulating layer is formed on the gate electrode and data signal line. The semiconductor film is formed on the first insulating layer. The source electrode and drain electrode are formed on the first insulating layer and semiconductor film.
摘要翻译：目的：提供一种显示装置及其制造方法，以减小辅助电容器的面积，从而提高像素的开口率。构成：显示装置包括栅电极（104），数据信号线（102），第一绝缘层，半导体膜（105），源电极，漏电极（106a，106b），扫描信号线（101）和辅助电容线（103）。栅电极形成在透光基板上。数据信号线通过使用第一导电膜形成。第一绝缘层形成在栅电极和数据信号线上。半导体膜形成在第一绝缘层上。源电极和漏电极形成在第一绝缘层和半导体膜上。

8. 发明公开

KR1020070052658A 표시장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070052658A
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：KR1020060108063
申请日：2006-11-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 후지카와사이시 , 호소야쿠니오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/055 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3279 , H01L29/4908 , H01L51/0023 , H01L51/56
摘要： 제1 도전막을 형성하고, 제1 도전막 위에 선택적으로 레지스트를 형성하고, 제1 도전막 및 레지스트 위에 제2 도전막을 형성하고, 레지스트를 제거함으로써 레지스트 위에 형성된 제2 도전막을 제거하고, 제1 도전막 위에 형성된 제2 도전막을 덮도록 제3 도전막을 형성하고, 제1 도전막 및 제3 도전막을 선택적으로 에칭하여, 복수의 배선 및 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해, 대형 패널에 저저항 재료를 사용한 배선을 형성할 수 있으므로, 신호 지연 등의 문제를 해결할 수 있다.
표시, 저항, 배선, 레지스트, 신호 지연
摘要翻译：形成第一导电膜，在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂，在第一导电膜和抗蚀剂上形成第二导电膜，去除抗蚀剂以去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜，形成第三导电膜以覆盖形成在膜上的第二导电膜，并且选择性地蚀刻第一导电膜和第三导电膜以形成多个布线和电极。根据本发明，可以在大尺寸的面板上形成使用低电阻材料的布线，从而解决信号延迟等问题。

9. 发明授权

KR102241235B1 각형 리튬 2차 전지 有权
公开(公告)号：KR102241235B1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：KR1020190114698
申请日：2019-09-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 호소야쿠니오 , 기무라쿠니오
IPC分类号： H01M10/0587 , H01M10/052 , H01M50/10
摘要： 본발명은, 충방전용량을저감시키지않고신뢰성이높은각형리튬 2차전지를제공한다. 제 1 세퍼레이터를끼우고중첩된정극시트와부극시트를포함하는집합시트가제 2 세퍼레이터를끼우고권회(捲回)된권회체(捲回體;wound body)를가지고, 정극시트및 부극시트는각각의집전체의양면에활물질합제층을가지고, 정극시트혹은부극시트의적어도한쪽의한면또는양면의활물질합제층은, 복수의개구부를가지는영역과, 개구부를가지지않는영역으로이루어지고, 집합시트의적어도구부러지지않는부분을복수의개구부를가지는영역을덮고있는각형리튬 2차전지이다.

10. 发明授权

KR101511494B1 다이오드, 및 이것을 갖는 표시장치 有权
标题翻译：包含二极管的二极管和显示器件
公开(公告)号：KR101511494B1
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020080130637
申请日：2008-12-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 호소야쿠니오 , 스즈키야스타카 , 후지카와사이시
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L29/04 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
摘要： 본발명은박막트랜지스터의오프전류를저감하는것을목적의하나로한다. 또한, 다이오드의역방향전류를저감하는것을목적의하나로한다. 또한, 박막트랜지스터를사용하는표시장치의화질의향상을목적의하나로한다. 게이트전극위에, 게이트절연막을개재하여상기게이트전극의단부에도달하지않는내측영역에형성된미결정반도체막과, 미결정반도체막의상면및 측면을피복하는비정질반도체막과, 비정질반도체막위에, 소스영역및 드레인영역을각각형성하는 1 도전형의불순물원소가첨가된불순물반도체막을갖고, 미결정반도체막은, 도너가되는불순물원소를포함하는박막트랜지스터이다.

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