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81. 发明公开

KR1020140022344A 스위치 제어 장치, 이를 포함하는 전력 공급 장치, 및 그 구동 방법 审中-实审
标题翻译：开关控制装置，包括其的电源装置和电源装置的驱动方法
公开(公告)号：KR1020140022344A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020130079955
申请日：2013-07-08
申请人： 페어차일드코리아반도체 주식회사
发明人： 엄현철 , 양승욱
IPC分类号： H02M3/155 , H02M3/145 , H02M3/10 , H02M3/04
摘要： The present invention relates to a switch control device, a power supply device including the switch control device, and a driving method thereof. AC input of the power supply device is connected to a rectifier circuit. The power supply device comprises a power switch in which input current of the rectifier circuit flows in during an on-period and the switch control device. The switch control device detects a half-on point, generates a modulation waveform by controlling a predetermined reference waveform according to a detected voltage, and controls a switching operation of the power switch according to the modulation waveform. [Reference numerals] (200) Half-on detection unit; (300) Current detector
摘要翻译：本发明涉及开关控制装置，包括开关控制装置的电源装置及其驱动方法。电源设备的交流输入连接到整流电路。电源装置包括电源开关，其中整流电路的输入电流在接通时段期间流入，并且开关控制装置。开关控制装置检测半导体点，通过根据检测到的电压来控制预定的基准波形来生成调制波形，并根据调制波形来控制电力开关的切换动作。（附图标记）（200）半通检测单元; （300）电流检测器

82. 发明公开

KR1020140015528A 모듈형 단계들을 구비한 DC-DC 컨버터 有权
标题翻译：具有模块级的DC-DC转换器
公开(公告)号：KR1020140015528A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020137032399
申请日：2012-05-04
申请人： 아크틱 샌드 테크놀로지스, 인크.
发明人： 줄리아노,데이비드엠.
IPC分类号： H02M3/07 , H02M3/155 , H02M3/145 , H02M3/10
CPC分类号： H02M3/07 , H02M1/42 , H02M3/00 , H02M3/158 , H02M3/1582 , H02M2001/007 , H02M2003/077
摘要： 전력 변환을 위한 장치는 상기 장치는 입력 단자 및 출력 단자를 구비 한 컨버터를 포함하며, 상기 컨버터는 조절 회로를 포함하며, 상기 조절 회로는 인덕턴스 및 상기 인덕턴스 에 연결된 스위칭 소자들을 포함하며, 상기 스위칭 소자들은 스위칭 구성들 사이의 스위치 제어를 수행하며 , 상기 조절 회로는 상기 인덕턴스를 통해 평균 DC 전류를 유지하며, 입력 포트 및 출력 포트를 구비한 스위 칭 네트워크를 포함하며, 상기 스위칭 네트워크는 충전 저장 소자들 및 상기 충전 저장 소자들에 연결된 스 위칭 소자들을 포함하며, 상기 스위칭 소자들은 하나의 스위치 구성 내 스위치 구성들 사이의 스위치 제어를 수행하며, 상기 스위칭 소자들은 충전 저장 소자들의 배열을 형성하며, 충전 저장 소자는 상기 스위칭 네트 워크의 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트 중 하나를 통해 충전되며, 또 다른 구성 내에서, 상기 스위칭 소자들은 충전 저장 소자들의 배열을 형성한다.

83. 发明公开

KR1020140003520A 펄스 폭 변조를 갖는 컨버터에서의 상대 효율 측정 审中-实审
标题翻译：脉冲宽度调制系统的相对效率测量
公开(公告)号：KR1020140003520A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020137020146
申请日：2011-12-09
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 디어본스캇 , 클리브랜드테리엘 , 엘리슨클리포드엔Ⅲ
IPC分类号： H02M3/158 , H02M3/157 , H02M3/155 , H02M3/10
CPC分类号： H02M3/157 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , Y02B70/1466 , Y02B70/1491
摘要： 펄스 폭 변조(PWM) 파워 변환 시스템은 넓은 동작 입력 전압 및 부하 범위에 걸쳐서 개선된 효율을 갖는다. 아날로그 PWM 시스템의 상대 효율을 측정하게 되면 아날로그 제어의 이점들을 유지하면서 제어를 향상시킬 수 있다. 아날로그 저역 필터가 PWM 펄스열의 평균값을 생성하면, 이 아날로그 평균값은 아날로그-디지털 변환기에 의해 디지털 값으로 변환되어 저장되어 상기 PWM 변환 시스템의 상대 효율들이 여러 조합의 동작 파라미터들을 위해 비교될 수 있다.

