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1. 发明公开

KR1020210056300A 반도체 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210056300A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020210058869
申请日：2021-05-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 하야카와마사히코 , 모리야유타 , 고토준야 , 아라이야스유키
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1333
摘要： 트랜지스터의제작에사용하는포토리소그래피공정을종래보다도적게하고, 또한, 신뢰성이높은반도체장치를제공한다. 제 1 기판위에산화물반도체층을갖는트랜지스터를포함하는회로와, 상*?*기제 1 기판과씰재로고정된제 2 기판을가지며, 상기씰재, 상기제 1 기판, 및상기제 2 기판으로둘러싸이는폐공간은, 감압상태, 또는건조공기를충전하는반도체장치에관한것이다. 상기씰재는, 적어도상기트랜지스터를둘러싸고, 닫힌패턴형상을가진다. 또한상기회로는, 산화물반도체층을갖는트랜지스터를포함하는구동회로이다.

2. 发明公开

KR1020170078709A 입자, 전극, 전력 저장 장치, 전자 장치, 및 전극의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：颗粒，电极，电力储存装置，电子装置以及制造电极的方法
公开(公告)号：KR1020170078709A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020177013832
申请日：2015-10-14
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 카와카미타카히로 , 오치아이테루아키 , 요시토미슈헤이 , 타쿠야히로하시 , 모토요시마코 , 몸마요헤이 , 고토준야
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M4/1391
CPC分类号： H01M4/505 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M2220/30 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要： 전력저장장치의중량당용량을증대시키기위하여, 입자가제 1 영역, 제 1 영역의표면의적어도일부와접촉하며제 1 영역의바깥쪽에위치하는제 2 영역, 및제 2 영역의표면의적어도일부와접촉하며제 2 영역의바깥쪽에위치하는제 3 영역을포함한다. 제 1 영역및 제 2 영역은리튬및 산소를함유한다. 제 1 영역및 제 2 영역중 적어도하나는망가니즈를함유한다. 제 1 영역및 제 2 영역중 적어도하나는원소을함유한다. 제 1 영역은층상암염구조를갖는제 1 결정을함유한다. 제 2 영역은층상암염구조를갖는제 2 결정을함유한다. 제 1 결정의방향은제 2 결정의방향과다르다.
摘要翻译：为了增加蓄电装置的每单位重量的容量，优选的是，颗粒具有第一区域，与第一区域的表面的至少一部分接触且位于第一区域外侧的第二区域，第三个区域与第二个区域接触并位于第二个区域之外。第一区域和第二区域含有锂和氧。第一区域和第二区域中的至少一个含有锰。第一区域和第二区域中的至少一个包含元素。第一区域包含具有层状岩盐结构的第一晶体。并且第二区域包含具有层状岩盐结构的第二晶体。第一个晶体的方向不同于第二个晶体的方向。

3. 发明授权

KR102251755B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102251755B1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：KR1020200002324
申请日：2020-01-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 하야카와마사히코 , 모리야유타 , 고토준야 , 아라이야스유키
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786 , G02F1/1362 , G02F1/1333
摘要： 트랜지스터의제작에사용하는포토리소그래피공정을종래보다도적게하고, 또한, 신뢰성이높은반도체장치를제공한다. 제 1 기판위에산화물반도체층을갖는트랜지스터를포함하는회로와, 상기제 1 기판과씰재로고정된제 2 기판을가지며, 상기씰재, 상기제 1 기판, 및상기제 2 기판으로둘러싸이는폐공간은, 감압상태, 또는건조공기를충전하는반도체장치에관한것이다. 상기씰재는, 적어도상기트랜지스터를둘러싸고, 닫힌패턴형상을가진다. 또한상기회로는, 산화물반도체층을갖는트랜지스터를포함하는구동회로이다.

