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1. 发明公开

KR20210007988A 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20210007988A
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR20207032611
申请日：2019-04-25
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： IKEDA HISAO , AOYAMA TOMOYA , YOSHIZUMI KENSUKE
IPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L51/56 , H05B33/24
摘要： 고정세(高精細)한표시장치를제공한다. 표시장치는상이한색의광을나타내는복수의발광유닛을구비한다. 발광유닛은마이크로캐비티구조(미소공진기구조)가실현되고, 특정의파장의광을강화시킨다. 상이한색의광을나타내는발광유닛에서는두께가상이한반사층을형성하고, 이들을덮어절연층을성막한후에절연층의상면을평탄화처리함으로써, 각각두께가상이한절연층이따로따로형성된다. 그후, 평탄화된절연층의상면에각각의반사층과중첩하도록백색발광을나타내는발광소자를형성함으로써, 상이한광로길이에의하여상이한색이강화된발광유닛이따로따로형성된다.

2. 发明公开

KR20200139701A 표시 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200139701A
公开(公告)日：2020-12-14
申请号：KR20207029518
申请日：2019-03-22
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： TOYOTAKA KOUHEI , KUSUNOKI KOJI
IPC分类号： G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L27/12 , H01L29/786
摘要： 고정세표시장치를제공한다. 또는, 소비전력이낮은표시장치를제공한다. 또는, 신뢰성이높은표시장치를제공한다. 또는, 시인성이높은표시장치를제공한다. 금속산화물을가지는트랜지스터와, 제 1 도전층과, 제 2 도전층과, 제 3 도전층을가지고, 트랜지스터의채널폭은 30μm 이상 1000μm 이하이고, 트랜지스터는 2보다많고 50 이하의반도체층을가지고, 반도체층각각은제 1 영역, 제 2 영역, 및상면에서보았을때 제 1 영역과제 2 영역사이에끼워지는채널형성영역을가지고, 채널형성영역은제 1 도전층과중첩되는영역을가지고, 제 1 영역은제 2 도전층과중첩되며제 1 도전층과중첩되지않고, 제 2 영역은제 3 도전층과중첩되며제 1 도전층과중첩되지않고, 제 3 도전층은가시광을투과시키는기능을가지고, 적층된상태의상기제 2 영역과상기제 3 도전층은가시광을투과시키는기능을가지는표시장치.

3. 发明公开

KR20200134265A 문서 검색 시스템, 문서 검색 방법, 프로그램, 및 비일시적 컴퓨터 가독 기억 매체 审中-公开
公开(公告)号：KR20200134265A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：KR20207029794
申请日：2019-03-13
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： HIGASHI KAZUKI , MOMO JUNPEI
IPC分类号： G06F16/338 , G06F16/2457 , G06F16/33 , G06F16/383 , G06N3/08 , G06N20/00
摘要： 간편한입력방법으로정밀도가높은문서검색, 특히지식재산에관한문서의검색을실현한다. 처리부를가지는문서검색시스템이다. 처리부는문장데이터에포함되는키워드를추출하는기능과, 복수의제 1 참조용문장해석데이터에포함되는단어중에서키워드의관련어를추출하는기능과, 키워드및 관련어각각에대하여가중치를부여하는기능과, 복수의제 2 참조용문장해석데이터각각에대하여가중치에기초하여점수를부여하는기능과, 점수에기초하여복수의제 2 참조용문장해석데이터에순위를부여함으로써랭킹데이터를생성하는기능과, 랭킹데이터를출력하는기능을가진다.

