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1. 发明公开

KR1020030074474A 반도체 레이저 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1020030074474A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020030016134
申请日：2003-03-14
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다나카아키라 , 다나카히로카즈 , 이토요시유키 , 겐에이고이치
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
摘要： 실(實) 굴절률 도파형의 반도체 레이저에 있어서, 고출력의 반도체 레이저를 얻는다. 제1도전형 클래드층과, 전류주입에 의해 광을 방사하는 활성층, 제1의 제2도전형 클래드층, 리지 도파로로서의 제2의 제2도전형 클래드층, 상기 제2의 제2도전형 클래드층을 사이에 두고 그 양측에 형성되어 상기 제1 및 제2의 제2도전형 클래드층보다도 큰 밴드갭을 갖는 전류저지층 및, 전류를 상기 제2의 제2도전형 클래드층으로 인도하여 상기 전류저지층으로의 리크전류의 유입을 방지할 정도의 이동도를 갖는 것으로서 구성된 제3의 제2도전형 클래드층을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 레이저를 제공한다.

2. 发明授权

KR100171637B1 배향막 평가 장치 失效
标题翻译：对准膜评估装置
公开(公告)号：KR100171637B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019940023134
申请日：1994-09-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이시바시미츠루 , 사사키히데유키 , 노마키다츠오 , 다나카아키라 , 하세가와레이
IPC分类号： G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/133784 , G01N21/21
摘要： 배향막 평가 장치와 러빙 처리 장치는 액정 배향막에 대한 배향능을 실제 제조 공정중에도 고감도 및 고정확도로 양적으로 측정할 수 있고 배향 상태를 정확하게 제어하여 안정한 제조 상태를 획득하고 생산성 및 양품률의 향상을 가져올 수 있다. 배향막 평가 장치는 적외광을 사출하는 유닛, 적외광을 배향막의 배향 방향에 평행 및 직교 방향으로 편광하여 그 편광된 적외광을 배향막에 조사하는 편광부, 배향막상에 반사된 적외광을 검출하는 검출부 및 검출부에 의해 검출된 적외광으로부터 배향막의 편광 방향에 대한 흡광도 차를 구하여 배향막의 배향능을 평가하는 평가부를 포함한다.

3. 发明公开

KR1020160034331A 내이로젼성 재료 및 터빈 블레이드 审中-实审
标题翻译：耐腐蚀材料和涡轮叶片
公开(公告)号：KR1020160034331A
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020167003488
申请日：2014-08-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 오카모토데츠시 , 사와후미오 , 하라카와다카시 , 야마자키겐이치 , 조히로아키 , 시부카와나오키 , 하시다테다다유키 , 효도요시히로 , 다나카아키라 , 사쿠마마사미츠
IPC分类号： C08J5/04 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08L101/00 , B22F7/02 , F01D5/28
CPC分类号： F01D5/288 , B22F7/02 , C08K3/013 , C08K2003/0856 , C08K2003/2227 , C08L63/00 , C09D5/084 , F05D2220/30 , F05D2230/90 , F05D2300/11 , F05D2300/121 , F05D2300/13 , F05D2300/133 , F05D2300/16 , F05D2300/21 , F05D2300/211 , F05D2300/2112 , F05D2300/222 , F05D2300/431 , F05D2300/44 , F05D2300/501 , F05D2300/506 , F05D2300/51 , F05D2300/603 , F05D2300/609 , F05D2300/611 , F05D2300/614 , Y02T50/672
摘要： 내(耐)이로젼성재료는연속부및 불연속부를갖는다. 연속부는연속한구조를갖는다. 불연속부는연속부의내부에불연속인구조로되도록배치되어있다. 당해불연속부는평균입경 1㎛이하의입자로이루어진다. 또한, 당해불연속부는연속부보다도표면경도및 영률이높은재료로이루어진다.
摘要翻译：抗侵蚀材料具有连续部分和不连续部分。连续部分具有连续的结构。不连续部分设置在连续部分内部以具有不连续的结构。不连续部分由平均粒径为1μm以下的颗粒形成。此外，不连续部分由具有高于连续部分的表面硬度和杨氏模量的材料形成。

