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1. 发明授权

KR100500493B1 실리콘계 전도성 재료와 그 제조 방법 失效
标题翻译：基于硅的导电材料及其生产工艺
公开(公告)号：KR100500493B1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：KR1020007004412
申请日：1998-08-14
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스 , 하루야마, 슈니치
发明人： 하루야마,슈니치 , 야마시타오사무 , 사다토미노부히로 , 사이고추네카주
IPC分类号： H01L35/14
摘要： 본 발명은 반도체 Si를 주체로 하며, 제조가 용이하고, 취급이 간단하며, 상온에서의 전기 저항율이 종래에는 불가능하였던 10
-4 (Ω·m) 이하인 실리콘계 전도성 재료에 관한 것이다. 또한, 실리콘에 각종 원소를 비교적 다량 첨가함으로써 반도체에서는 일반적인 10
-6 (Ω·m) 이하의 전기 저항율을 달성할 수 있다. 이러한 전도성 재료는 이온 빔 주입 및 패터닝에 의해 반도체 Si 기판 내에 필요한 패턴으로 제공될 수 있다. 또한, 이러한 전도성 재료는 판재, 봉재, 전선재로 형성될 수 있음은 물론, 미립자화되어 수지나 유리 내에 분산됨으로써 전도성 시트재를 포함한, 전도성이 필요한 모든 용도에 적용 가능하다.

2. 发明公开

KR1020010043517A 열전 변환 재료 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：热电转换材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010043517A
公开(公告)日：2001-05-25
申请号：KR1020007012611
申请日：2000-03-10
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 사다토미노부히로 , 야마시타오사무 , 사이고츠네카즈 , 노우미마사오
IPC分类号： H01L35/14
摘要： 본 발명은 실리콘기 열전 변환 재료의 제베크 계수, 열전도도를 저하시키는 일 없이, 재료의 열전도율을 크게 저하시켜, 성능 지수를 크게 향상시킬 수 있는 실리콘기 열전 변환 재료 및 열전 변환 소자를 제공하는 것을 목적으로 하고, 실리콘 풍부상으로 이루어지는 결정립과 그 결정립계에 첨가 원소의 적어도 1종이 석출된 첨가 원소 풍부상을 갖는 결정 조직으로 함으로써, 제베크 계수가 극히 커지고 열전도도가 작아지며, 열전 변환 효율을 현저히 높일 수 있고, 자원적으로 풍부한 실리콘이 주체로서 환경 오염이 극히 없는 실리콘기 열전 변환 재료를 얻는다. 예를 들어, 실리콘기 열전 변환 재료에 탄소, 게르마늄, 주석을 첨가함으로써, 실리콘기 재료 중의 캐기어 농도를 변화시키지 않으면서도 열전도도를 크게 감소시킬 수 있고, 열전도도를 감소시키는 데에는 첨가량이 5~10 at%가 최적이고, Ⅳ족 원소와 p-형 또는 n-형 반도체를 제조하기 위하여 첨가되는 첨가 원소가 다결정 실리콘의 결정립계에 석출된 구조를 가짐으로써, 캐리어 농도가 10
17 내지 10
21 (M/m
3 )이고, 열전도도가 50 W/mㆍK 이하인 p-형 또는 n-형 반도체가 얻어진다.

3. 发明公开

KR1020010031402A 열전 변환 재료 有权
标题翻译：热电转换材料
公开(公告)号：KR1020010031402A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020007004420
申请日：1998-08-05
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 야마시타오사무 , 사다토미노부히로 , 사이고추네카주
IPC分类号： H01L35/14
摘要： 본 발명은 Si에 각종 불순물을 첨가한 P형 반도체 혹은 N형 반도체로 이루어져, 생산성이 좋고, 품질이 안정적이며, 저렴하고 또한 높은 성능 지수를 갖는 열전 변환 재료인 신규의 Si계 열전 변환 재료의 제공을 목적으로 하고 있다. Si에 여러 가지 원소를 첨가하면, 캐리어 농도가 10
18 (M/m
3 )까지는 캐리어의 증가와 함께 제벡 계수는 저하되지만, 10
18 내지 10
19 (M/m
3 )에 걸쳐 극소치를 지닌다고 하는 성질을 갖는데, 이러한 성질을 갖는 Si에, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl의 원소를 단독 또는 복합하여, 혹은 N, P, As, Sb, Bi, O, S, Se, Te의 원소를 단독 또는 복합하여, 0.001 원자% 이상, 0.5 원자% 이하 함유하고, 캐리어 농도가 10
17 내지 10
20 (M/m
3 )인 P형 반도체 혹은 N형 반도체로 이루어진 열전 변환 재료, 나아가 상기 원소를 0.5 원자% 이상, 10 원자% 이하 함유하고, 캐리어 농도가 10
19 내지 10
21 (M/m
3 )인 P형 반도체 혹은 N형 반도체로 이루어진 열전 변환 재료를 얻는다.

