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81. 发明公开

KR1020130011042A 발광소자 审中-实审
标题翻译：光发射装置
公开(公告)号：KR1020130011042A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110071920
申请日：2011-07-20
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 임현수
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/145 , F21Y2115/10 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/42
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve luminous efficiency by diffusely reflecting light from a light emitting structure through a reflection pattern on a reflection layer arranged in a current limit layer. CONSTITUTION: A light emitting structure(120) is formed on a substrate(110). The light emitting structure includes a first semiconductor layer(122), a second semiconductor layer(126), and an active layer(124). A first electrode(130) is formed on the first semiconductor layer. A current limit layer(150) is formed on the second semiconductor layer. A reflection layer(160) includes a reflection pattern corresponding to a pattern formed on the current limit layer. A second electrode(140) is formed on the reflection layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光装置，以通过在布置在限流层中的反射层上的反射图案漫反射来自发光结构的光来提高发光效率。构成：在基板（110）上形成发光结构（120）。发光结构包括第一半导体层（122），第二半导体层（126）和有源层（124）。第一电极（130）形成在第一半导体层上。在第二半导体层上形成限流层（150）。反射层（160）包括对应于形成在限流层上的图案的反射图案。第二电极（140）形成在反射层上。

82. 发明公开

KR1020130010673A 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 审中-实审
标题翻译：发光装置包装
公开(公告)号：KR1020130010673A
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：KR1020110071448
申请日：2011-07-19
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 송현돈
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a light emitting device package including the same are provided to prevent the deterioration of quality of a device due to the diffusion of metal elements by forming a diffusion preventing layer in an eutectic junction layer. CONSTITUTION: A light emitting structure(120) includes a first conductive semiconductor layer(122), an active layer(124), and a second conductive semiconductor layer(126). A reflection layer(140) is formed on the light emitting structure. An eutectic junction layer(150) is formed on the reflection layer and includes a diffusion preventing layer(160). A conductive support substrate(170) is formed on the eutectic junction layer. A passivation layer(180) is formed on the side of the light emitting structure.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件和包括该发光器件的发光器件封装，以通过在共晶结层中形成扩散防止层来防止由于金属元素的扩散而引起的器件质量的劣化。构成：发光结构（120）包括第一导电半导体层（122），有源层（124）和第二导电半导体层（126）。在发光结构上形成反射层（140）。在反射层上形成共晶结层（150），并包括扩散防止层（160）。在共晶结层上形成导电支撑衬底（170）。钝化层（180）形成在发光结构的一侧。

83. 发明公开

KR1020120133768A 발광소자 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120133768A
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020110052588
申请日：2011-06-01
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 정환희
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/22 , H01L33/36
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve luminous efficiency thereof by preventing currents from being concentrated on a specific area. CONSTITUTION: A light emitting structure(160) comprises a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer. An insulating layer(155) is arranged underneath the second conductivity type semiconductor layer and comes in contact with the second conductivity type semiconductor layer. An ohmic layer is arranged underneath the second conductivity type semiconductor layer and touches the second conductivity type semiconductor layer and the insulating layer. A reflecting layer(140) is arranged underneath the ohmic layer and comes in contact with the ohmic layer and the insulating layer. A metal barrier layer(130) is arranged on the second conductivity type semiconductor layer or beneath the reflecting layer and touches he second conductivity type semiconductor layer, the insulating layer, and the reflecting layer.
摘要翻译：目的：提供一种通过防止电流集中在特定区域上来提高发光效率的发光器件。构成：发光结构（160）包括第一导电型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层。绝缘层（155）布置在第二导电类型半导体层下方并与第二导电类型半导体层接触。欧姆层布置在第二导电类型半导体层下方并与第二导电类型半导体层和绝缘层接触。反射层（140）布置在欧姆层下方并与欧姆层和绝缘层接触。金属阻挡层（130）布置在第二导电类型半导体层上或反射层下方，并与第二导电类型半导体层，绝缘层和反射层接触。

84. 发明公开

KR1020120129449A 자외선 발광 소자 无效
标题翻译：紫外线发光装置
公开(公告)号：KR1020120129449A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110047706
申请日：2011-05-20
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 송현돈
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20
摘要： PURPOSE: An ultraviolet light-emitting device is provided to improve optical extraction efficiency by forming a reflecting layer at a side of an active layer for generating ultraviolet ray. CONSTITUTION: An active layer(50) emits ultraviolet ray on a first conductivity type semiconductor layer(40). A second conductive semiconductor layer(60) is formed on the active layer. A reflecting layer(70) is formed at the side of the active layer. The reflecting layer reflects ultraviolet ray emitting from the active layer. The reflecting layer reflects TM polarized ultraviolet ray.
摘要翻译：目的：提供一种紫外线发光装置，通过在用于产生紫外线的活性层侧形成反射层来提高光提取效率。构成：有源层（50）在第一导电类型半导体层（40）上发射紫外线。在有源层上形成第二导电半导体层（60）。反射层（70）形成在有源层的侧面。反射层反射从活性层发射的紫外线。反射层反射TM偏振紫外线。

85. 发明公开

KR1020120126856A 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 이용한 발광장치 无效
标题翻译：半导体发光二极管芯片及其发光装置
公开(公告)号：KR1020120126856A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110044955
申请日：2011-05-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채승완 , 김태훈 , 이수열 , 김성태 , 이종호
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/36
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting diode chip and a light emitting device using the same are provided to prevent damage to a reflective structure by preventing diffusion of an unwanted element of a eutectic bonding layer using a diffusion barrier. CONSTITUTION: A light emitting diode structure(40) comprises an n-type semiconductor layer(42), an active layer(45), and a p-type semiconductor layer(46). An n-side electrode(49a) is formed on the upper side of the exposed n-type semiconductor layer. A transparent electrode layer(47) is formed on the upper side of the p-type semiconductor layer. An optical subsidiary layer(53) is comprised of material having a predetermined refractive index.
摘要翻译：目的：提供一种半导体发光二极管芯片和使用该半导体发光二极管芯片的发光器件，以通过防止使用扩散阻挡层的共晶接合层的不想要的元件的扩散来防止对反射结构的损坏。构成：发光二极管结构（40）包括n型半导体层（42），有源层（45）和p型半导体层（46）。在暴露的n型半导体层的上侧形成有n侧电极（49a）。透明电极层（47）形成在p型半导体层的上侧。光学辅助层（53）由具有预定折射率的材料构成。

86. 发明公开

KR1020120111768A 발광소자 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120111768A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020110027709
申请日：2011-03-28
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 이대희
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/10 , H01L33/44 , H01L33/22 , H01L33/40 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to prevent light loss by including a DBR(distributed Bragg reflector) layer placed on the surface of a cavity. CONSTITUTION: A light emitting structure(130) is placed on a supporting substrate. The light emitting structure comprises a first electrical conduction semiconductor layer, a second electrical conduction semiconductor layer, and an active layer. The active layer is formed between the first electrical conduction semiconductor and the second electrical conduction semiconductor layer. The DBR layer is located on the surface of a cavity. A first electrode(140) is placed on the light emitting structure. A first refractive layer and a second refractive layer are alternately laminated on the DBR layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，以通过包括放置在空腔表面上的DBR（分布式布拉格反射器）层来防止光损失。构成：将发光结构（130）放置在支撑基板上。发光结构包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和有源层。有源层形成在第一导电半导体和第二导电半导体层之间。 DBR层位于空腔的表面上。第一电极（140）被放置在发光结构上。第一折射层和第二折射层交替层叠在DBR层上。

87. 发明公开

KR1020120088047A 발광 소자 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120088047A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR1020100110012
申请日：2010-11-05
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배정혁
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/22 , H01L27/12 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/38 , H01L27/1266 , H01L27/153 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the luminous efficiency of the light emitting device by minimizing interference between an electrode and a wire connected to the electrode. CONSTITUTION: A reflection layer(120) is formed on a substrate(110). A light emitting structure(140) is formed on the reflection layer. The light emitting structure includes the first conductive semiconductor layer(141), an active layer(142) and the second conductive semiconductor layer(143). A passivation layer(130) is formed on the side of the reflection layer. An electrode(150) is formed on the passivation layer.
摘要翻译：目的：提供发光器件，通过最小化电极和连接到电极的电线之间的干扰来提高发光器件的发光效率。构成：在基板（110）上形成反射层（120）。在反射层上形成发光结构（140）。发光结构包括第一导电半导体层（141），有源层（142）和第二导电半导体层（143）。钝化层（130）形成在反射层的一侧。在钝化层上形成电极（150）。

