专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明公开

KR1020160045659A 터치 스크린 패널용 터치 센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널 审中-实审
标题翻译：触摸式屏幕触摸传感器，触控屏幕盖和触控屏幕包装盖的制造方法
公开(公告)号：KR1020160045659A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020160045607
申请日：2016-04-14
申请人： 주식회사 아모센스
发明人： 단성백 , 황진수
IPC分类号： G06F3/041 , H01B5/14 , H01B13/00 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/06 , C25D3/38 , C23C18/38
CPC分类号： G06F3/041 , G03F7/0047 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/322 , G03F7/36 , G06F3/044 , G06F2203/04102 , G06F2203/04103 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C18/38 , C25D3/38 , H01B5/14 , H01B13/0026
摘要： 본발명은터치스크린패널용터치센서, 그제조방법및 이를포함하는터치스크린패널에관한것으로, 투명기재상에증착을통해형성된증착박막층을형성하고, 상기증착박막층에서터치감지용회로패턴의형상에대응되는부분만남긴후 상기투명기재상에남겨진상기증착박막층을도금하여터치스크린패널용터치센서를제조함으로써, 투명기재와의터치감지용회로패턴의부착력을강화시켜미세선폭을가지는터치감지용회로패턴을정밀하게형성할수 있고터치감지용회로패턴의내구성을증대시켜작동신뢰성을확보하며, 특히휨변형에도터치감지용회로패턴이손상되지않아플렉시블디스플레이에안정적으로적용이가능하며플렉시블디스플레이의안정적인터치속도와멀티터치를통해제품의작동신뢰성을확보한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于触摸屏面板的触摸传感器，其制造方法和包括该触摸屏面板的触摸屏面板。用于触摸屏面板的触摸传感器通过在透明物质上形成通过沉积形成的沉积薄膜层来制造，仅通过使与沉积的薄膜层的一部分对应于触摸感测电路图案的形状，并通过电镀沉积在该透明基板上的薄膜层。因此，通过增强透明基板和触摸感测电路图案之间的粘合强度，可以精细地形成具有细线宽度的触摸感测电路图案，并且通过增加触摸感测电路图案的耐久性来确保操作可靠性。触摸传感器可以应用于柔性显示器，因为即使通过稳定的触摸速度和柔性显示器的多点触摸确保产品的弯曲偏转和操作可靠性，触摸感测电路图案也不被特别损坏。

82. 发明公开

KR1020160038462A 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법 有权
标题翻译：聚合物，有机层组合物，有机层和形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020160038462A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140131589
申请日：2014-09-30
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 남연희 , 김승현 , 권효영 , 김성환 , 남궁란 , 문수현 , 라뜨웰도미니아 , 송현지 , 정현일 , 허유미
IPC分类号： C08G61/12 , C08L65/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/075 , G03F7/26 , G03F7/20
CPC分类号： C08G73/0672 , C08G61/124 , C08G2261/12 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/04 , C09D165/00 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/36 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/324 , C08G61/12 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/26 , G03F7/70691
摘要： 화학식 1로표현되는부분을포함하는중합체, 상기중합체를포함하는유기막조성물, 상기유기막조성물로부터제조된유기막, 및상기유기막조성물을사용하는패턴형성방법에관한것이다. 상기화학식 1의정의는명세서내에기재한바와같다.
摘要翻译：本发明涉及：包含由化学式1表示的部分的聚合物; 包含该聚合物的有机薄膜组合物; 由有机薄膜组合物制成的有机薄膜; 以及使用有机膜组合物形成图案的方法。化学式1的定义与说明书中所述的相同。此外，该聚合物具有耐蚀刻性和平坦化性。

83. 发明授权

KR101599961B1 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
公开(公告)号：KR101599961B1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020120153566
申请日：2012-12-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박유정 , 김혜정 , 박요철 , 윤용운 , 이성재 , 이철호 , 조연진
IPC分类号： C07C49/792 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
摘要： 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 상기하드마스크조성물을사용한패턴형성방법에관한것이다.[화학식 1]상기화학식 1에서,A내지 A, X, X, L, L, Y, Y, n1 및 n2의정의는명세서에기재한바와같다.