4. 发明授权

KR100398939B1 열전 변환 재료 有权
标题翻译： 열전변환재료
公开(公告)号：KR100398939B1
公开(公告)日：2003-10-10
申请号：KR1020007004420
申请日：1998-08-05
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 야마시타오사무 , 사다토미노부히로 , 사이고추네카주
IPC分类号： H01L35/14
CPC分类号： H01L35/22 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A novel silicon-base thermoelectric transducing material containing a P- or N-type semiconductor obtained by adding various impurities to Si, which is produced with good productivity at low cost and has a stable quality and a high performance index. Generally when various elements are added to Si, the Seebeck coefficient of the material decreases with the carrier concentration until the carrier concentration exceeds 10 M/m , and a minimum value of the Seebeck coefficient is in a range from 10 to 10 M/m . The material of the invention is a P- or N-type semiconductor having a carrier concentration of 10 to 10 M/m and containing Si and 0.001 to 0.5 atomic % of one or more elements of Be, Mg, Ca, Sr, Ba Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, and Tl, or one or more elements of N, P, As, Sb, Bi, O, S, Se, and Te, and another material is a P- or N-type semiconductor having a carrier concentration of 10 to 10 M/m and containing Si and 0.5 to 10 atomic % of one or more of the elements.
摘要翻译：一种新型的硅基热电转换材料，其含有通过向硅中添加各种杂质而获得的P-或N-型半导体，其以低成本以良好生产率生产且具有稳定的品质和高性能指数。通常当将各种元素加入到Si中时，材料的塞贝克系数随着载流子浓度而降低，直到载流子浓度超过10 18。 M / m 3，并且塞贝克系数的最小值在10 18至100的范围内。至10 19。 M / M＆LT; 3。本发明的材料是载流子浓度为10 17的P-或N-型半导体。至10 20。 M / M＆LT 3的密度; 并含有Si和0.001〜0.5原子％的Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Hg，B，Al，Ga，In和Tl中的一种或多种元素或N，P ，As，Sb，Bi，O，S，Se和Te，并且另一种材料是载流子浓度为10 19的P-或N-型半导体。至10 21。 M / M＆LT 3的密度; 并含有Si和0.5-10原子％的一种或多种元素。＆lt;图像＆GT;

5. 发明授权

KR100341669B1 열전 변환 소자 有权
标题翻译：热电转换元件
公开(公告)号：KR100341669B1
公开(公告)日：2002-06-24
申请号：KR1019997007878
申请日：1998-12-24
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 야마시타오사무 , 사다토미노부히로
IPC分类号： H01L35/14
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/22
摘要： 본발명은신규한조성의 Si계열전변환재료를구성하는 P 형및 N 형반도체를 PN 접합한구성과, 반도체와리드배선을접합금속으로접합한구성으로이루어진열전변환소자에있어서, 높은열기전력을발생시킬수 있는 PN 접합구조와, 반도체와리드배선의접합구조를갖는열전변환소자를제공할목적으로, Si에각종원소를첨가한 P 형및 N 형반도체를 PN 접합할때에, Ag, Al 또는은납중어느하나또는이들의합금을, 또한, 리드배선돠반도체의접속시에는 Zn, Ni, Cu, Ag, Au 또는 Cu-30Zn 중어느 1 종류의금속또는이들의합금을사용하여접합함으로써, 고효율의열전변환소자를얻을수 있다.