88. 发明公开

KR1020120054006A 자외선 스펙트럼 영역에 대한 Ｐ-콘택트 및 발광 다이오드 有权
标题翻译：用于超紫外线光谱范围的P-接触和发光二极管
公开(公告)号：KR1020120054006A
公开(公告)日：2012-05-29
申请号：KR1020127001221
申请日：2010-07-16
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 나이슬,미카엘 , 웨이어스,마르쿠스 , 아인펠트,스븐 , 로드리귀츠,헤르난
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/40
摘要： 본 발명은 자외선 스팩트럼 영역을 위한 빛 방출 다이오드에 사용하기 위하여 첫번째 표면 (A)이 방사 구역에 접하고, 두번째 표면 (B)이 상기 첫번째 표면에 바깥쪽을 향하는 p-콘택트층 (2)을 포함하는 p-도핑된 콘택트 (1) 로서, 상기 p-도핑된 콘택트는 a) p-콘택트층의 두번째 표면 (B)의 5% 내지 99.99%와 직접적으로 닿는 코팅 (8)을 가지고, 200 nm 내지 400 nm 사이 파장의 자외선 영역에서, 바람직하게는 270 nm 파장의 빛에서 적어도 60%의 최대 반사율을 가지는 금속을 포함하거나 이를 가지며, b) p-콘택트층 (2)의 두번째 표면 (B)에 직접 배열되는 것을 특징으로 하는 복수의 p-인젝터 (5)를 가지는 것을 특징으로 하는 p-도핑된 콘택트에 관한 것이다.

89. 发明公开

KR1020120052327A 광전자 반도체 소자 그리고 무기 광전자 반도체를 제조하기 위한 방법 有权
标题翻译：光电半导体元件及其制造无机光电半导体元件的方法
公开(公告)号：KR1020120052327A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020127004141
申请日：2010-06-10
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 회펠,루츠 , 본말,노르빈
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/05 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 캐리어(2) 및 적어도 하나의 반도체 층 시퀀스(3)를 포함하는 광전자 반도체 소자(1)와 관련이 있다. 반도체 층 시퀀스(3)는 적어도 하나의 활성층(30)을 구비한다. 반도체 층 시퀀스(3)는 또한 캐리어(2)에도 적용되어 있다. 광전자 반도체 소자(1)는 또한 캐리어(2)와 반도체 층 시퀀스(3) 사이에 있는 금속 미러(4)도 포함한다. 캐리어(2) 및 반도체 층 시퀀스(3)는 금속 미러(4) 위로 가로 방향으로 돌출한다. 또한, 금속 미러(4)는 방사선을 통과시키는 캡슐화 층(5)에 의해서 가로 방향으로 직접 둘러싸여 있다.

90. 发明公开

KR1020120049288A 몰딩된 반사 측벽 코팅을 갖는 ＬＥＤ有权
标题翻译： LED模具反光面板涂层
公开(公告)号：KR1020120049288A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020127004591
申请日：2010-06-23
申请人： 루미레즈 엘엘씨 , 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 비어후이젠,세르게제이. , 잉,그레고리,더블유.
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： 인광체 층(30)을 갖는 LED들(10)의 어레이가 실장된 서브마운트 웨이퍼(36)가 인덴션들(42)의 어레이를 갖는 몰드(40)에 대하여 위치된다. 10중량%-50중량%의 TiO
2 와 실리콘의 혼합물(44)이 웨이퍼와 인덴션들 사이에 분산되며, 이는 몰딩된 실질적으로 반사성 재료를 생성한다. 몰딩된 혼합물은 LED의 측벽들을 커버하는 반사 벽(46)을 형성한다. 그 다음에, 반사성 재료는 경화되며, 서브마운트 웨이퍼는, 측벽들을 커버하는 반사성 재료가 LED로부터 방출된 광을 포함하도록 몰드로부터 분리된다. 서브마운트 웨이퍼는 다이싱된다. 그 다음에, LED가 요소의 중심 홀(54)을 통해 돌출하도록, 이 요소(예를 들어, 반사기(50), 지지 브래킷(76) 등)가 서브마운트(22)에 부착될 수 있다. 이 요소의 내부 에지는 LED의 상부 표면(32)의 위의 또는 아래의 임의의 높이에 위치하도록 용이하게 형성된다.

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