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1. 发明授权

KR100680433B1 수지 성형체 표면상의 금속층 형성 방법 有权
标题翻译：在树脂模制产品表面形成金属层的工艺
公开(公告)号：KR100680433B1
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020000022781
申请日：2000-04-28
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 요시무라고시 , 니시우치다케시 , 기쿠이후미아키 , 쓰지모토슈지
IPC分类号： C25D3/00
CPC分类号： C23C10/34 , C23C10/02 , Y10T428/12569 , Y10T428/24413 , Y10T428/24909 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681
摘要： 수지 성형체와 미세한 금속분말 생성물질을 처리 용기내에 수용한다. 상기 미세한 금속분말 생성물질을 상기 수지 성형체의 표면에 유동접촉시킴으로써 상기 미세한 금속분말 생성물질로부터 미세한 금속분말을 생성하여, 상기 수지 성형체의 표면상에 상기 미세한 금속분말의 금속층을 형성한다. 상기 공정에서, 미세한 금속 분말의 금속층은 상기 수지 성형체의 표면상에서 강고하며 높은 밀도로 형성될 수 있다. 상기 금속층은 전기 전도층으로서의 기능을 발휘한다. 그러므로, 전기 도금 처리로 인해 상기 금속층상에 우수한 두께 정밀도와, 우수한 표면윤활성과 높은 박리강도를 가지는 금속피막이 간단한 방식으로 형성될 수 있다. 또한, 그 금속층 자체가 장식과 같은 기능 또는 특성을 나타낼 수 있다.

2. 发明授权

KR100642328B1 나노콤포지트자석용 원료 합금, 그 분말 및 제조방법,그리고 나노콤포지트자석분말 및 자석의 제조방법. 有权
标题翻译：纳米复合磁体用原料合金，纳米复合磁体用原料合金粉末，原料合金的制备方法，纳米复合磁体粉末的制备方法以及纳米复合磁体的制造方法
公开(公告)号：KR100642328B1
公开(公告)日：2006-11-03
申请号：KR1019990055644
申请日：1999-12-07
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 사토시히로사와 , 히로카주카네키요 , 야슈타카시게모토
IPC分类号： H01F1/047 , B82Y25/00
CPC分类号： B82Y25/00 , H01F1/0571 , H01F1/0579
摘要： 본 발명은 결정화 반응열을 조금씩, 그것에 의하여 미세하면서도 동시에 균질한 조직을 갖는 자석분말을 재현성이 양호하게 효율적으로 제조하는 데에 적합한 나노콤포지트(nano composite)자석용 원료합금(분말) 및 그 제조 방법을 제공한다.
일반식이 Fe
100-xy R
x B
y , Fe
100-xyz R
x B
y Co
z , Fe
100-xyu R
x B
y M
u 또는 Fe
100-xyz- u R
x B
y Co
z M
u 로 표시되는 나노콤포지트(nano composite)자석용 원료합금이다. R은 Pr 및 Nd의 어느 한쪽 혹은 양쪽의 원소를 90 원자% 이상 함유하고, 나머지는 다른 란탄 계열 원소 혹은 Y의 일종 이상의 원소를 0 % 이상 10 % 미만 함유하는 희토류 원소이고, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Ga, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Pt, Pb, Au 및 Ag로 되는 군으로부터 선택된 일종 이상의 원소이다. 조성비 x, y, z, 및 u가, 2≤x≤6, 16≤y≤20, 0.2≤z≤7, 0.01≤u≤7을 만족하고, 게다가, X선 회절에 있어서의 브래그반사 피크가 0.179nm±0.005nm의 결정면 간격에 해당하는 위치에 있는 준안정상(Z)를 함유하고, 상기 브래그반사 피크의 강도가 할로(halo)패턴의 최고강도의 5% 이상 200% 미만이고, 또한 체심입방형 Fe의 (110) 브래그산란 피크의 강도가 상기 할로패턴의 최고 강도의 5% 미만이다.
나노콤포지트자석

