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1. 发明公开

KR1019980033351A 세정장치및세정방법 失效
公开(公告)号：KR1019980033351A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970056637
申请日：1997-10-30
申请人： 가부시키가이샤 프레테크 , 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 하라다야수유키 , 시바가주히코 , 네쯔시게요시
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 세정장치에 있어서, 세정용액 분사수단 그 자체는 OH- 이온수와 H+ 이온수의 발생기능을 가지고, 발생 즉시 피세정 기판위로 OH- 이온수와 H+ 이온수를 분사할 수 있으며,OH- 이온수와 H+ 이온수 중 하나가 세정용액으로서 선택적으로 사용될 수 있다.
이 세정장치는 피세정 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 세정용액을 기판위로 분사하기 위한 세정용액 분사수단을 갖는다. 세정용액 분사수단은 순수의 라디칼 활성화 및 이온화를 위한 전해이온 발생부재와, 그 라디칼 활성 또는 이온화수를 초음파에서 전달하여 기판위에 분사하기 위해 초음파 발생부재를 포함한다.

2. 发明公开

KR1019960039178A 반도체웨이퍼세정장치및방법 失效
标题翻译：半导体晶片清洁装置和方法
公开(公告)号：KR1019960039178A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019960013246
申请日：1996-04-26
申请人： 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 네쯔시게요시 , 하라다야스유끼
IPC分类号： H01L21/304

3. 发明授权

KR100311180B1 세정장치및세정방법 失效
公开(公告)号：KR100311180B1
公开(公告)日：2001-12-17
申请号：KR1019970056637
申请日：1997-10-30
申请人： 가부시키가이샤 프레테크 , 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 하라다야수유키 , 시바가주히코 , 네쯔시게요시
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 세정장치에 있어서, 세정용액 분사수단 그 자체는 OH- 이온수와 H+ 이온수의 발생기능을 가지고, 발생 즉시 피세정 기판위로 OH- 이온수와 H+ 이온수를 분사할 수 있으며,OH- 이온수와 H+ 이온수 중 하나가 세정용액으로서 선택적으로 사용될 수 있다.
이 세정장치는 피세정 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 세정용액을 기판위로 분사하기 위한 세정용액 분사수단을 갖는다. 세정용액 분사수단은 순수의 라디칼 활성화 및 이온화를 위한 전해이온 발생부재와, 그 라디칼 활성 또는 이온화수를 초음파에서 전달하여 기판위에 분사하기 위해 초음파 발생부재를 포함한다.

4. 发明授权

KR100431775B1 반도체웨이퍼세정장치및방법 失效
公开(公告)号：KR100431775B1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：KR1019960013246
申请日：1996-04-26
申请人： 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 네쯔시게요시 , 하라다야스유끼
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/10 , C02F1/36 , C02F1/4618 , C02F2001/4619 , C02F2201/4611 , C02F2201/46115 , C02F2201/46195 , H01L21/67057
摘要： An improvement is proposed in the cleaning treatment of semiconductor silicon wafers in which the conventional step of cleaning with an aqueous solution of an alkali is replaced with a cleaning treatment with a temporarily alkaline pure water which is produced electrolytically by the application of a DC voltage between a cathode and an anode bonded to the surfaces of a hydrogen-ion exchange membrane so that the alkaline cleaning treatment can be performed under mild conditions so as to eliminate the troubles due to formation of COPs unavoidable in the conventional process. In addition, the pure water rinse following the alkali cleaning of the wafers before transfer to the succeeding acidic cleaning step can be omitted to greatly contribute to the improvement of productivity. The apparatus used therefor comprises a rectangular vessel divided into a central cathode compartment, in which the wafers are held in a vertical disposition within an upflow of pure water, and a pair of anode compartments by partitioning with a pair of hydrogen-ion exchange membranes, on both sides of which a cathode plate and anode plate are bonded.
摘要翻译：在半导体硅晶片的清洗处理中提出了一种改进方案，其中用碱水溶液清洗的常规步骤用用电解产生的暂时碱性纯水的清洗处理代替，与氢离子交换膜的表面结合的阴极和阳极，使得碱性清洁处理可以在温和条件下进行，以消除由于在常规方法中不可避免的COP的形成而导致的麻烦。另外，可以省略在转移到随后的酸性清洗步骤之前对晶片进行碱清洗之后的纯水冲洗，以大大有助于提高生产率。为此使用的设备包括一个矩形容器，该容器被分成中心阴极室和一对阳极室，中心阴极室中的晶片通过一对氢离子交换膜分隔开，其中晶片在纯水的上流中保持垂直布置，在其两侧粘结阴极板和阳极板。＆lt;图像＆GT;

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