4. 发明公开

KR1020010021336A 반도체 레이저장치 有权
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020010021336A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1020000047452
申请日：2000-08-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 겐에이고이치 , 시오자와히데오 , 다나카아키라
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser device is provided to reduce the height of band gap discontinuity, and to improve an operating voltage and an operating current by forming an active layer with bulk structure with a specific film thickness at the first laser element, and by forming the active layer with the lamination structure of quantum well and barrier layers in a second laser element. CONSTITUTION: Laser elements(40, 41) that have wavelength 780 and 650 nm, respectively, are formed on the same n-type GaAs crystal substrate. In both the laser elements(40, 41), second p-type cladding layers(18, 28) are machined to projecting strip called a ridge, and both the sides are buried by a GaAs current element layer(31), thus constricting current flowing into an active layer, and generating strip-shaped gain distribution in the active layer. In this case, an active layer(14) has an undoped layer of AlGaAs with a layer thickness of 0.01 μm or more and 0.1 nm or less, namely, bulk structure, and an active layer(24) is a multi quantum well active layer being composed of the undoped well layer and a barrier layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体激光器件，以减小带隙不连续性的高度，并且通过在第一激光元件处形成具有特定膜厚的体积结构的有源层来提高工作电压和工作电流，并且通过形成在第二激光元件中具有量子阱和势垒层的层叠结构的活性层。构成：分别在同一n型GaAs晶体衬底上形成具有780和650nm波长的激光元件（40,41）。在这两个激光元件（40,41）中，第二p型覆层（18,28）被加工成被称为脊的凸出条，并且两个边被GaAs电流元件层（31）掩埋，从而收缩电流流入有源层，并在活性层中产生带状增益分布。在这种情况下，有源层（14）具有层厚度为0.01μm以上且0.1nm以下的AlGaAs的未掺杂层，即体结构，有源层（24）为多量子阱活性层由未掺杂的阱层和阻挡层组成。

5. 发明公开

KR1020030019245A 반도체 레이저장치 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030019245A
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020020051886
申请日：2002-08-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 겐에이고이치 , 다나카아키라 , 이토요시유키 , 와타나베미노루 , 오쿠다하지메
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要： PURPOSE: To provide a semiconductor laser device which is superior in a spreading angle of light, kink characteristics, and temperature characteristics, and to provide its manufacturing method. CONSTITUTION: A semiconductor laser device is equipped with a first conductivity-type clad layer (103) having a certain refractive index constant in the direction of thickness; an active layer (107) formed thereon; a second conductivity-type clad layers (108 and 110) which are formed thereon, have refractive indexes constant in the direction of thickness, are provided with a ridge that is located thereon, and extends in parallel with the direction of laser resonance; and a current block layer (113) provided on each side of the ridge. A current constricted by the current block layer (113) is injected into the active layer through the intermediary of the top surface of the ridge, the first conductivity-type clad layer (103) and the second conductivity-type clad layers (108 and 110) are formed of semiconductor of nearly the same composition, and the first conductivity-type clad layer (103) is set larger in thickness than the second conductivity-type clad layers containing the ridge.
摘要翻译：目的：提供一种在光扩展角度，扭结特性和温度特性方面优越的半导体激光器件，并提供其制造方法。构成：半导体激光装置配备有在厚度方向上具有一定折射率常数的第一导电型覆盖层（103）形成在其上的有源层（107）在其上形成的第二导电型覆盖层（108和110）在厚度方向上的折射率恒定，设置有位于其上的脊，并且与激光谐振的方向平行地延伸; 以及设置在所述脊的每一侧上的当前阻挡层（113）。由当前阻挡层（113）收缩的电流通过脊的顶表面介于有源层中，第一导电型覆盖层（103）和第二导电型覆盖层（108和110））由几乎相同组成的半导体形成，并且第一导电型覆盖层（103）的厚度设定为比包含脊的第二导电型覆盖层的厚度大。

6. 发明授权

KR101814509B1 내이로젼성 재료 및 터빈 블레이드 有权
标题翻译： Myotoxic材料和涡轮叶片
公开(公告)号：KR101814509B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR1020167003488
申请日：2014-08-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 오카모토데츠시 , 사와후미오 , 하라카와다카시 , 야마자키겐이치 , 조히로아키 , 시부카와나오키 , 하시다테다다유키 , 효도요시히로 , 다나카아키라 , 사쿠마마사미츠
IPC分类号： C08J5/04 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08L101/00 , B22F7/02 , F01D5/28
CPC分类号： F01D5/288 , B22F7/02 , C08K3/013 , C08K2003/0856 , C08K2003/2227 , C08L63/00 , C09D5/084 , F05D2220/30 , F05D2230/90 , F05D2300/11 , F05D2300/121 , F05D2300/13 , F05D2300/133 , F05D2300/16 , F05D2300/21 , F05D2300/211 , F05D2300/2112 , F05D2300/222 , F05D2300/431 , F05D2300/44 , F05D2300/501 , F05D2300/506 , F05D2300/51 , F05D2300/603 , F05D2300/609 , F05D2300/611 , F05D2300/614 , Y02T50/672
摘要： 내(耐)이로젼성재료는연속부및 불연속부를갖는다. 연속부는연속한구조를갖는다. 불연속부는연속부의내부에불연속인구조로되도록배치되어있다. 당해불연속부는평균입경 1㎛이하의입자로이루어진다. 또한, 당해불연속부는연속부보다도표면경도및 영률이높은재료로이루어진다.
摘要翻译：防迁移材料具有连续部分和不连续部分。连续部分具有连续结构。不连续部分被设置成在连续部分内具有不连续结构。不连续部分由平均粒径为1或更小的颗粒组成。不连续部分由具有比连续部分更高的表面硬度和杨氏模量的材料制成。

