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    • 1. 发明授权
    • 칩 퓨즈 및 그 제조 방법
    • 芯片保险丝及其制造方法
    • KR101706875B1
    • 2017-02-14
    • KR1020157007782
    • 2012-09-28
    • 가마야 덴끼 가부시끼가이샤
    • 야마기시가츠야세이노히데키
    • H01H85/046H01H69/02H01H85/00H01H85/143H01H85/48
    • H01H85/0013H01H69/02H01H69/022H01H85/046H01H85/143H01H85/38H01H85/48H01H2069/025H01H2085/383Y10T29/49107
    • 외관의유지나지속아크의저감등의차단성능향상을도모할수 있는칩 퓨즈및 그제조방법을제공하는것을목적으로한다. 그때문에, 절연기판 (22) 상에축열층 (23) 이형성되고, 이축열층상에칩 퓨즈길이방향의양측의표면전극부 (24a) 와이들표면전극부사이의퓨즈요소부 (24b) 로이루어지는퓨즈막이형성되고, 퓨즈요소부상에보호막이형성되어있는칩 퓨즈 (21) 에있어서, 퓨즈요소부의주위를둘러싸도록축열층상 및표면전극부상에사각형상의제방부 (27) 가형성되고, 제방부의내측에제 1 보호막 (28) 이형성된구성으로한다. 또, 제방부형성공정에서는, 퓨즈요소부상, 표면전극부상 및축열층상에시트상의감광기함유재료를첩부하고, 이시트상의감광기함유재료를자외선으로노광하고현상 (포토에칭) 함으로써, 사각형상의제방부를형성한다.
    • 在芯片保险丝中,在绝缘基板上形成蓄热层,在保温层上形成保险膜,在熔丝元件部分形成保护膜。 芯片保险丝包括在芯片保险丝的长度方向两端的表面电极部分和表面电极部分之间的熔丝元件部分。 在该芯片保险丝中,在蓄热层和表面电极部分之上形成矩形堤部分,以围绕熔丝元件部分,并且在堤部分的内侧形成第一保护层。 此外,在堤形成过程中,在熔丝元件部分,表面电极部分和储热层上层压含片状感光基团的材料,并且使片状感光基材料暴露 对紫外线进行发光,形成矩形堤段。
    • 3. 发明授权
    • 칩 퓨즈 및 그 제조방법
    • 芯片保险丝及其制造方法
    • KR101050243B1
    • 2011-07-19
    • KR1020087023427
    • 2008-02-28
    • 가마야 덴끼 가부시끼가이샤
    • 야마기시가츠야세이노히데키사토히토시
    • H01H69/02H01H85/00
    • H01H85/10H01H85/006H01H85/0065H01H85/0411H01H85/046H01H2085/0283H01H2085/0414
    • 용단특성의 자유도가 제한되지 않고, 정격전류에 대하여 고배율에서의 용단시간이 짧아지는 것을 방지하고, 정격전류에 대한 저배율에서의 용단시간을 짧게 하는 것이 가능한 칩 퓨즈를 제공한다. 칩 퓨즈(10)는 열전도성이 낮은 막 재료로 이루어지는 제 1 축열층(12)이 절연기판(11) 상에 형성되고, 제 1 축열층(12) 상에 절연기판(11)에 접촉하지 않도록 퓨즈막(13)이 형성되고, 퓨즈막(13)은 양단에 배치되는 표면 전극부(13a) 사이에 퓨즈 요소부(13b)를 갖는 것이며, 퓨즈 요소부(13b) 상에 열전도성이 낮은 막 재료로 이루어지는 제 2 축열층(15)이 형성되고, 제 1 축열층(12)이 제 2 축열층(15)보다도 두껍게 형성된 것이다. 제 1 축열층(12) 및 제 2 축열층(15)은 감광기를 함유하는 B 스테이지 상태의 시트 형상 재료로 형성된 것이다.
      열전도성, 축열층, 절연기판, 퓨즈막, 표면 전극부, 퓨즈 요소부, 칩 퓨즈,감광기, 시트 형상 재료
    • 不是限制的熔断特性的自由度,并防止高功率短相对于额定电流的吹送时间,并提供了芯片型熔断器能够缩短熔融时在额定电流的低倍率的。 芯片熔丝10不与第一蓄热层12,第一蓄热层12上形成11在绝缘基板接触,绝缘具有低导热率制成的薄膜材料制成的基板11上 形成熔丝膜13,并且熔丝膜13在设置在两端的表面电极部分13a之间具有熔丝元件部分13b,熔丝元件部分13b形成有低导热膜 形成由材料制成的第二储热层15,并且第一储热层12比第二储热层15厚。 第一储热层12和第二储热层15由包含感光鼓的B阶状态的片状材料形成。
    • 4. 发明公开
    • 칩 퓨즈 및 그 제조 방법
    • 芯片保险丝及其制造方法
    • KR1020150073957A
    • 2015-07-01
    • KR1020157007782
    • 2012-09-28
    • 가마야 덴끼 가부시끼가이샤
    • 야마기시가츠야세이노히데키
    • H01H85/046H01H69/02H01H85/00H01H85/143H01H85/48
    • H01H85/0013H01H69/02H01H69/022H01H85/046H01H85/143H01H85/38H01H85/48H01H2069/025H01H2085/383Y10T29/49107
    • 외관의유지나지속아크의저감등의차단성능향상을도모할수 있는칩 퓨즈및 그제조방법을제공하는것을목적으로한다. 그때문에, 절연기판 (22) 상에축열층 (23) 이형성되고, 이축열층상에칩 퓨즈길이방향의양측의표면전극부 (24a) 와이들표면전극부사이의퓨즈요소부 (24b) 로이루어지는퓨즈막이형성되고, 퓨즈요소부상에보호막이형성되어있는칩 퓨즈 (21) 에있어서, 퓨즈요소부의주위를둘러싸도록축열층상 및표면전극부상에사각형상의제방부 (27) 가형성되고, 제방부의내측에제 1 보호막 (28) 이형성된구성으로한다. 또, 제방부형성공정에서는, 퓨즈요소부상, 표면전극부상 및축열층상에시트상의감광기함유재료를첩부하고, 이시트상의감광기함유재료를자외선으로노광하고현상 (포토에칭) 함으로써, 사각형상의제방부를형성한다.
