专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明授权

KR100228453B1 레벨 변환 회로 失效
标题翻译：电平转换电路
公开(公告)号：KR100228453B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019950024392
申请日：1995-08-08
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 오쯔가노부아끼
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/12 , H03K3/356147
摘要： 부(-) 게이트 소거형 플래시메모리에서의 로우 디코드 회로에 이용하기에 적합한 레벨 변환 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
2개의 반전 회로의 입력단과 출력단끼리를 접속하여 래치회로를 형성하고, 이들 입출력단의 접속점 N1, N2와 접지점간에 각각 2개의 N 채널형 MOS 트랜지스터(Q16,Q15 및 Q18,Q17)를 직렬 접속하고 있다. 각 반전회로를 전위 V
H 와 V
L 사이의 전압으로 동작한다. 접지점 측의 트랜지스터 Q16, Q18에는 고레벨이 전원 Vcc이고, 저레벨이 전위 V
L 인 제어신호 ERS를 공급하고, 접속점 N1, N2측의 트랜지스터 Q15, Q17에는 서로 반전 관계가 있는 입력신호 IN, /IN을 공급한다. 상기 접속점 N1, N2의 적어도 한쪽에서 출력신호/OUT, OUT를 얻는 것을 특징으로 한다. "H"레벨 측과 "L"레벨 측의 레벨 변환을 1단으로 실현할 수 있고, 입력 신호의 래치 동작도 가능하다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB