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81. 发明授权

KR100424600B1 방향성에지보간을사용한모션적응스캔-율변환 失效
标题翻译： 방향성에지보간을사용한모션적응스캔 - 율변환
公开(公告)号：KR100424600B1
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：KR1019950008607
申请日：1995-04-13
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 토드에이.클라타노프 , 비셜마켄디 , 로버트제이.고브 , 오하라가쭈히로
IPC分类号： H04N7/01
CPC分类号： H04N7/012
摘要： A method for processing video data to produce a progressively scanned signal from an input of conventional interlaced video. The data is received at a processor (1), used to determine a motion signal (26) over time between field of the data. The motion signal is filtered to remove errors and then further filtered to spread out the determined motion signal. Edge information (30) is located and combined with the motion signal to produce an integrated progressive-scan signal (36) for display on a video display device with sharper edges and less noise in motion between fields.
摘要翻译：一种用于处理视频数据以从常规隔行视频的输入产生逐行扫描信号的方法。数据在处理器（1）处被接收，用于确定数据字段之间随时间的运动信号（26）。对运动信号进行滤波以去除误差，然后进一步滤波以分散所确定的运动信号。将边缘信息（30）定位并与运动信号相结合以产生集成的逐行扫描信号（36），用于在视频显示装置上显示，具有更锐利的边缘和更少的场间运动噪声。＆lt;图像＆GT;

82. 发明授权

KR100405158B1 고밀도필드재구성가능구조의3차원집적형래치및벌크패스트랜지스터 失效
公开(公告)号：KR100405158B1
公开(公告)日：2004-06-04
申请号：KR1019960000999
申请日：1996-01-18
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 새트윈더말히
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L27/11803 , Y10S257/903
摘要： The latch controlled pass transistor circuit has a region of monocrystalline silicon with a layer of either polycrystalline silicon or a silicon on insulator (SOI) region disposed over the monocrystalline silicon. A latch circuit is disposed in either the layer of polycrystalline silicon or SOI region. A pass transistor is disposed in the region of monocrystalline silicon and rendered on or off responsive to the state of the latch.
摘要翻译：锁存控制的传输晶体管电路具有单晶硅区域，其具有设置在单晶硅上方的多晶硅或绝缘体上硅（SOI）区域的层。闩锁电路设置在多晶硅或SOI区域的任一层中。传输晶体管设置在单晶硅的区域中，并响应于锁存器的状态而接通或断开。

83. 发明授权

KR100399690B1 고전류전계효과트랜지스터및그형성방법 失效
公开(公告)号：KR100399690B1
公开(公告)日：2004-06-04
申请号：KR1019960037472
申请日：1996-08-31
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 제임스알.토드 , 데이비드코튼 , 로이클리프튼존스,3세
IPC分类号： H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L21/761 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1079 , H01L29/66659 , H01L29/66689
摘要： 고농도로 도우프된 드레인 영역(54)과 저농도로 도우프된 드레인 영역(50)를 포함하는 드레인 영역을 포함하는 고전류 전력 트랜지스터가 제공된다. 채널 영역은 D-웰 영역(40)으로부터 저농도로 도우프된 드레인 영역(50)을 분리시킨다. 측벽 절연체 바디는 저농도로 도우프된 드레인 영역(50)과 고농도로 도우프된 드레인 영역(54)을 형성하는데 사용한다. 이 트랜지스터는 p-형 기판(10)으로부터 바깥쪽으로 형성된 n-형 에피택셜 층(12)의 일부분을 포함하는 활성 영역(20)내에 형성된다. 에피택셜 층(12)은 물론이고 분리 구조(14) 및 (16)은 소스 폴로워 및 공통 소스 구성에도 사용될 수 있는 트랜지스터를 제공한다.
摘要翻译：提供了一种高电流功率晶体管，其包括具有高掺杂漏极区域（54）和轻度掺杂漏极区域（50）的漏极区域。沟道区域（52）由栅极导体（32）激活。沟道区域将轻掺杂漏极区域（50）与D阱区域（40）分开。使用侧壁绝缘体（44）来形成轻掺杂漏极区域（50）和轻掺杂漏极区域（54）。晶体管形成在有源区（20）中，该有源区包括从p型衬底（10）向外形成的n型外延层（12）的一部分。隔离结构（14）和（16）以及外延层（12）提供可用于源极跟随器和公共源极配置的晶体管。＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

84. 发明授权

KR100416679B1 공간광변조기 失效
公开(公告)号：KR100416679B1
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1019960011751
申请日：1996-04-18
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 래리제이.혼벡
IPC分类号： G02B26/00
CPC分类号： G02B26/0841
摘要： The modulator (10) includes addressing circuitry comprising a first underlying address electrode provided proximate to a substrate and a second elevated address electrode provided above the substrate. A yoke (32) is supported over the underlying address electrode with at least one hinge connected to and supporting the yoke. The hinge allows deflection of the yoke. A pixel mirror (30) is elevated above and supported by the yoke and is positioned over the elevated address electrode. Electrostatic attraction is generated between the elevated pixel mirror and the elevated address electrode and between the yoke and the underlying address electrode.
摘要翻译：调制器（10）包括寻址电路，该寻址电路包括靠近衬底设置的第一下层地址电极和设置在衬底上方的第二升高地址电极。轭架（32）被支撑在下面的地址电极上方，至少一个铰链连接并支撑轭架。铰链允许偏转轭。像素反射镜（30）升高并被轭架支撑，并定位在升高的地址电极上。在升高的像素镜和升高的地址电极之间以及在轭和下面的地址电极之间产生静电吸引力。