4. 发明公开

KR20200131356A 산화물 재료 및 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131356A
公开(公告)日：2020-11-23
申请号：KR20207032993
申请日：2011-12-07
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , NAKASHIMA MOTOKI , HONDA TATSUYA
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/786
摘要： 트랜지스터, 다이오드등의반도체용도로적합한재료를제공하는것을과제로한다. 또, 기본유리와같은큰 기판을이용하여, 신뢰성이높은반도체장치의대량생산을할 수있는반도체장치를제공한다. 또, 산화물반도체막과상기산화물반도체막과접하는게이트절연막과의계면의전자상태가양호한트랜지스터를가지는반도체장치를제공한다. 또, 산화물반도체막을채널에이용한트랜지스터에안정된전기적특성을부여하여, 신뢰성이높은반도체장치를제작하는것을과제로한다. c축배향하고, 표면또는계면의방향에서봤을때 삼각형상또는육각형상의원자배열을가지고, c축을중심으로회전한결정을포함하는산화물재료를이용한반도체장치이다.

5. 发明公开

KR20200131350A 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 표시 장치, 및 조명 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131350A
公开(公告)日：2020-11-23
申请号：KR20207032787
申请日：2018-02-28
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： TAKEDA KYOKO , OSAKA HARUE , SEO SATOSHI , SUZUKI TSUNENORI , HASHIMOTO NAOAKI , TAKITA YUSUKE
IPC分类号： C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50
摘要： 신규유기화합물을제공한다. 또는, 양호한색도의발광을나타내는유기화합물을제공한다. 또는, 양호한색도의청색발광을나타내는유기화합물을제공한다. 또는, 발광효율이양호한유기화합물을제공한다. 또는, 캐리어수송성이높은유기화합물을제공한다. 또는, 신뢰성이양호한유기화합물을제공한다. 치환또는비치환된나프토비스벤조퓨란골격, 치환또는비치환된나프토비스벤조싸이오펜골격, 및치환또는비치환된나프토벤조퓨라노벤조싸이오펜골격중 어느하나에, 치환또는비치환된다이벤조퓨란일기, 치환또는비치환된다이벤조싸이오페닐기, 및치환또는비치환된카바졸릴기중 어느하나가결합되어있는아미노기를적어도하나갖는유기화합물을제공한다.

6. 发明公开

KR20200128059A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200128059A
公开(公告)日：2020-11-11
申请号：KR20207027267
申请日：2019-02-19
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , BABA HARUYUKI , MURAYAMA SHIORI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
摘要： 온전류가큰 반도체장치를제공한다. 트랜지스터를가지는반도체장치이고, 트랜지스터는, 제 1 절연체와, 제 1 절연체위의제 1 산화물과, 제 1 산화물위의제 2 산화물과, 제 3 산화물과, 제 2 산화물위의제 1 도전체및 제 2 도전체와, 제 2 절연체와, 제 3 도전체와, 제 1 도전체및 제 2 도전체위의제 4 절연체와, 제 4 절연체위의제 3 절연체를가지고, 제 3 절연체및 제 4 절연체에는제 2 산화물에도달하는개구가제공되고, 제 3 산화물은개구의내벽을덮도록배치되고, 제 2 절연체는제 3 산화물을개재하여개구의내벽을덮도록배치되고, 제 3 도전체는제 3 산화물및 제 2 절연체를개재하여개구를매립하도록배치되고, 트랜지스터의채널길이방향에서제 1 절연체의밑면과, 제 2 도전체와대향하는제 1 도전체의측면이이루는각도는 90°보다작다.