6. 发明授权

KR100419488B1 열전 변환 재료 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 열전변환재료및그제조방법
公开(公告)号：KR100419488B1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020007012611
申请日：2000-03-10
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 사다토미노부히로 , 야마시타오사무 , 사이고츠네카즈 , 노우미마사오
IPC分类号： H01L35/14
CPC分类号： H01L35/22 , H01L35/34
摘要： It is an object of the present invention to provide a silicon-based thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion element with which the thermal conductivity of a silicon-based thermoelectric conversion material can be lowered without decreasing the Seebeck coefficient and electrical conductivity of the material, which affords a marked increase in the Figure of merit. A polycrystal structure comprises crystal grains composed of a silicon-rich phase, and a added element-rich phase in which at least one type of added element is deposited at the grain boundary thereof, the result of which is an extremely large Seebeck coefficient and low thermal conductivity, allowing the thermoelectric conversion rate to be raised dramatically, and affording a silicon-based thermoelectric conversion material composed chiefly of silicon, which is an abundant resource, and which causes extremely little environmental pollution. For example, adding carbon, germanium, or tin to a silicon-based thermoelectric conversion material allows the thermal conductivity to be greatly reduced without changing the carrier concentration in the silicon-based material. A doping amount of 5 to 10 at% is ideal for lowering the thermal conductivity, and if a dopant that is added in order to produce a p- or n-type semiconductor and a group-IV element are deposited at the grain boundary of polycrystalline silicon, the resulting p- or n-type semiconductor will have a carrier concentration of 10 to 10 (M/m ) and a thermal conductivity of 50 W/m.K or less.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种硅基热电转换材料和热电转换元件，通过该硅基热电转换材料和热电转换元件可以降低硅基热电转换材料的热导率而不降低材料的塞贝克系数和电导率，显着提高了品质因数。多晶结构包括由富硅相构成的晶粒和添加的元素富集相，其中至少一种添加元素沉积在其晶界处，其结果是非常大的塞贝克系数和低的塞贝克系数导热性，使得热电转换率显着提高，并且提供主要由硅构成的硅基热电转换材料，这是一种丰富的资源，并且对环境污染极少。例如，在硅基热电转换材料中加入碳，锗或锡，可以大大降低热导率，而不会改变硅基材料中的载流子浓度。 5〜10原子％的掺杂量对于降低热导率是理想的，并且如果为了制造p型或n型半导体和IV族元素而添加的掺杂剂被沉积在多晶的晶界处硅，所得的p型或n型半导体将具有10 17的载流子浓度。至10 21。（M / m 3）以及50W / m.K或更小的热导率。＆lt;图像＆GT;

7. 发明公开

KR1020010031395A 실리콘계 전도성 재료와 그 제조 방법 失效
标题翻译：硅基导电材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010031395A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020007004412
申请日：1998-08-14
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스 , 하루야마, 슈니치
发明人： 하루야마,슈니치 , 야마시타오사무 , 사다토미노부히로 , 사이고추네카주
IPC分类号： H01L35/14
摘要： 본 발명은 반도체 Si를 주체로 하며, 제조가 용이하고, 취급이 간단하며, 상온에서의 전기 저항율이 종래에는 불가능하였던 10
-3 (Ω·m) 이하인 실리콘계 전도성 재료에 관한 것이다. 또한, 실리콘에 각종 원소를 비교적 다량 첨가함으로써 반도체에서는 일반적인 10
-6 (Ω·m) 이하의 전기 저항율을 달성할 수 있다. 이러한 전도성 재료는 이온 빔 주입 및 패터닝에 의해 반도체 Si 기판 내에 필요한 패턴으로 제공될 수 있다. 또한, 이러한 전도성 재료는 판재, 봉재, 전선재로 형성될 수 있음은 물론, 미립자화되어 수지나 유리 내에 분산됨으로써 전도성 시트재를 포함한, 전도성이 필요한 모든 용도에 적용 가능하다.

8. 发明公开

KR1020000075805A 열전 변환 소자 有权
标题翻译：热电元件
公开(公告)号：KR1020000075805A
公开(公告)日：2000-12-26
申请号：KR1019997007878
申请日：1998-12-24
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 야마시타오사무 , 사다토미노부히로
IPC分类号： H01L35/14
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/22
摘要： 본발명에따른열전변환소자에서전력발생효율(즉, 변환효율)은 Si 베이스 P 형및 N 형반도체사이에 PN 접합형성용 Ag, Al 또는은 납땜재료로이루어진금속막을삽입하고, 반도체와리드배선사이의접합부에 Zn, Ni, Cu, Ag, Au 또는 Cu-30Zn 중하나로이루어진금속막을삽입함으로써개선되며, 이로써기전력과열 기전력은금속과반도체사이의계면영역에발생된쇼트키장벽에기인하여서로제거되지않게된다. 소정의열전변환효율은원래의열전속성이저하하는일 없이본 발명에개시된재료에의해달성될수 있다.

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