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1. 发明公开

KR1020170082548A 표시 시스템 및 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示系统和显示
公开(公告)号：KR1020170082548A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020177014094
申请日：2015-11-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 야나기사와유이치 , 나카무라다이키 , 수기사와노조무 , 이케다히사오 , 센다나오유키 , 요시주미켄수케
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/00 , G06F3/14 , G06F3/147 , G06F1/16 , G06F3/044
CPC分类号： G06F3/1446 , G06F1/1622 , G06F1/1624 , G06F1/1643 , G06F1/1652 , G06F3/044 , G06F3/1415 , G06F3/1423 , G06F3/147 , G06F2203/04102 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , G09G3/001 , G09G3/20 , G09G3/2003 , G09G2300/023 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2300/0465 , G09G2330/021 , G09G2340/0407 , G09G2340/0442 , G09G2340/0457 , G09G2340/0464 , G09G2340/14 , G09G2354/00 , G09G2380/02
摘要： 대형화에적합한표시시스템또는표시장치를제공한다. 표시시스템은제 1 표시패널, 제 2 표시패널, 검출수단, 및보정수단을포함한다. 제 1 표시패널은제 1 표시영역을포함한다. 제 2 표시패널은제 2 표시영역을포함한다. 제 1 표시영역과제 2 표시영역은이들이중첩되는제 1 영역을포함한다. 검출수단은제 1 영역의크기를검출하는기능을가진다. 보정수단은제 1 영역의크기의변화에따라, 제 1 표시영역에표시되는화상을보정하는기능을가진다.
摘要翻译：提供适合放大的显示系统或显示设备。显示系统包括第一显示面板，第二显示面板，检测装置和校正装置。第一显示面板包括第一显示区域。第二显示面板包括第二显示区域。第一显示区域任务2显示区域包括它们重叠的第一区域。检测装置具有检测第一区域的大小的功能。校正装置具有根据第一区域的大小的改变来校正显示在第一显示区域中的图像的功能。

2. 发明公开

KR1020080100851A 메모리 소자 및 반도체 장치 有权
标题翻译：存储元件和半导体器件
公开(公告)号：KR1020080100851A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：KR1020087024783
申请日：2007-02-28
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 유카와미키오 , 수기사와노조무
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/13 , H01L27/101 , H01L27/1225
摘要： It is an object of the present invention to reduce variations in behavior of each memory element. In addition, it is another object of the present invention to obtain a semiconductor device, on which the memory element is mounted, which is superior in terms of performance and reliability. A memory element of the present invention includes in its structure a first conductive layer; a semiconductor layer; an organic compound layer; and a second conductive layer, where the semiconductor layer and the organic compound layer are interposed between the first conductive layer and the second conductive layer, and the semiconductor layer is formed to be in contact with the first conductive layer and/or the second conductive layer. With such a structure, variations in behavior of each memory element are reduced.
摘要翻译：本发明的目的是减少每个存储元件的行为变化。此外，本发明的另一个目的是获得其性能和可靠性方面优于其上安装有存储元件的半导体器件。本发明的记忆元件在其结构中包括第一导电层; 半导体层; 有机化合物层; 以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层介于第一导电层和第二导电层之间，并且半导体层形成为与第一导电层和/或第二导电层接触。利用这种结构，减少了每个存储元件的行为变化。

3. 发明授权

KR101316558B1 메모리 소자 및 반도체 장치 有权
标题翻译：存储元件和半导体器件
公开(公告)号：KR101316558B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020087024783
申请日：2007-02-28
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 유카와미키오 , 수기사와노조무
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/13 , H01L27/101
摘要： 본 발명의 목적은 각 메모리 소자의 거동에서의 편차들을 감소시키는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 성능과 신뢰성 면에서 월등하고 메모리 소자가 탑재되는 반도체 장치를 얻는 것이다. 본 발명의 메모리 소자는 그 구성에 제 1 도전층; 반도체층; 유기 화합물층; 및 제 2 도전층을 포함하고, 여기서 상기 반도체층 및 상기 유기 화합물층은 상기 제 1 도전층과 상기 제 2 도전층 사이에 개재되고, 상기 반도체층은 상기 제 1 도전층 및/또는 상기 제 2 도전층과 접하도록 형성된다. 이러한 구조로, 각 메모리 소자의 거동에서의 편차들이 감소된다.
메모리 소자, 메모리 장치, 유기 화합물층, 도전층, 접촉, 편차.

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