7. 发明公开

KR20180066848A 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180066848A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR20170164210
申请日：2017-12-01
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： SHUNPEI YAMAZAKI , YUTA ENDO , YOSHIAKIOIKAWA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/786
摘要： 본발명은양호한전기특성을가지는반도체장치를제공한다. 기판위에배치된제 1 도전체와, 제 1 도전체위에배치된제 1 절연체와, 제 1 절연체위에배치된산화물과, 산화물위에배치된제 2 절연체와, 제 2 절연체위에배치된제 2 도전체와, 제 2 도전체위에배치된제 3 절연체와, 제 2 절연체의측면, 제 2 도전체의측면, 및제 3 절연체의측면에접촉하여배치된제 4 절연체와, 산화물, 제 1 절연체, 및제 4 절연체에접촉하여배치된제 5 절연체를가지고, 제 1 절연체와제 5 절연체는산화물의측방주변의영역에서접촉되고, 산화물은채널이형성되는제 1 영역과, 제 1 영역과인접한제 2 영역과, 제 2 영역과인접한제 3 영역과, 제 3 영역과인접한제 4 영역을가지고, 제 1 영역은제 2 영역, 제 3 영역, 및제 4 영역보다고저항이고또한제 2 도전체와중첩되고, 제 2 영역은제 3 영역및 제 4 영역보다고저항이고또한제 2 도전체와중첩되고, 제 3 영역은제 4 영역보다고저항이고또한제 4 절연체와중첩된다.

8. 发明公开

KR20180066266A 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180066266A
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR20187015810
申请日：2010-12-01
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , KOYAMA JUN , KATO KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/84 , G11C16/04 , H01L21/28 , H01L27/108 , H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/118 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1255 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/11803 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要： 발명의일 형태는데이터저장시간에전력이공급되지않을때에도저장된데이터가저장되고, 또한, 기록회수에도제한이없는반도체장치를제공하는것을목적으로한다. 반도체장치는제 1 소스전극및 제 1 드레인전극; 산화물반도체가사용되고상기제 1 소스전극및 상기제 1 드레인전극이전기적으로접속된제 1 채널형성영역; 상기제 1 채널형성영역위의제 1 게이트절연층; 및상기제 1 게이트절연층위의제 1 게이트전극을포함하는, 제 1 트랜지스터를포함한다. 상기제 1 트랜지스터의상기제 1 소스전극및 상기제 1 드레인전극중 하나와용량소자의한 전극은서로전기적으로접속된다.

9. 发明公开

KR20180055740A 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180055740A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20170152955
申请日：2017-11-16
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： SEO SATOSHI , TAKAHASHI TATSUYOSHI , TAKEDA KYOKO , ABE KANTA , SUZUKI HIROKI
IPC分类号： H01L51/50 , C09K11/06 , F21Y115/15 , H01L27/32 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0051 , C07F15/0033 , C09K11/06 , G06F3/0412 , G06F3/045 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H05B33/14 , H05B33/20
摘要： 본발명은구동전압이낮고발광효율이높은발광소자를제공한다. 제 1 유기화합물과, 제 2 유기화합물과, 게스트재료를가지는발광소자이다. 제 1 유기화합물의 LUMO 준위는제 2 유기화합물의 LUMO 준위보다낮고, 그차이는 0eV보다크고 0.5eV보다작다. 또한제 1 유기화합물의 HOMO 준위는제 2 유기화합물의 HOMO 준위보다낮다. 게스트재료는삼중항들뜬에너지를발광으로변환할수 있는기능을가진다. 제 1 유기화합물과, 제 2 유기화합물이들뜬복합체를형성하는조합이다.

10. 发明公开

KR20180053606A 반도체 기억 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053606A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20180052456
申请日：2018-05-08
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB
发明人： SAITO TOSHIHIKO
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4097 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/1082 , G11C11/401 , G11C11/404 , G11C11/4096 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/1085 , H01L27/10852 , H01L27/10873 , H01L27/1203 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/7869 , H05K999/99
摘要： 본발명은단위면적당메모리모듈의기억용량을증가시킨다. 또한, 소비전력이작은메모리모듈을제공한다. 고순도화되고, 밴드갭이 2.5eV 이상인산화물반도체막, 탄화실리콘막및 질화갈륨막등으로이루어진트랜지스터를 DRAM에사용함으로써, 커패시터의전위의유지기간이길어진다. 또한, 메모리셀이용량이상이한 n개의커패시터를갖고, n개의커패시터와상이한 n개의데이터라인을각각접속함으로써유지용량을다양하게만들수 있다.

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