4. 发明公开

KR1020170101120A 축전 장치, 전지 제어 유닛 및 전자 기기 审中-实审
标题翻译：蓄电装置，电池控制单元和电子装置
公开(公告)号：KR1020170101120A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020170020894
申请日：2017-02-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고토준야 , 나카가와아이 , 사토유이카
IPC分类号： H01M2/02 , H01M10/42 , H01G11/78
CPC分类号： H01M2/0275 , H01G11/74 , H01G11/80 , H01G11/82 , H01M2/0207 , H01M2/08 , H01M2/1022 , H01M10/0525 , H01M10/425 , H01M2010/4271 , Y02E60/13
摘要： 본발명은반복적으로휠 수있는축전장치를제공한다. 또는, 신뢰성이높은축전장치를제공한다. 또는, 수명이긴 축전장치를제공한다. 또는, 반복적으로휠 수있는전자기기를제공한다. 또는, 가요성을갖는전자기기를제공한다. 양극과, 음극과, 양극과음극을감싸는외장체를갖고, 외장체는금속층과, 수지층을갖고, 금속층은외장체의외연부의일부에서외연부이외보다얇고, 외장체는외연부에복수의슬릿을갖는축전장치이다.
摘要翻译：本发明提供一种能够反复转动的蓄电装置。或者，提供高度可靠的电力储存装置。或者，提供具有长寿命的蓄电装置。或者，它提供了可重复使用的电子设备。或者，提供具有柔性的电子设备。环绕所述正电极，负电极和正电极与所述负电极具有外包装，外包装具有金属层和树脂层，所述金属层是比在外包装的某些外部部分的外部分薄，所述外包装包括多个外边缘部分的是具有狭缝的蓄电装置。

5. 发明公开

KR1020160091959A 전력 저장 유닛 및 그를 포함하는 전자 기기 审中-实审
标题翻译：电源存储单元和包括其的电子设备
公开(公告)号：KR1020160091959A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：KR1020167016948
申请日：2014-11-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 타지마료타 , 고토유우고 , 요네다유미코 , 고토준야 , 미와타쿠야
IPC分类号： H01M10/0525 , H01M10/04 , H01M2/02 , H01M2/16 , H01M2/18 , H01M12/08 , H01G11/06
CPC分类号： H05K5/0086 , H01M2/0277 , H01M2/0285 , H01M2/0287 , H01M2/06 , H01M2/1613 , H01M2/162 , H01M2/1626 , H01M2/1653 , H01M2/18 , H01M2/266 , H01M4/58 , H01M10/0463 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , H01M10/0525 , H01G11/06 , H01M12/08
摘要： 휨등의변형에의하여파괴되기어려운구조를갖는전력저장유닛을제공한다. 전극판이, 두개로접히는절연체의시트로덮인다. 이시트는, 전극판주변에서의시트의중첩되는부분을접합시킴으로써가방형상또는봉투형상으로가공되는것이바람직하다. 전극판및 시트는외장체에고정된다. 휨등에의하여외장체의형상이변화하는경우, 전극판및 시트는외장체내부에서미끄러지듯이움직일수 있다. 따라서, 휨으로인한전극판에대한응력을완화시킬수 있다.

6. 发明公开

KR1020170128102A 축전 장치 및 그 제작 방법 审中-实审
标题翻译：蓄电装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170128102A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020170057155
申请日：2017-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 오구니데페이 , 고토준야 , 나카가와아이
IPC分类号： H01M10/04 , H01M10/44 , H01M10/0567 , H01M10/0569
CPC分类号： H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/446 , H01M2300/004
摘要： 초기충방전시에분해생성물이나가스가생겨배터리가열화된다. 전해액에사용하는용매중 적어도하나(예를들어에틸렌카보네이트)를양극및 음극에접촉시킨후, 어느정도까지충전을행하고그 후에상이한용매또는전해액(예를들어에틸메틸카보네이트나바이닐렌카보네이트)을추가하여전해액의조정을행한다음, 충전을더 행한다. 이에의하여초기충방전시에안정적인피막이형성되므로전해액과활물질의부반응을안정적으로억제할수 있다.
摘要翻译：初始充电/放电过程中会产生分解产物或气体，电池会劣化。然后通过加入不同的溶剂或电解液用于电解溶液的正电极和负电极的溶剂，进行充电到一定程度和中的至少一个（如G.碳酸乙烯酯）接触后（例如，乙基甲基碳酸酯或乙烯基碳酸亚乙烯酯）在调整电解液之后，进一步进行充电。以这种方式形成在所述初始充放电稳定的涂料，所以它可以稳定地抑制电解质和活性物质的副反应。