    • 在芯片保险丝中,在绝缘基板上形成蓄热层,在保温层上形成保险膜,在熔丝元件部分形成保护膜。 芯片保险丝包括在芯片保险丝的长度方向两端的表面电极部分和表面电极部分之间的熔丝元件部分。 在该芯片保险丝中,在蓄热层和表面电极部分之上形成矩形堤部分,以围绕熔丝元件部分,并且在堤部分的内侧形成第一保护层。 此外,在堤形成过程中,在熔丝元件部分,表面电极部分和储热层上层压含片状感光基团的材料,并且使片状感光基材料暴露 对紫外线进行发光,形成矩形堤段。
    • 5. 发明公开
    • 칩 퓨즈 및 그 제조방법
    • 芯片保险丝和芯片保险丝制造方法
    • KR1020090115652A
    • 2009-11-05
    • KR1020087023427
    • 2008-02-28
    • 가마야 덴끼 가부시끼가이샤
    • 야마기시가츠야세이노히데키사토히토시
    • H01H69/02H01H85/00
    • H01H85/10H01H85/006H01H85/0065H01H85/0411H01H85/046H01H2085/0283H01H2085/0414
    • A chip fuse that not restricted in the degree of freedom of fusing characteristics, realizes prevention of shortening of fusing time at large magnification with respect to rated current and attainment of shortening of fusing time at small magnification with respect to rated current. A chip fuse (10) has a first heat storage layer (12) of film material with low thermal conductivity superimposed on an insulating substrate (11) and has a fuse film (13) superimposed on the first heat storage layer (12) so as to avoid contact with the insulating substrate (11). The fuse film (13) has a fuse element part (13b) interposed between surface electrode parts (13a) disposed at both edges thereof. A second heat storage layer (15) of film material with low thermal conductivity is superimposed on the fuse element part (13b). The first heat storage layer (12) is thicker than the second heat storage layer (15). The first heat storage layer (12) and second heat storage layer (15) are those produced from a sheet material of B-stage state containing a photosensitive group.
    • 不限制熔融特性自由度的芯片保险丝,实现了防止在大倍率下相对于额定电流缩短熔合时间,并且在相对于额定电流的小放大倍率下实现缩短定影时间。 芯片保险丝(10)具有叠加在绝缘基板(11)上的具有低导热性的薄膜材料的第一储热层(12),并且具有叠加在第一储热层(12)上的熔丝膜(13),以便 以避免与绝缘基板(11)接触。 保险丝膜(13)具有设置在其两个边缘的表面电极部分(13a)之间的熔断元件部分(13b)。 具有低导热性的薄膜材料的第二储热层(15)叠加在熔丝元件部分(13b)上。 第一储热层(12)比第二储热层(15)厚。 第一蓄热层(12)和第二蓄热层(15)是由含有感光性基团的B级状态的片材制成的。
    • 6. 发明公开
    • 칩 퓨즈 및 그 제조방법
    • 芯片保险丝和芯片保险丝制造方法
    • KR1020090040249A
    • 2009-04-23
    • KR1020087023290
    • 2008-02-28
    • 가마야 덴끼 가부시끼가이샤
    • 야마기시가츠야세이노히데키사토히토시
    • H01H85/045H01H69/02H01H85/046H01H85/17
    • H01H85/0411H01H85/0056H01H85/046H01H85/10H01H2085/0414
    • A chip fuse which is suppressed in temperature rise in steady operation in a high rated current region, has time lag type fusion characteristics, and has a high yield, and its manufacturing method, are provided. In the chip fuse, a heat storage layer (12) is formed on an insulation substrate (11), and a fuse film (13) is formed on the heat storage layer (12) so as not to be in contact with the insulation substrate (11). The fuse film (13) consists of front electrode portions (13a) disposed on both sides and a fuse element portion (13b) formed between the front electrode portions (13a). A protection layer (15) made of a material having a thermal conductivity higher than that of the heat storage layer (12) is formed between the front electrode portions (13a), covering the fuse element portion (13b). By forming the heat storage layer (12) in such a size not as to cover the whole area (11a) wherein the fuse element portion (13b) is to be formed, the protection layer (15) is partially brought into contact with the insulation substrate.
    • 提供了在高额定电流区域中稳定运行中抑制温度升高的片式保险丝,具有时滞型熔合特性,并且具有高产率及其制造方法。 在芯片保险丝中,在绝缘基板(11)上形成蓄热层(12),在保温层(12)上形成保险膜(13),以不与绝缘基板 (11)。 保险膜(13)由设置在两侧的前电极部分(13a)和形成在前电极部分(13a)之间的熔丝元件部分(13b)组成。 在前电极部分(13a)之间形成覆盖熔丝元件部分(13b)的由热导率高于蓄热层(12)的材料制成的保护层(15)。 通过以不覆盖要形成熔丝元件部分(13b)的整个区域(11a)的形式形成储热层(12),保护层(15)部分地与绝缘层 基质。