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    • 3. 发明授权
    • 비-진동 접촉 전위차 센서와 제어되는 조명을 이용하는반도체 검사 시스템 및 장치
    • 비 - 진동접촉전위차센서와제어되는조명을이용하는반도체사사템및장치
    • KR100929768B1
    • 2009-12-03
    • KR1020080018060
    • 2008-02-28
    • 큐셉트 테크놀로지스 인크.
    • 호손,제프리앨런스틸,엠.브랜든양,예유안슐츠,마크
    • H01L21/66
    • G01N27/002G01R31/2648G01R31/2656
    • 반도체의 표면 상의, 또는 반도체 내부의 결함, 또는 오염물질을 식별하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 상기 방법 및 시스템은 반도체 웨이퍼 등의 표면을 갖는 반도체를 제공하는 단계와, 비-진동 접촉 전위차 센서를 제공하는 단계와, 제어가능한 강도, 또는 파장의 분포를 갖는 조명원을 제공하는 단계와, 상기 조명원을 이용하여, 비-진동 접촉 전위 센서 프로브 탐침의 아래, 또는 근방에서 웨이퍼의 표면의 제어된 조명을 제공하는 단계와, 상기 비-진동 접촉 전위차 센서를 이용하여, 제어된 조명 동안 웨이퍼 표면을 스캔하는 단계와, 웨이퍼 표면을 가로질러 접촉 전위차의 변화를 나타내는 데이터를 발생시키는 단계와, 결함, 또는 오염물질의 패턴 특성을 식별하기 위해 데이터를 처리하는 단계를 포함한다.
    • 一种用于识别半导体表面或半导体表面上的缺陷或污染的方法和系统。 该方法和系统涉及提供具有诸如半导体晶片(105)的表面(106)的半导体,提供非振动接触电势差传感器(101),提供具有可控强度或分布的光照源(109) 使用照明源以使用非振动接触电势差传感器(101)在非振动接触电势传感器探针尖端(102)之下或附近提供晶片表面(106)的受控照明以扫描 在受控照明期间的晶片表面(106),产生代表晶片表面上的接触电位差变化的数据,并且处理该数据以识别缺陷或污染的图案特征。
    • 8. 发明公开
    • 비-진동 접촉 전위차 센서와 제어되는 조명을 이용하는반도체 검사 시스템 및 장치
    • 半导体检测系统和使用非接触式潜在差分传感器和控制照明的设备
    • KR1020080082457A
    • 2008-09-11
    • KR1020080018060
    • 2008-02-28
    • 큐셉트 테크놀로지스 인크.
    • 호손,제프리앨런스틸,엠.브랜든양,예유안슐츠,마크
    • H01L21/66
    • G01N27/002G01R31/2648G01R31/2656
    • A semiconductor inspection system and an apparatus utilizing a non-vibrating contact potential difference sensor and a controlled illumination are provided to minimize a height signal by minimizing an average potential between a probe tip and a wafer surface. A semiconductor includes a wafer(105) having a wafer surface(106). A contact potential difference sensor(101) has a probe tip(102). An illumination energy source(109) is connected to the wafer surface. A unit provides a variable illumination. Illumination energy is detected on a region of the wafer surface including a sampling region that is located on an adjacent unit of the probe tip of the contact potential difference sensor. While a surface of the semiconductor is illuminated by the illumination energy, the wafer surface is scanned in parallel with the contact potential difference sensor. Sensor data indicating the change of contact potential difference between the probe tip of the sensor and the wafer surface is generated as the probe tip of the sensor scans the wafer surface in parallel. The data of the contact potential difference sensor is processed to detect a pattern indicating a nonuniform section.
    • 提供半导体检查系统和利用非振动接触电位差传感器和受控照明的装置,通过最小化探针尖端和晶片表面之间的平均电位来最小化高度信号。 半导体包括具有晶片表面(106)的晶片(105)。 接触电位差传感器(101)具有探头(102)。 照明能量源(109)连接到晶片表面。 一个单元提供可变照明。 在晶片表面的区域上检测照明能量,该区域包括位于接触电位差传感器的探针尖端的相邻单元上的采样区域。 当半导体的表面被照射能量照射时,晶片表面与接触电位差传感器并联扫描。 传感器数据表示传感器的探针尖端与晶片表面之间的接触电位差的变化,因为传感器的探针尖端平行扫描晶片表面。 处理接触电位差传感器的数据以检测指示不均匀部分的图案。
    • 9. 发明公开
    • 검사 시스템 및 장치
    • 检查系统和装置
    • KR1020070112156A
    • 2007-11-22
    • KR1020077020655
    • 2006-03-06
    • 큐셉트 테크놀로지스 인크.
    • 스틸엠.,브랜던호손,제프리앨런
    • G01N27/00H01L21/66
    • G01R31/312G01N27/002G01N2033/0095
    • A method and system for identifying a defect or contamination on a surface of a sample. The system operates by detecting changes in work function across a surface via both vCPD and nvCPD. It utilizes a non-vibrating contact potential difference (nvCPD) sensor for imaging work function variations over an entire sample. The data is differential in that it represents changes in the work function (or geometry or surface voltage) across the surface of a sample. A vCPD probe is used to determine absolute CPD data for specific points on the surface of the sample. The combination of vibrating and non-vibrating CPD measurement modes allows the rapid imaging of whole-sample uniformity, and the ability to detect the absolute work function at one or more points.
    • 用于识别样品表面上的缺陷或污染物的方法和系统。 该系统通过检测通过vCPD和nvCPD的表面上的功函数的变化来进行操作。 它使用非振动接触电位差(nvCPD)传感器来对整个样品的功函数变化进行成像。 数据是差异的,因为它表示样品表面上的功函数(或几何或表面电压)的变化。 vCPD探针用于确定样品表面上特定点的绝对CPD数据。 振动和非振动CPD测量模式的组合允许全样本均匀性的快速成像,以及在一个或多个点处检测绝对功能的能力。