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1. 发明授权

KR100546437B1 부특성 서미스터의 제조 방법 失效
标题翻译：制造负温度系数热敏电阻的方法
公开(公告)号：KR100546437B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030048286
申请日：2003-07-15
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 가키하라사토시 , 이시이다케히코 , 나가레다겐지 , 가와세마사히코 , 후지타사토시
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H05B3/12 , H05B2203/019
摘要： 본 발명은 내부 전극을 갖는 부(負)특성 서미스터(thermistor)에 있어서, 보다 저(低)저항화를 실현하며, 또한 전해 도금시의 도금 성장을 방지한다. 또한, 종래와 비교하여 광범위에서의 저항값 조정이나 B상수 조정이 가능해지는 부특성 서미스터 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 천이(遷移) 금속 산화물을 주성분으로 하고, 내부 전극을 갖는 부특성 서미스터로서, 내부 전극 형성 재료에, Cu 또는 Cu화합물 중 어느 하나를 함유시킨다. 바람직하게는, 내부 전극 형성 재료 및 외부 전극 형성 재료에, Cu 또는 Cu화합물 중 어느 하나를 함유시킨다. 그리고, 소성시의 온도 프로파일, 노 내부의 산소 농도, 및 냉각 조건을 제어함으로써, 상기 서미스터 소체(素體)의 상기 내부 전극 부근으로 확산하는 Cu의 양을 조절한다.
부특성 서미스터, 서미스터 소체, 내부 전극, 외부 전극

2. 发明公开

KR1020020028842A 부온도계수의 저항을 갖는 반도체 세라믹 및 부온도계수서미스터 失效
标题翻译：具有负温度系数和负温度系数热敏电阻的半导体陶瓷
公开(公告)号：KR1020020028842A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：KR1020010062412
申请日：2001-10-10
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 나카야마아키노리 , 후지타사토시
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/016 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3293 , C04B2235/763 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01C7/043 , H01C7/045
摘要： PURPOSE: Provided is a semiconductor ceramic having good moldability and a negative temperature coefficient of resistance highly reliable under a high-humidity environment. CONSTITUTION: The semiconductor ceramic is prepared by adding 0.1 to 20 mol% AMnO3 (A is at least one kind among Ca, Sr, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ho) to a spinel-base multi component oxide consisting of a solid solution of Mn and at least one kind among Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mg and Al and has the negative temperature characteristic. The perovskite Mn multi component oxide includes CaMnO3, SrMnO3, BaMnO3, LaMnO3, PrMnO3, NdMnO3, SmMnO3, EuMnO3, GdMnO3, TbMnO3, DyMnO3 and HoMnO3.
摘要翻译：目的：提供在高湿度环境下具有良好的成型性和耐温度的负温度系数高度可靠的半导体陶瓷。构成：通过将0.1〜20mol％的AMnO 3（A，Ca，Sr，Ba，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy和Ho中的至少一种）加入到尖晶石中来制备半导体陶瓷由Ti，V，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Mg和Al中至少一种的固溶体构成的多组分氧化物，具有负温度特性。钙钛矿Mn多组分氧化物包括CaMnO 3，SrMnO 3，BaMnO 3，LaMnO 3，PrMnO 3，NdMnO 3，SmMnO 3，EuMnO 3，GdMnO 3，TbMnO 3，DyMnO 3和HoMnO 3。

3. 发明公开

KR1020040010195A 부특성 서미스터의 제조 방법 失效
标题翻译：负极特性热敏电阻及其制造
公开(公告)号：KR1020040010195A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030048286
申请日：2003-07-15
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 가키하라사토시 , 이시이다케히코 , 나가레다겐지 , 가와세마사히코 , 후지타사토시
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H05B3/12 , H05B2203/019
摘要： PURPOSE: To provide a method for manufacturing a negative characteristic thermistor which can have lower resistance, prevents plating growth in electrolytic plating, and enables resistance value adjustment and B constant adjustment over wider ranges than before as a negative characteristic thermistor with an internal electrode. CONSTITUTION: The negative characteristic thermistor consists principally of transition metal oxide and has the internal electrode, and Cu, Cu oxide, or a Cu compound is incorporated in an internal electrode forming material. Preferably, Cu, Cu oxide, or a Cu compound is incorporated in the internal electrode forming material and an external electrode forming material. Then a temperature profile and in-furnace oxygen density in baking and cooling conditions are controlled to adjust the amount of Cu diffused nearby the internal electrode of a thermistor raw body.
摘要翻译：目的：提供一种制造具有较低电阻的负特性热敏电阻的方法，防止电解电镀中的电镀生长，并使电阻值调整和B恒定调节在比以前更宽的范围内作为具有内部电极的负特性热敏电阻。构成：负极特性热敏电阻主要由过渡金属氧化物组成并具有内部电极，并且Cu，Cu氧化物或Cu化合物掺入内部电极形成材料中。优选地，在内部电极形成材料和外部电极形成材料中引入Cu，Cu氧化物或Cu化合物。然后控制烘烤和冷却条件下的温度曲线和炉内氧浓度，以调节热敏电阻原料的内部电极附近扩散的Cu的量。

4. 发明授权

KR100389274B1 부온도계수의 저항을 갖는 반도체 세라믹 및 부온도계수서미스터 失效
标题翻译： 부온도계수의저항을갖는반반체계계서서서서
公开(公告)号：KR100389274B1
公开(公告)日：2003-06-27
申请号：KR1020010062412
申请日：2001-10-10
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 나카야마아키노리 , 후지타사토시
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/016 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3293 , C04B2235/763 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01C7/043 , H01C7/045
摘要： A semiconductor ceramic having a negative temperature coefficient of resistance, the element comprising about 0.1 to 20 mol % of AMnO3 (A represents at least one of Ca, Sr, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ho) and to a spinel composite oxide made of a solid solution of Mn and at least one element in Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mg and Al. As a perovskite Mn composite oxide, one or more of CaMnO3, SrMnO3, BaMnO3, LaMnO3, PrMnO3, NdMnO3, SmMnO3, EuMnO3, GdMnO3, TbMnO3, DyMnO3 and HoMnO3 may be used.
摘要翻译：一种具有负的电阻温度系数的半导体陶瓷，该元素含有约0.1〜20摩尔％的AMnO 3（A表示Ca，Sr，Ba，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy中的至少一种和Ho）以及由固溶Mn和Ti，V，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Mg和Al中的至少一种元素制成的尖晶石复合氧化物。作为钙钛矿型Mn复合氧化物，可以使用CaMnO 3，SrMnO 3，BaMnO 3，LaMnO 3，PrMnO 3，NdMnO 3，SmMnO 3，EuMnO 3，GdMnO 3，TbMnO 3，DyMnO 3和HoMnO 3中的一种或多种。

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