7. 发明公开

KR1020160048668A 이차 전지, 및 이차 전지의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：二次电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160048668A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020150146435
申请日：2015-10-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고토준야 , 모토요시마코 , 사토유이카 , 가와카미다카히로
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/134 , H01M4/66 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/364 , H01M4/0445 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M4/70 , H01M2004/027
摘要： 실리콘을비롯한리튬과합금화하는재료, 및이들의산화물등은음극활물질로서의이론용량밀도가높다. 그러나, 충방전에따른체적변화가크기때문에음극활물질이팽창과수축을반복하면서미분화되어집전체에서박락하거나, 팽창하는음극활물질층과함께음극집전체가펴져서음극집전체에구김이생기는등의문제가있었다. 그러므로, 음극활물질의합금화에따른팽창을흡수할수 있는음극, 및이 음극을사용한이차전지를제공한다. 음극활물질층및 음극집전체에복수의요철을제공한다. 음극활물질층및 음극집전체의요철은각각중첩된다. 음극활물질층에제공된복수의요철로음극활물질의팽창을흡수하여변형을억제할수 있다. 또한, 음극집전체에제공된복수의요철로음극활물질의팽창과수축에따른음극집전체의변형을억제할수 있다.
摘要翻译：与诸如硅，其氧化物等的锂合金化的材料具有高水平的理论容量密度作为负极活性材料。然而，其体积由于充放电而显着变化，因此负极活性物质在重复膨胀和收缩的同时被从集电体上剥离并剥离，或者负极集电体用膨胀的负极活性物质层展开引起负极集电体的褶皱等问题。在这方面，本发明提供一种能够吸收由合金化产生的负极活性物质膨胀的负极和使用该负极的二次电池。在负极活性物质层和负极集电体中设置有多个不均匀的部分。负极活性物质层和负极集电体的各个不均匀部分重叠。设置在负极活性物质层中的不均匀部分可以吸收负极活性物质的膨胀并抑制负极活性物质的变形。此外，设置在负极集电体中的不均匀部分可以抑制由负极活性材料的膨胀和收缩引起的负极集电体的变形。

8. 发明公开

KR1020160007397A 2차 전지, 및 2차 전지를 구비한 전자 기기 审中-实审
标题翻译：二次电池和包括该电池的电子设备
公开(公告)号：KR1020160007397A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020150097027
申请日：2015-07-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다지마료타 , 고토유고 , 요네다유미코 , 고토준야 , 미와다쿠야 , 히로키마사아키
IPC分类号： H01M10/0525 , H01M4/66 , H01M2/02 , H01M4/38
CPC分类号： H01M4/13 , H01M2/0275 , H01M4/139 , H01M10/0525 , H01M2002/0205 , H01M2004/021 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , Y02E60/122
摘要： 본발명은신규구조를갖는전자기기를제공한다. 구체적으로는, 다양한외관형상으로변화할수 있는신규구조를갖는전자기기를제공한다. 구체적으로는, 집전체의한쪽면 또는양쪽면에활물질층을형성한후, 휘어지는영역의활물질층을부분적으로제거한다. 활물질층을제거하는영역은라인형상, 도트형상, 그리드형상등으로할 수있다. 집전체의한쪽면 또는양쪽면에활물질층을형성한후, 레이저광 등을사용하여조사영역의활물질층을부분적으로제거하는레이저가공을실시한다. 이집전체표면이노출된영역에는활물질층이형성되지않으므로전지로서는기능하지않는영역이다. 이와같은영역을형성함으로써넓은범위로가동영역을갖는 2차전지를실현할수 있다.
摘要翻译：提供具有新颖结构的电子设备。更具体地，提供了具有能够改变构象以具有各种外部的新颖结构的电子设备。在集电体的一侧或两侧形成活性物质层，然后去除弯曲区域上的活性物质层的一部分。去除活性物质层的区域可以是线，点和网格的形式。在集电体的一侧或两侧形成活性物质层之后，进行激光处理，以便在激光束照射的区域上部分去除活性物质层。活性物质层不形成在集电体的表面露出的区域上，这意味着该区域不起电池的作用。因此，可以通过形成这种区域来实现具有宽可操作区域的二次电池。

9. 发明公开

KR1020120087838A 반도체 장치 및 그 제작 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120087838A
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：KR1020120007727
申请日：2012-01-26
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 하야카와마사히코 , 모리야유타 , 고토준야 , 아라이야스유키
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1339 , G09F9/30
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1339 , G02F1/13454 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G09G3/3648 , G09G2300/04 , H01L27/127 , H01L2224/05572 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of photolithography processes when a transistor is manufactured. CONSTITUTION: Circuits(308,309) include a transistor with an oxide semiconductor layer on a first substrate(301). A second substrate(303) is fixed to the first substrate by a sealant(304). The first substrate is a semiconductor substrate or a glass substrate. The second substrate is a glass substrate. A closed space is surrounded by the sealant, the first substrate, and the second substrate. The pressure of the closed space is reduced or the closed space is filled with dry air.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以减少制造晶体管时的光刻处理次数。构成：电路（308,309）包括在第一衬底（301）上具有氧化物半导体层的晶体管。第二基板（303）通过密封剂（304）固定到第一基板。第一基板是半导体基板或玻璃基板。第二基板是玻璃基板。封闭空间被密封剂，第一基板和第二基板包围。封闭空间的压力减小或封闭空间充满干燥空气。

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