84. 发明公开

KR1020150135298A 조성물, 패턴이 형성된 기판의 제조 방법, 막 및 그의 형성 방법, 및 화합물 审中-实审
标题翻译：组合物，用于生产其形成图案的底物的方法，薄膜及其制备方法和化合物
公开(公告)号：KR1020150135298A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020157026268
申请日：2014-03-19
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 나카후지,신야 , 도요카와,후미히로 , 와카마츠,고지 , 다키모토,요시오 , 미조구치,가츠히사 , 오카다,다카시 , 우노,다카아키 , 엔도,다케시 , 모리츠구,마사키
IPC分类号： G03F7/11 , C07C255/51 , C07C255/54 , C07D493/10 , C08G65/40
CPC分类号： G03F7/11 , C07C255/54 , C07D493/10 , C08G65/38 , C08G65/40 , C09D171/00 , C09D171/10 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/36 , H01L21/02118
摘要： 본발명은하기식(1)로표현되는부분구조를갖는화합물, 및용매를함유하는조성물이다. 하기식(1) 중, X및 X는각각독립적으로, 스피로탄소원자및 방향환의탄소원자와함께구성되는치환또는비치환된환원수 4 내지 10의환 구조를나타낸다. n1 및 n2는각각독립적으로, 0 내지 2의정수이다. k1+k2는각각독립적으로, 1 내지 8의정수이다. 단, k1+k2는 2 이상 16 이하이다. 상기화합물은하기식(2)로표현되는것이바람직하다. 상기식(1)에서의 k1+k2로서는 3 이상이바람직하다.
摘要翻译：组合物包括包含由式（1）表示的部分结构的化合物和溶剂。在式（1）中，X 1和X 2各自独立地表示与X 1或X 2相邻的与环碳原子一起构成的具有4〜10个环原子的取代或未取代的环结构。 n1和n2各自独立地为0〜2的整数， k1和k2的和各自独立地为1〜8的整数，其中k1和k2之和不小于2且不大于16.该化合物优选由式（2）表示。式（1）中的k1和k2之和优选为3以上。

85. 发明公开

KR1020150111531A 금속 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：形成金属图案的方法
公开(公告)号：KR1020150111531A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140034804
申请日：2014-03-25
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단
发明人： 이성의 , 유시홍 , 윤영우
IPC分类号： G03F7/36 , H01B5/14
CPC分类号： G03F7/00 , G03F7/36 , H01B5/14
摘要： 본발명은금속패턴형성방법에관한것으로서, 구체적으로는반도체의포토리소그래피(photo lithography) 공정에있어금속막의식각을위한에칭(etching) 공정을생략한간소화된금속패턴형성방법에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 반도체의포토리소그래피(photo lithography) 공정에있어에칭(etching) 공정을생략함으로써, 에칭공정에수반되는환경유해물질의배출을억제하여친환경적금속패턴형성공정을구현할수 있고나아가공정절차의단순화를통해대량생산에유리할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成金属图案的方法，具体地说，涉及通过省略用于蚀刻半导体的光刻工艺的金属膜的蚀刻工艺而简化的金属图案的形成方法。根据本发明的一个实施方案，该方法能够通过抑制在腐蚀过程中伴随着对环境有害的物质的排出，并且通过简单的生产大量地进行形成金属图案的环保工艺通过省略关于半导体的光刻工艺的蚀刻工艺。

86. 发明授权

KR101556276B1 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR101556276B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020120157570
申请日：2012-12-28
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 신승욱 , 김윤준 , 김혜정 , 조연진 , 최유정
IPC分类号： G03F1/00 , C07C63/15 , G03F7/26 , C07C15/40
CPC分类号： G03F7/004 , C07C63/15 , C07C63/26 , C07C65/32 , C07C65/34 , C07C65/40 , G03F1/00 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40
摘要： 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, L, L′, X 및 n의정의는명세서에서정의한바와같다.
摘要翻译：公开了由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体，包含单体的硬掩模组合物以及使用其形成图案的方法。在上述化学式1中，A，A'，L，L'，X和n与说明书中所定义相同。