7. 发明授权

KR100537475B1 반도체 레이저 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR100537475B1
公开(公告)日：2005-12-19
申请号：KR1020030016134
申请日：2003-03-14
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다나카아키라 , 다나카히로카즈 , 이토요시유키 , 겐에이고이치
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
摘要： 실(實) 굴절률 도파형의 반도체 레이저에 있어서, 고출력의 반도체 레이저를 얻는다. 제1도전형 클래드층과, 전류주입에 의해 광을 방사하는 활성층, 제1의 제2도전형 클래드층, 리지 도파로로서의 제2의 제2도전형 클래드층, 상기 제2의 제2도전형 클래드층을 사이에 두고 그 양측에 형성되고 상기 제1 및 제2의 제2도전형 클래드층보다도 큰 밴드갭을 갖는 전류저지층 및, 전류를 상기 제2의 제2도전형 클래드층으로 인도하여 상기 전류저지층으로의 리크전류의 유입을 방지할 정도의 이동도를 갖는 제3의 제2도전형 클래드층을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 레이저를 제공한다.

8. 发明授权

KR100394332B1 반도체 레이저장치 有权
标题翻译： 반도체레이저장치
公开(公告)号：KR100394332B1
公开(公告)日：2003-08-09
申请号：KR1020000047452
申请日：2000-08-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 겐에이고이치 , 시오자와히데오 , 다나카아키라
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要： This is a double wavelength semiconductor laser unit having a first laser emitting a light of a first wavelength and a second laser emitting a light of a second wavelength different from the first wavelength. The first and second lasers are merged on a substrate. The first laser has a bulk active layer whose film thickness is 0.01 mum or more and 0.1 mum or less. And the second laser has an MQW active layer constituted by stacked structure composed of a quantum well layer and a barrier layer. By employing the bulk active layer for the first laser, it is possible to reduce the band gap discontinuity induced at a boundary between a cladding layer and the bulk active layer, and then decreases an operational voltage, and further improve the reliability of the first laser.
摘要翻译：这是双波长半导体激光器单元，其具有发射第一波长的光的第一激光器和发射不同于第一波长的第二波长的光的第二激光器。第一和第二激光合并在衬底上。第一激光器具有膜厚度为0.01μm以上至0.1μm以下的体活性层。并且第二激光器具有由量子阱层和阻挡层构成的堆叠结构构成的MQW有源层。通过使用第一激光器的体有源层，可以减少在包层和体有源层之间的边界处引起的带隙不连续性，然后降低工作电压，并且进一步提高第一激光器的可靠性。

9. 外观设计

KR3003008140000S 失效
公开(公告)号：KR3003008140000S
公开(公告)日：2002-07-04
申请号：KR3020010022028
申请日：2001-08-08
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
设计人： 다나카아키라

10. 发明公开

KR1019950009329A 배향막 평가 장치 失效
公开(公告)号：KR1019950009329A
公开(公告)日：1995-04-21
申请号：KR1019940023134
申请日：1994-09-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이시바시미츠루 , 사사키히데유키 , 노마키다츠오 , 다나카아키라 , 하세가와레이
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 배향막 평가 장치와 러빙 처리 장치는 액정 배향막에 대한 배향능을 실제제조 공정중에도 고감도 및 고정확도로 양적으로 측정할 수 있고 배향 상태를 정확하게 제어하여 안정한 제조 상태를 획득하고 생산성 및 양품률의 향상을 가져올 수 있다. 배향막 평가 장치는 적외광을 사출하는 적외광을 배향막의 배향 방향에 평행 및 직교 방향으로 편광항 그 편광된 적외광을 배향막에 조사하는 편광부, 배향막상에 반사된 적외광을 검출하는 검출부 및 검출부에 의해 검출된 적외광으로부터 배향막의 평광 방향에 대한 흡광도 차를 구하여 배향막의 배향등을 평가하는 평가부를 포함한다.

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