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1. 发明授权

KR100715406B1 압전 구조체, 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：压电结构，液体喷射头及其制造方法
公开(公告)号：KR100715406B1
公开(公告)日：2007-05-08
申请号：KR1020020007658
申请日：2002-02-09
申请人： 캐논 가부시끼가이샤 , 와사 기요따까
发明人： 운노아끼라 , 요네하라다까오 , 후꾸이데쯔로 , 마쯔다다까노리 , 와사기요따까
IPC分类号： B41J2/16
CPC分类号： B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
摘要： 본 발명의 압전 구조체는 진동판과, 압전막을 포함하고, 진동판은 단결정 재료층, 다결정 재료층, 단결정 재료를 구성하는 소자와는 상이한 소자를 첨가한 단결정 재료층, 또는 다결정 재료를 구성하는 소자와는 상이한 소자를 첨가한 다결정 재료층, 및 전술된 층을 개재한 산화물층을 포함하며, 압전막은 단일 배향 결정 또는 단결정 구조체를 구비한다.
액체 토출구, 오리피스판, 주조립체 기판부, 진동판, 압전 소자

2. 发明授权

KR100738290B1 유전체 소자, 압전체 소자, 잉크 제트 헤드 및 잉크 제트기록 장치, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：电介质元件，压电元件，喷墨头和喷墨记录装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100738290B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020050015853
申请日：2005-02-25
申请人： 캐논 가부시끼가이샤 , 와사 기요따까
发明人： 이후꾸도시히로 , 마쯔다다까노리 , 아오끼가쯔미 , 다께다겐이찌 , 와사기요따까
IPC分类号： H01L41/09 , B41J2/045
CPC分类号： B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 상부 전극층과 하부 전극층 사이에 제공된 유전체층을 갖는 유전체 소자이며, 이 유전체층은 조성이 서로 상이한 제1 유전체층과 제2 유전체층을 갖고, 제1 유전체층의 적어도 일 성분의 조성은 제1 유전체층과 제2 유전체층 사이의 경계의 근접부에서 제1 유전체층의 두께 방향에 대하여 변화된다.
유전체층, 압전체층, 배향층, 격자 상수, 진동판, 단일 배향막
摘要翻译：具有上电极和下电极层之间的介电层，介电层之间的电介质装置具有第一介电层和第二介电层组合物是彼此不同的，所述第一电介质层的第一电介质组合物和第二介电层的至少一个部件在第一介电层的厚度方向上。

3. 发明公开

KR1020060042378A 유전체 소자, 압전 소자, 잉크젯 헤드 및 잉크젯 기록 장치, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：电介质元件，压电元件，喷墨头和喷墨记录装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060042378A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020050015983
申请日：2005-02-25
申请人： 캐논 가부시끼가이샤 , 와사 기요따까
发明人： 마쯔다다까노리 , 이후꾸도시히로 , 후꾸이데쯔로 , 와사기요따까
IPC分类号： H01L41/09 , B41J2/235
CPC分类号： H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： A dielectric element includes a lower electrode layer provided on a substrate, a dielectric layer provided on the lower electrode layer and an upper electrode layer provided on the dielectric layer. The dielectric layer has a first dielectric layer provided on a side of the lower electrode layer, and a second dielectric layer provided on a side of the upper electrode layer. The second dielectric layer is a layer comprised mainly of an oxide including four or more kinds of metal element components, and the first dielectric layer does not substantially include at least one component selected from metal elements included in the oxide layer of the second dielectric layer and is comprised mainly of an oxide including at least three components selected from the remaining metal elements without substantially including Ti and Zr elements.

4. 发明公开

KR1020020066226A 압전 구조체, 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：压电元件结构，液体喷射头及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020066226A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：KR1020020007658
申请日：2002-02-09
申请人： 캐논 가부시끼가이샤 , 와사 기요따까
发明人： 운노아끼라 , 요네하라다까오 , 후꾸이데쯔로 , 마쯔다다까노리 , 와사기요따까
IPC分类号： B41J2/16
CPC分类号： B41J2/1628 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , Y10T29/42 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401
摘要： PURPOSE: To provide a highly reliable stabilized liquid ejection head having a piezoelectric element structure exhibiting excellent durability and piezoelectric characteristics and long ejection openings formed at a high density, and to provide its manufacturing method in which micromachining of semiconductor process can be employed by making thin a piezoelectric film or a diaphragm constituting a piezoelectric element. CONSTITUTION: The piezoelectric element structure 10 comprises a diaphragm 11, and a piezoelectric film 15 having upper and lower electrodes 16 and 17. The diaphragm 11 is formed of single crystal silicon or a single crystal silicon material doped with an element, e.g. boron, and has a structure sandwiched by an oxide layer 13 of SiO2, YSZ, MgO, or the like, and an oxide layer 14 of at least one material selected from SiO2, YSZ, MgO, SRO, and the like. The piezoelectric film 15 is a single orientation crystal or single crystal having one layer structure of PZT, PMN, PSN-PT, PMN-PT, or the like, or multilayer structure of different composition.
摘要翻译：目的：提供一种高可靠性稳定的液体喷射头，其具有表现出优异的耐久性和压电特性的压电元件结构，并且以高密度形成的长喷射开口，并且提供其制造方法，其中可以通过制造薄的半导体工艺来进行微加工构成压电元件的压电膜或隔膜。构成：压电元件结构10包括隔膜11和具有上电极16和下电极17的压电膜15.隔膜11由单晶硅或掺杂有元件的单晶硅材料形成。并且具有由SiO 2，YSZ，MgO等的氧化物层13以及选自SiO 2，YSZ，MgO，SRO等的至少一种材料的氧化物层14夹持的结构。压电膜15是具有PZT，PMN，PSN-PT，PMN-PT等的一层结构的单取向晶体或单晶，或者具有不同组成的多层结构。