3. 发明授权

KR100607297B1 내식성 피막을 가지는 Ｆｅ－Ｂ－Ｒ계 영구자석의 제조방법 有权
标题翻译：生产具有耐腐蚀膜的Fe-B-R基永久磁铁的方法
公开(公告)号：KR100607297B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1019990036340
申请日：1999-08-30
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 니시우치다케시 , 요시무라고시 , 기쿠이후미아키
IPC分类号： H01F41/14
CPC分类号： H01F41/026 , Y10T428/12465 , Y10T428/12611
摘要： Fe-BR계 영구자석 및 금속편은 처리용기내에 배치하고, 거기서 이들을 진동 및/또는 교반하고, 그에 의해서 금속피막은 자석의 표면에 형성된다. 금속 산화물 피막을 위한 출발물질인 금속 화합물의 가수분해 반응 및 중합반응에 의해 생성된 졸용액은 금속 피막에 사용되고 금속 산화물 피막을 형성하기 위하여 열처리를 행한다. 그러므로, 도금처리 또는 6가 크롬을 사용하는 처리를 수행하지 않고 쉽고 저비용으로 제조될 수 있고 자석의 표면에 대한 우수한 부착력을 가지고 온도 80℃ 및 상대습도 90%의 고온 및 고습도 조건하에 장시간 견디도록 방치돼도 열화될 수 없는 안정한 고자기 특성을 나타낼 수 있는 내식성 피막을 자석의 표면에 형성하는 것이 가능하다. 그래서, 우수한 내식성을 가지는 Fe-BR계 영구자석을 제공할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020060030098A 표면처리 지지부재, 표면처리 호울더, 표면처리 방법 및표면처리 장치 有权
标题翻译：表面处理支撑部件，表面处理支架，表面处理方法和表面处理装置
公开(公告)号：KR1020060030098A
公开(公告)日：2006-04-07
申请号：KR1020060027620
申请日：2006-03-27
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 도치시타요시미 , 후지와라요시오 , 아사가이요시히로 , 오타가키겐
IPC分类号： C23C14/18 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/505
摘要： 다수개의 작업물의 표면처리방법에 있어서, 작업물이 그의 축주위, 또는 회전축의 주위, 또는 그의 축 및 회전축의 주위를 회전하면서 처리실내에서 처리된다. 작업물은 다수개의 구획을 포함하는 상부 케이지 및 하부케이지로 구성되고, 이들 케이지는 길이방향으로 개폐가능한 지지부재내에 지지된다. 지지부재는 길이방향으로 개폐가능하게 접혀질수 있는 판형상 요소로 구성되어, 작업물의 내경에 대응하는 길이를 각각 가지는 다수개의 좁을 구역이 판형상 요소의 개방 상태에 규정된다. 스프링형상의 원통형 구조로 형성되도록 간격을 두고 와이어를 감음으로써 형성되는 호울더내에 작업물이 지지될 수 있으며, 따라서 작업물은 그 원통형 구조내에 수납된다. 표면처리방법에서 사용되는 표면처리장치는 처리실내에 마련된 처리재료원을 포함하여, 처리재료원으로부터 방출된 처리재료가 표면처리를 위하여 작업물에 도달하도록 보내지며, 작업물을 지지하기 위한 지지부재를 그의 축주위, 또는 회전축의 주위, 또는 그의 축주위 및 회전축의 주위로 회전하기 위한 수단을 포함한다. 따라서, 작업물은 그의 축주위나, 회전축의 주위 또는 그의 축 및 회전축의 주위를 회전하면서 동시에 또한 균일하게 표면처리될 수 있다.
摘要翻译：在对多个工件进行表面处理的方法中，工件在处理室中围绕其轴线或围绕旋转轴线或围绕其轴线和旋转轴线进行处理。该工件由一个上部笼和一个下部笼组成，该笼包括多个隔间，并且这些笼被支撑在可沿纵向打开和关闭的支撑构件中。所述支撑构件包括在改变折叠打开和关闭在纵向方向上的板状元件的，被分别定义对应于工件的内径到所述多个窄的区域的与板状件的打开状态的长度，。工件可以被支撑在通过以间隔缠绕金属丝而形成的支架中以形成弹簧状圆柱结构，从而工件被容纳在圆柱结构中。在表面处理方法中使用的表面处理装置包括设置在处理室中的处理材料源，使得从处理材料源排出的处理材料被传送到用于表面处理的工件，或者围绕其轴线围绕其轴线并围绕旋转轴线围绕旋转轴线。因此，工件可以在其轴线上围绕旋转轴线或围绕其轴线和旋转轴线旋转的同时且均匀地进行表面处理。

