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    • 81. 发明授权
    • 유도 자기 어셈블리 패턴 결함률을 감소시키기 위한 에칭 프로세스
    • 蚀刻工艺减少感应磁性组件图案缺陷率
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    • 2017-08-24
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    • 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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    • H01L21/31138B81C1/00031B81C2201/0149G03F7/0002H01L21/0337H01L21/67103H01L21/67109H01L21/67248
    • 패터닝된유도자기어셈블리(directed self-assembly; DSA) 층을준비하기위한방법이제공되며, 이방법은표면상에블록코폴리머층(block copolymer layer)을갖고있는기판을제공하는단계로서, 상기블록코폴리머층은블록코폴리머층에서제 1 패턴을정의하는제 1 위상-분리폴리머(phase-separated polymer) 및블록코폴리머층에서제 2 패턴을정의하는제 2 위상-분리폴리머를포함하는, 상기기판을제공하는단계; 및기판의표면상에제 1 위상-분리폴리머의제 1 패턴을남겨두면서, 제 2 위상-분리폴리머를선택적으로제거하기위한에칭프로세스를수행하는단계를포함하고, 에칭프로세스는약 20℃이하의기판온도에서수행된다. 이방법은중앙영역에서제 1 온도를제어하기위한제 1 온도제어엘리먼트및 기판의에지영역의제 2 온도제어엘리먼트를갖는기판홀더를제공하는단계; 및제 1 및제 2 온도에대한타겟값을선택하는단계를더 포함한다.
    • 提供了用于制备图案化定向自组装(DSA)层的方法,所述方法包括:提供在表面上具有嵌段共聚物层的基材, 其中共聚物层包含在嵌段共聚物层中限定第一图案的第一相分离聚合物和在嵌段共聚物层中限定第二图案的第二相分离聚合物。 提供衬底; 并且执行蚀刻工艺以选择性地移除第二相分离聚合物,同时在基板的表面上留下第一相分离聚合物的第一图案,其中蚀刻工艺在温度 基材温度。 该方法包括提供衬底保持器,该衬底保持器具有用于控制中央区域中的第一温度的第一温度控制元件和衬底的边缘区域中的第二温度控制元件; 并选择第一和第二温度的目标值。