5. 发明公开

KR1020010114180A 압전 소자 구조와 액체 분사 기록 헤드, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：压电元件结构，液体喷射记录头及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010114180A
公开(公告)日：2001-12-29
申请号：KR1020010035451
申请日：2001-06-21
申请人： 와사 기요따까 , 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 와사기요따까 , 운노아끼라 , 후꾸이데쯔로 , 마쯔다다까노리
IPC分类号： B41J2/045
摘要： 압전 소자 구조는 지지 기판, 및 지지 기판 상에서 지지되는 압전막으로 구성되며, 압전막은 제1층, 및 지르코늄을 갖는 제2층을 포함하되, 각각은 페로브스카이트 구조에 제공되고, 상호 접하도록 또는 중간층을 통하여 적층되도록 형성되며, 온도는 압전막을 제공하도록 박막 형성시에 500℃ 이상으로 설정되며, 박막 형성 온도로 부터 적어도 450℃ 까지 30℃/min 이상의 냉각 속도로 급속 냉각이 주어져 박막을 형성한다. 이렇게 형성된 압전막은 종래의 압전막에 비교하여 얇은 두께를 가지지만, 큰 압전 상수를 나타내므로, 효율적인 미세 공정을 신뢰성 있게 수행하는 것이 가능하다.

6. 发明授权

KR100748727B1 유전체 소자, 압전 소자, 잉크젯 헤드 및 잉크젯 기록 장치, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：电介质元件，压电元件，喷墨头和喷墨记录装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100748727B1
公开(公告)日：2007-08-13
申请号：KR1020050015983
申请日：2005-02-25
申请人： 캐논 가부시끼가이샤 , 와사 기요따까
发明人： 마쯔다다까노리 , 이후꾸도시히로 , 후꾸이데쯔로 , 와사기요따까
IPC分类号： H01L41/09 , B41J2/235
CPC分类号： H01G4/1227 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01G4/10 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 유전체 소자는 기판, 하부 전극층, 유전층 및 상부 전극층이 순서대로 제공되고, 유전층은 주 부품이 산화물이며 상기 하부 전극층의 측면에 제공된 제1 유전층 및 주 부품이 산화물이고 상부 전극층의 측면에 제공된 제2 유전층을 가지며, 제2 유전층은 제1 유전층보다 두껍고, 25 ℃에서의 제1 유전층의 유전 상수가 ε1이고 25 ℃에서의 제2 유전층의 유전 상수가 ε2일 때 이하의 공식(1)을 만족한다.
ε1 / ε2 ≥0.9 .... (1)
기판, 전극층, 유전체층, 전극층, 유전체 소자, 산화물, 압전체 소자

7. 发明公开

KR1020060042240A 유전체 소자, 압전체 소자, 잉크 제트 헤드 및 잉크 제트기록 장치, 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020060042240A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020050015853
申请日：2005-02-25
申请人： 캐논 가부시끼가이샤 , 와사 기요따까
发明人： 이후꾸도시히로 , 마쯔다다까노리 , 아오끼가쯔미 , 다께다겐이찌 , 와사기요따까
IPC分类号： H01L41/09 , B41J2/045
CPC分类号： B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/1875 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： A dielectric element having a dielectric layer provided between an upper electrode layer and a lower electrode layer, wherein the dielectric layer has a first dielectric layer and a second dielectric layer mutually different in composition, and composition of at least one component of the first dielectric layer changes as to a thickness direction of the first dielectric layer in proximity to a boundary between the first dielectric layer and the second dielectric layer.

8. 发明授权

KR100485551B1 압전 소자 구조와 액체 분사 기록 헤드, 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：压电元件和液体放电记录头的结构及其制造方法
公开(公告)号：KR100485551B1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：KR1020010035451
申请日：2001-06-21
申请人： 와사 기요따까 , 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 와사기요따까 , 운노아끼라 , 후꾸이데쯔로 , 마쯔다다까노리
IPC分类号： B41J2/045
摘要： 압전 소자 구조는 지지 기판, 및 지지 기판 상에서 지지되는 압전막으로 구성되며, 압전막은 제1층, 및 지르코늄을 갖는 제2층을 포함하되, 각각은 페로브스카이트 구조에 제공되고, 상호 접하도록 또는 중간층을 통하여 적층되도록 형성되며, 온도는 압전막을 제공하도록 박막 형성시에 500℃ 이상으로 설정되며, 박막 형성 온도로 부터 적어도 450℃ 까지 30℃/min 이상의 냉각 속도로 급속 냉각이 주어져 박막을 형성한다. 이렇게 형성된 압전막은 종래의 압전막에 비교하여 얇은 두께를 가지지만, 큰 압전 상수를 나타내므로, 효율적인 미세 공정을 신뢰성 있게 수행하는 것이 가능하다.

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