5. 发明授权

KR100562680B1 마그네트용 급속 응고 합금 및 마그네트 분말 제조방법 및 그 장치 有权
标题翻译：制备磁体快速凝固合金的方法及其设备
公开(公告)号：KR100562680B1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020037017247
申请日：2003-06-30
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 카네키요히로가쯔
IPC分类号： B22D11/06 , B82Y30/00
CPC分类号： B22D11/0611 , B22D11/064 , C22C45/02 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F41/0273
摘要： 다음의 일반식, (Fe
1-m T
m )
100-xyz Q
x R
y M
z , 여기서, T는 Co 또는 Ni중의 적어도 하나, Q는 B 또는 C 중의 적어도 하나, R은 희토류 물질중 적어도 어느 하나, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Ga, Zr, Nb, Mo, Ag, Hf, Ta, W, Pt, Au 및 Pb로 이루어지는 그룹에서 선택되고; 10 at% ≤ x ≤ 35 at% ; 2 at% ≤ y ≤ 10 at% ; 0 at% ≤ z ≤ 10 at% ; 0 at% ≤ m ≤ 0.5 at%, 으로 표현되는 조성을 갖는 합금 용탕을 준비한다. 그 다음, 상기 용탕을 회전하는 냉각롤러 표면에 용탕을 접촉되도록 하여 급속 냉각 및 응고시킨다. 상기 용탕은 가이드 표면이 수직면에 대해 경사각을 갖는 가이드부에 주입되어 가이드 표면을 따라 흐르고, 그 다음 적어도 하나의 튜브형 홀을 통하여 냉각롤러 표면상의 접촉 영역으로 공급된다.

6. 发明授权

KR100535948B1 철기재의 희토류합금분말 및 철기재의 희토류합금분말을포함하는 컴파운드 및 그것을 이용한 영구자석 有权
标题翻译：铁基稀土合金粉末和包含铁基稀土合金粉末和使用其的永久磁铁的化合物
公开(公告)号：KR100535948B1
公开(公告)日：2005-12-12
申请号：KR1020037008636
申请日：2002-02-06
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 카네키요히로가쯔 , 기타야마히로가쯔 , 히로사와사토시 , 미요시토시오
IPC分类号： H01F1/053
CPC分类号： B22F3/225 , B22F7/08 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , C22C33/0207 , H01F1/0571 , H01F1/0578 , H01F1/058 , B22F9/008 , B22F9/04 , B22F1/0003 , B22F3/22
摘要： An iron-based rare-earth alloy powder includes: a first iron-based rare-earth alloy powder, which has a mean particle size of 10 mu m to 70 mu m and of which the powder particles have aspect ratios of 0.4 to 1.0; and a second iron-based rare-earth alloy powder, which has a mean particle size of 70 mu m to 300 mu m and of which the powder particles have aspect ratios of less than 0.3. The first and second iron-based rare-earth alloy powders are mixed at a volume ratio of 1:49 to 4:1. In this manner, an iron-based rare-earth alloy powder with increased flowability and a compound to make a magnet are provided.

7. 发明授权

KR100419488B1 열전 변환 재료 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 열전변환재료및그제조방법
公开(公告)号：KR100419488B1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020007012611
申请日：2000-03-10
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 사다토미노부히로 , 야마시타오사무 , 사이고츠네카즈 , 노우미마사오
IPC分类号： H01L35/14
CPC分类号： H01L35/22 , H01L35/34
摘要： It is an object of the present invention to provide a silicon-based thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion element with which the thermal conductivity of a silicon-based thermoelectric conversion material can be lowered without decreasing the Seebeck coefficient and electrical conductivity of the material, which affords a marked increase in the Figure of merit. A polycrystal structure comprises crystal grains composed of a silicon-rich phase, and a added element-rich phase in which at least one type of added element is deposited at the grain boundary thereof, the result of which is an extremely large Seebeck coefficient and low thermal conductivity, allowing the thermoelectric conversion rate to be raised dramatically, and affording a silicon-based thermoelectric conversion material composed chiefly of silicon, which is an abundant resource, and which causes extremely little environmental pollution. For example, adding carbon, germanium, or tin to a silicon-based thermoelectric conversion material allows the thermal conductivity to be greatly reduced without changing the carrier concentration in the silicon-based material. A doping amount of 5 to 10 at% is ideal for lowering the thermal conductivity, and if a dopant that is added in order to produce a p- or n-type semiconductor and a group-IV element are deposited at the grain boundary of polycrystalline silicon, the resulting p- or n-type semiconductor will have a carrier concentration of 10 to 10 (M/m ) and a thermal conductivity of 50 W/m.K or less.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种硅基热电转换材料和热电转换元件，通过该硅基热电转换材料和热电转换元件可以降低硅基热电转换材料的热导率而不降低材料的塞贝克系数和电导率，显着提高了品质因数。多晶结构包括由富硅相构成的晶粒和添加的元素富集相，其中至少一种添加元素沉积在其晶界处，其结果是非常大的塞贝克系数和低的塞贝克系数导热性，使得热电转换率显着提高，并且提供主要由硅构成的硅基热电转换材料，这是一种丰富的资源，并且对环境污染极少。例如，在硅基热电转换材料中加入碳，锗或锡，可以大大降低热导率，而不会改变硅基材料中的载流子浓度。 5〜10原子％的掺杂量对于降低热导率是理想的，并且如果为了制造p型或n型半导体和IV族元素而添加的掺杂剂被沉积在多晶的晶界处硅，所得的p型或n型半导体将具有10 17的载流子浓度。至10 21。（M / m 3）以及50W / m.K或更小的热导率。＆lt;图像＆GT;