84. 发明授权

KR101343074B1 ＰＷＭ 스위칭 소자 보호 장치 有权
标题翻译：保护PWM开关器件的设备
公开(公告)号：KR101343074B1
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020120068103
申请日：2012-06-25
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 유회수
IPC分类号： H03K17/08 , H02M3/10
摘要： Disclosed is a PWM switching device protecting apparatus capable of preventing a switching device from being damaged by an excess current in case a device for outputting a PWM signal in a power supplier of a pulse width modulation (PWM) mode is shut down and the PWM signal maintains an on-duty state which is more than a preset maximum duty. The PWM switching device protecting apparatus includes: a first resistance in which the PWM signal with the duty is applied in one end; a capacitor whose one end is connected to the other end of the first resistance; a second resistance which is connected to the other end of the capacitor by a shunt; and a voltage detecting unit which receives the voltage of the other end of the capacitor and provides the gate drive signal of the switching device by outputting a high level signal in case the voltage of the other end of the capacitor is bigger than a preset reference voltage and outputting a low level signal in case of being less than the reference voltage. [Reference numerals] (11) Microprocessor;(12) Voltage detecting unit;(AA) Switching device
摘要翻译：公开了一种PWM切换装置保护装置，其能够防止开关装置在脉宽调制（PWM）模式的电源中输出PWM信号的装置关闭的情况下被过电流损坏，并且PWM信号维持一个超过预设的最大值的占空比状态。 PWM开关器件保护装置包括：在一端施加具有占空比的PWM信号的第一电阻; 电容器，其一端连接到第一电阻的另一端; 通过分路连接到电容器的另一端的第二电阻; 以及电压检测单元，其接收电容器的另一端的电压并通过在电容器的另一端的电压大于预设的参考电压的情况下输出高电平信号来提供开关装置的栅极驱动信号并且在小于参考电压的情况下输出低电平信号。（11）微处理器;（12）电压检测单元;（AA）开关装置

85. 发明公开

KR1020130137659A 직렬 통신 인터페이스를 구비하여 유저 구성가능하고, 효율이 최적화되고, 교정된 센서리스 파워/에너지 변환 스위치 모드 전원 장치 审中-实审
标题翻译：用户可配置，高效优化，校准无传感器电源/能量转换开关电源与串行通信接口
公开(公告)号：KR1020130137659A
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：KR1020137017294
申请日：2011-12-01
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 클리브랜드테리 , 엘리슨클리포드 , 디어본스캇 , 파즐키스
IPC分类号： H02M3/157 , H02M3/155 , H02M3/145 , H02M3/10
CPC分类号： H02M3/157
摘要： 지능형 펄스 폭 변조(PWM) 제어기는 마이크로컨트롤러, PWM 디지털 회로 및 아날로그 회로를 하나의 집적 회로에 집적함으로써 효율을 최적화하고, 핫 스폿을 제거하고, SMPS 시스템 동작 파라미터들을 적용하여 고장을 제거하여 외부 접속부의 수를 저감하고, 실리콘 다이 영역 및 집적 회로 패키지를 축소할 수 있다. 무손실 인덕터 전류 감지 기술은 파워 회로에서 손실을 일으키지 않고 SMPS의 파워 인덕터를 통해 전류를 정확하게 측정하기 위해 정합된 동조 상보 필터와 지능형 SMPS 제어기를 집적한다. 상보 필터는 부품 내성의 영향을 대폭적으로 개선하도록 마이크로컨트롤러에 의해 정밀한 폐루프 제어 및 과전류 방지를 위해 파워 인덕터 전류를 정확하게 측정함으로써 조정된다. 상보 통합 필터의 극 주파수와 이득은 SMPS 시스템의 동적인 변화 동작 조건에 적응하도록 온 더 플라이(on the fly)로 조정될 수 있다.