87. 发明公开

KR1020150051478A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光电子组合物及使用其制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020150051478A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130132996
申请日：2013-11-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김정원 , 조기현 , 박광우 , 박철원 , 주진호 , 김동민 , 제갈은
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/26 , H01L29/786
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0048 , G03F7/022 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/039 , G03F7/0757 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/42 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/32133 , H01L21/32139 , H01L27/1288
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 노볼락수지; 디아지드계감광성화합물; 하기화학식 1로표시되는계면활성제; 및용매;를포함하는포토레지스트조성물을제공하며, 하기식에서 R1 및 R2는수소또는알킬기이다. [화학식 1]
摘要翻译：在本发明的一个实施方案中，提供了包含酚醛清漆树脂的光致抗蚀剂组合物; 二叠氮基光敏化合物; 由化学式1表示的表面活性剂; 和其中化学式中的R 1和R 2为氢或烷基的溶剂。

88. 发明公开

KR1020150027012A 하드마스크 审中-实审
标题翻译：硬掩模
公开(公告)号：KR1020150027012A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140117265
申请日：2014-09-03
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
发明人： 야마다신타로 , 왕데얀 , 웡사브리나 , 류콩 , 슈쳉-바이
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G79/00 , C08K5/0091 , C08K5/56 , C09B57/10 , C09B69/10 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/0332
摘要： In the present invention, provided is a composition, which comprises an organic metal compound with a chromophore on the backbone of metal polymers and accordingly controls the reflectivity of substrates under various conditions with use of a possible n/k value in a wide range wherein the range of n and k is limited. Therefore, in the present invention, manufactured is a film for preventing reflectivity having (-M-O-)_n domain and provided is a composition having an organic solvent and an organic metal compound of chemical formula 1.
摘要翻译：在本发明中，提供了一种组合物，其包含在金属聚合物的骨架上具有发色团的有机金属化合物，并因此利用在宽范围内的可能的n / k值来控制各种条件下的衬底的反射率，其中 n和k的范围是有限的。因此，在本发明中，制造了用于防止具有（-M-O - ）n结构域的反射率的膜，并且是具有化学式1的有机溶剂和有机金属化合物的组合物。

89. 发明公开

KR1020140136767A 레지스트 하층막용 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译：电阻底层组合物，形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020140136767A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130057256
申请日：2013-05-21
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김민겸 , 권효영 , 이준호 , 전환승
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0042 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 하기 화학식 1로 표현되는 부분을 포함하는 화합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서,
A
1 내지 A
3 , X
1 , X
2 , L
1 , L
2 , Z 및 m은 각각 명세서에서 정의한 바와 같다.
摘要翻译：在本发明中，提供了包含溶剂和包含化学式1表示的部分的化合物的抗蚀剂下层组合物。在化学式1中，A1-A3，X1，X2，L1，L2，Z和m具有相同的作为专利说明书的定义。

90. 发明公开

KR1020140086730A 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020140086730A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120157570
申请日：2012-12-28
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 신승욱 , 김윤준 , 김혜정 , 조연진 , 최유정
IPC分类号： G03F1/00 , C07C63/15 , G03F7/26 , C07C15/40
CPC分类号： G03F7/004 , C07C63/15 , C07C63/26 , C07C65/32 , C07C65/34 , C07C65/40 , G03F1/00 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40 , C07C15/40
摘要： The present invention relates to a monomer for a hardmask composition, a hardmask composition including the monomer, and a method for forming patterns using the hardmask composition, expressed by the below chemical formula 1. [Chemical formula 1] A, A′, L, L′, X and n of the above chemical formula 1 is defined specifically in the present specification.
摘要翻译：本发明涉及用于硬掩模组合物的单体，包含单体的硬掩模组合物，以及由下述化学式1表示的使用该硬掩模组合物形成图案的方法。[化学式1] A，A'，L，上述化学式1中的L'，X和n在本说明书中具体定义。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式