8. 发明公开

KR1020030084560A 영구자석 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020030084560A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：KR1020027015459
申请日：2002-02-06
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 오다에츠시 , 호소가와세이이치 , 토요타사치오
IPC分类号： H01F1/11
CPC分类号： H01F1/348 , C01G49/009 , C01P2004/61 , C01P2006/42 , C04B35/2633 , C04B35/2641 , C04B35/2683 , C04B35/6262 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/421 , C04B2235/44 , C04B2235/448 , C04B2235/5445 , C04B2235/605 , C04B2235/767 , G11B5/70678 , H01F1/10 , H01F1/11 , H01F1/113 , Y10T428/32
摘要： 본 발명은 페라이트 자석분말 및 그 제조방법에 관한 것이다. Sr, Ba, Pb 또는 Ca의 일부를, Y를 포함하는 희토류원소와 Bi에서 선택되는 적어도 1종류이고 반드시 La를 포함하는 원소로 치환한, 육방정의 M형 마그네트 플럼바이트 구조를 구비하는 페라이트에 대하여, 미분쇄시 육방정의 W형 마그네트 플럼바이트 구조를 가지는 페라이트를 첨가한 페라이트 자석이다. 각각 이미 육방정의 M형 마그네트 플럼바이트 구조를 구비하는 페라이트에 대하여, 미분쇄시 첨가하는 것에 의하여, 적은 Co, Ni, Mn, Zn 등의 원소의 첨가량으로, 자기특성의 향상을 도모할 수 있다.

9. 发明授权

KR100373577B1 자기 공명 촬영 장치용 자계 발생 장치 有权
标题翻译：用于磁共振成像设备的磁场发生器
公开(公告)号：KR100373577B1
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：KR1019997007817
申请日：1997-12-26
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 아오키마사아키 , 하시모토시게오
IPC分类号： A61B5/055
CPC分类号： G01R33/383 , G01R33/3873
摘要： 본 발명의 목적은 한 쌍의 자극편에 경사 코일을 장착한 MRI용 자계 발생 장치를 배치한 후, 상기 경사 코일을 분리시키지 않고서도 공극의 촬영 시야 내에서 자계의 균일성을 용이하고 안전하게 조정할 수 있는 MRI용 자계 발생 장치를 제공하는 것이다. 베이스 디스크(11) 위에 호울더 디스크(13)가 놓여져서 고정된 후 자계 균일성을 조정하기 위한 자성재 단편 또는, 영구 자석 단편은 소정의 패턴으로 소정의 피트에 끼워지고, 필요한 경우 상기 단편들과 커버 디스크(14) 사이의 간격에 스페이서(spacer)를 넣어 위치 결정을 한 후, 상기 커버 디스크(14)가 서로를 유지하도록 죄어진다. 그 결과로서의 심 호울더(10)는 상기 경사 코일(6) 또는 지지 부재를 따라 정렬되어 고정된다.

10. 发明授权

KR100360533B1 고실리콘 함유강의 제조 방법과 규소강 失效
标题翻译：生产高含硅钢和硅钢的方法
公开(公告)号：KR100360533B1
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：KR1020007001009
申请日：1999-05-28
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 야마시타오사무 , 마키타켄 , 노우미마사오 , 사이고츠네카즈
IPC分类号： C21D8/12
摘要： 본 발명은 종래 불가능하다고 여겨졌던 Si 함유량이 3 wt% 이상인 규소 강판 및 센더스트 박판의 압연에 의한 제조를 목적으로 하고, 피압연재로서, 판형의 소결체 또는 급냉 강판의 평균 결정립도를 300 ㎛ 이하로 하는 것 또는 순 Fe 분말과 Fe-Si 분말을 소정의 비율로 배합하여 소결체 내에 Fe 풍부 상을 잔존시킴으로써, 냉간 압연을 가능하게 한 것으로, 더욱이, 미리 Ti 등의 비자성 금속 원소를 첨가함으로써, 풀림시에 Fe 풍부 상과 Si 풍부 상을 고용하기 쉽게 하는 동시에 결정립의 입자 성장을 촉진하여 자기 특성이 우수한 규소 강판을 작성하는 것이다. 또한, 이 압연 규소 강판의 양면에 Al을 증착한 후, 열처리하여 Al을 그 강판의 내부까지 확산 침투시키는 동시에 결정립도을 조대화시킴으로써, 자기 특성이 우수한 센더스트 박판을 얻는 것이다.

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