86. 发明公开

KR1020130126660A 직렬 통신 인터페이스를 구비한 유저 구성가능 효율 최적화된 파워/에너지 변환 스위치 모드 전원 장치 审中-实审
标题翻译：用户可配置，高效优化，功率/能量转换开关电源与串行通信接口
公开(公告)号：KR1020130126660A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020137017742
申请日：2011-12-01
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 클리브랜드테리 , 엘리슨클리포드 , 디어본스캇 , 파즐키스
IPC分类号： H02M3/157 , H02M3/155 , H02M3/145 , H02M3/10
CPC分类号： H02M3/157 , H02M3/1584 , H02M2001/0009
摘要： 지능형 펄스 폭 변호(PWM) 제어기는 마이크로컨트롤러, PWM 디지털 회로들 및 아날로그 회로들을 단일 집적 회로에 집적함으로써 효율을 최적화하고, 핫 스폿을 제거하고 고장들을 제거하여 외부 접속부들의 수를 저감하고, 실리콘 다이 영역 및 회로 패키지들을 축소하기 위해 스위치 모드 전원 장치(SMPS) 시스템 동작 파라미터들을 사용한다. 통신 인터페이스는 SMPS의 동작 파라미터들, 예를 들어 전류, 전압, 효율, 동작 온도 및 진단 수단 등을 모니터링하기 위한 호스트 시스템과 통신하는데 사용된다. 또한, 통신 인터페이스는 그 동작 중에 SMPS의 동작 파라미터들(오브젝트들)을 변경하는데 사용될 수 있다.

87. 发明授权

KR100919550B1 전력 저장 시스템 有权
标题翻译：电力储存系统
公开(公告)号：KR100919550B1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020077007734
申请日：2006-04-11
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 키타나카히데토시
IPC分类号： H02M3/10 , H02J7/10
CPC分类号： B60L2200/26
摘要： 전력 저장 시스템의 실용에 임하여 중요 또한 필요 불가결해지는 기동, 운전, 정지를 확실하게 실시할 수 있는 동시에, 각종 이상에 적절히 대처할 수 있는 전력 저장 시스템을 제공한다.
직류 전원으로부터의 직류 전력을 DCDC 컨버터부에 의해 소정의 전압, 전류로 조정하여 전력 저장부에 저장하는 전력 저장 시스템에 있어서, DCDC 컨버터부의 직류 전력 공급원측(1차측)에 1차측 전류 검출부와, 1차측 전압 검출부와, 1차측 스위치부와, 1차측 필터부를 배치하는 동시에, DCDC 컨버터부의 전력 저장부측(2차측)에 2차측 필터부, 2차측 스위치부, 2차측 전압 검출부, 2차측 전류 검출부를 배치하고, 외부로부터의 운전 지령과, 1차측 전류 검출부, 1차측 전압 검출부 등의 각 부로부터 얻어진 신호가 입력되는 시스템 제어부에 의해, 적어도 1차측 스위치부, DCDC 컨버터부, 2차측 스위치부의 온, 오프 제어를 실시하도록 하였다.

88. 发明授权

KR100823512B1 플라즈마 표시 장치 및 그 전압 발생기 失效
标题翻译：等离子显示设备及其电压发生器
公开(公告)号：KR100823512B1
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020060087368
申请日：2006-09-11
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 김정훈 , 박정필 , 김석기 , 안정수
IPC分类号： G09G3/296 , H02M3/137 , H02M3/10
CPC分类号： G09G3/296 , G09G3/292 , G09G3/293 , G09G2310/0289 , G09G2330/028
摘要： 플라즈마 표시 장치에서, 트랜지스터의 제1 전극이 주사 전극에 연결된다. 그리고 상기 트랜지스터의 제2 전극에 제너 다이오드의 캐소드가 연결되고 스캔 전압을 공급하는 전원에 애노드가 연결된다. 트랜지스터의 제1 전극과 제어 전극 사이에 제1 저항이 연결되어 있으며, 트랜지스터의 제어 전극과 제너 다이오드의 애노드 사이에 제2 저항이 연결되어 있다. 이를 통해 스캔 전압을 생성하는 전원을 통해 리셋 기간의 최종 전압도 생성할 수 있다.
스캔 전압, 리셋 기간의 최종 전압, 전원, 전압 발생기, 제너 다이오드
摘要翻译：在等离子体显示器中，晶体管的第一电极连接到扫描电极。齐纳二极管的阴极连接到晶体管的第二电极，并且阳极连接到提供扫描电压的电源。第一电阻器连接在晶体管的第一电极和控制电极之间，第二电阻器连接在晶体管的控制电极和齐纳二极管的阳极之间。通过这个，复位周期的最终电压也可以通过产生扫描电压的电源产生。

89. 发明授权

KR100601254B1 쇼트 방지기능을 갖는 레귤레이터 장치 失效
标题翻译：具有短路保护功能的调节器
公开(公告)号：KR100601254B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1019990015661
申请日：1999-04-30
申请人： 페어차일드코리아반도체 주식회사
发明人： 김동희
IPC分类号： H02M3/10
摘要： 이 발명은 쇼트 방지기능을 갖는 레귤레이터 장치에 관한 것으로, 본 발명은, 일정한 기준전압을 출력하는 기준전압 발생부; 상기 기준전압과 피드백되는 전압의 차이를 증폭하여 출력하는 오차 증폭부; 상기 오차 증폭부의 출력에 베이스가 연결되고, 에미터가 전원에 연결되는 파워 트랜지스터; 상기 파워 트랜지스터의 컬렉터에 일측이 연결되는 제1 저항; 상기 제1 저항의 타측에 일측이 연결되고, 타측은 접지되는 제2 저항; 및 상기 제1 저항 및 제2 저항의 접점에 연결되어, 피드백 전압을 발생하고, 쇼트시에 전류를 유입하는 쇼트 방지부를 포함한다.
이러한 구성을 가진 본 발명은 출력단의 쇼트시에 증가된 전류를 다른쪽으로 흐르도록 쇼트 방지부를 설치하여 파워 트랜지스터를 보호한다.
레귤레이터, 파워트랜지스터, 엔피엔트랜지스터, 피엔피트랜지스터

90. 发明公开

KR1020010033341A 자계 에너지를 전계 에너지로 변환시키기 위한 전기 회로 无效
标题翻译：将磁场能量转换成电场能量的电路
公开(公告)号：KR1020010033341A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：KR1020007006803
申请日：1998-12-08
申请人： 지멘스 악티엔게젤샤프트
发明人： 미틀레너,하인츠 , 문츠,디터 , 슈미트,리하르트 , 슈테파니,디트리히
IPC分类号： H02M3/10
CPC分类号： H02M3/155 , Y02B70/1483
摘要： 자계에너지(M)를전계에너지(E)로변환시키기위한전기회로(G)는자계에너지(M)용적어도하나의제 1 어큐뮬레이터소자(L), 전계에너지(E)용제 2 어큐뮬레이터소자(C), 반도체밸브소자(D) 및전기스위칭소자(S)를포함한다. 본발명에따라, 반도체밸브소자(D)의반도체재료는적어도 2 eV의밴드갭(VB) 및적어도 5*10^5 V/㎝의브레이크다운필드강도(EK)를갖는다. 반도체밸브소자(D)의반도체재료는특히실리콘탄화물(SiC), 갈륨질화물(GaN) 또는다이아몬드(Cdia)를포함한다. 반도체밸브소자(D)는특히반도체다이오드, 바람직하게는쇼트키다이오드이다. 본발명에따른반도체밸브소자(D)의적은다이내믹스위칭손실로인해, 작은부품을가진전기회로(G)가높은동작전압및 높은스위칭주파수에도사용될수 있다.

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