85. 发明授权

KR100396719B1 멀티레벨스크린영상압축방법 失效
公开(公告)号：KR100396719B1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1019960055304
申请日：1996-11-19
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 벤카테스바바드라만니티
IPC分类号： G03G15/22
CPC分类号： H04N1/4105 , H04N1/41
摘要： A method for compressing screened image data for printing. The data is generated by tiling an image with multi-pixel cells. The pixels within any one cell may or may not be rescanned to be better fit for compression. The method allows for selection between two compression paths, one which has no loss (24), the other which is lossy (26). Once the data is compressed, the information is stored in a buffer (16), then sent to the exposure module. If the lossy scheme is selected, a quantization factor (14) is used in compression that may be adjusted, depending upon feedback signals (18,20), to increase or decrease the compression.
摘要翻译：压缩用于打印的屏蔽图像数据的方法。数据是通过用多像素单元平铺图像而生成的。任何一个单元内的像素可能会或可能不会被重新扫描以更好地适合压缩。该方法允许在两个压缩路径之间选择，一个没有损失（24），另一个是有损（26）。一旦数据被压缩，信息被存储在缓冲器（16）中，然后被发送到曝光模块。如果选择有损方案，则取决于反馈信号（18,20），可以调整压缩中使用的量化因子（14）以增加或减小压缩。＆lt;图像＆GT;

86. 发明授权

KR100402217B1 반도체소자제조방법 失效
公开(公告)号：KR100402217B1
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：KR1019950040067
申请日：1995-11-07
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 아사가끼시게오 , 하마모또가쯔히로
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L21/31056 , H01L21/76819 , H01L27/105 , H01L27/10808
摘要： A manufacturing method for semiconductor devices such as dynamic RAM, etc. which removes the layer part more on the high position than an arbitrary position on a step forming a gradation by just a prescribed thickness when flattening a layer with a gradation formed of a high position part and a low position part. Then the projecting part created after the etching existing more on the low position side than at the arbitrary position of the gradation is eliminated by heat treatment.
摘要翻译：一种动态RAM等半导体器件的制造方法，其中，在将由高位形成的灰度层平坦化时，在比形成灰度的阶梯上的任意位置高出规定厚度的高位置去除层部分等的半导体装置的制造方法部分和低位部分。然后，通过热处理消除了蚀刻之后在低位置侧存在比在灰度的任意位置更多的凸出部分。＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

87. 发明授权

KR100413014B1 개선된지지포스트를구비한마이크로기계장치및그제조방법과,디지털마이크로미러장치 失效
标题翻译： 개선된지지포스트를구비한마이크로기계장치및그제조방법과，디지털마이크로미러장치
公开(公告)号：KR100413014B1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：KR1019950022444
申请日：1995-07-27
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 도시유끼가에리야마
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G02B26/0841 , Y10S359/90
摘要： An improved support post (16, 23, 25) for micro-mechanical devices (10). A via (34a) that defines the outer surface of the support post (16) is etched into a spacer layer (34). An oxide layer (41) is conformally deposited over the spacer layer (34) and into the via (34a), and then etched back to the top surface of the spacer layer (34), leaving a sidewall ring (23a) on the inner surface of the via (34a). Next, a metal layer (61) is deposited over the spacer layer (34) and into the via (34a) so as to cover the sidewall ring (23a). This metal layer (61) is then etched to form a support post stem (23) inside the via (34a). The spacer layer (34) is removed, leaving the support post stem (23) and a sidewall ring (23a) around the stem (23).
摘要翻译：用于微机械装置（10）的改进的支柱（16,23,25）。限定支撑柱（16）的外表面的通孔（34a）被蚀刻到隔离层（34）中。氧化层（41）共形地沉积在间隔层（34）上并进入通孔（34a），然后回蚀到间隔层（34）的顶表面，在内部留下侧壁环（23a）通孔（34a）的表面。接下来，在间隔层（34）上和通孔（34a）中沉积金属层（61）以覆盖侧壁环（23a）。然后对该金属层（61）进行蚀刻以在通孔（34a）内形成支柱柱（23）。间隔层（34）被去除，在杆（23）周围留下支柱柱（23）和侧壁环（23a）。＆LT; MATH＆GT;

88. 发明授权

KR100412003B1 개량된빔을갖는미소기계장치 失效
公开(公告)号：KR100412003B1
公开(公告)日：2004-03-20
申请号：KR1019950040973
申请日：1995-11-13
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 죤에이치.트레질가스
IPC分类号： G02B5/00
CPC分类号： G02B26/0841
摘要： An electrically addressable, integrated, monolithic, micromirror device (10) is formed by the utilization of sputtering techniques, including various metal and oxide layers, photoresists, liquid and plasma etching, plasma stripping and related techniques and materials. The device (10) includes a selectively electrostatically deflectable mass or mirror (12) of supported by one or more beams (18) formed by sputtering and selective etching. The beams (18) are improved by being constituted of an electrically conductive, intermetallic aluminium compound, or a mixture of two or more such compounds. The materials constituting the improved beams (18) have relatively high melting points, exhibit fewer primary slip systems than FCC crystalline structures, are etchable by the same or similar etchants and procedures used to etch aluminium and aluminium alloy, and are stronger and experience less relaxation than aluminium or aluminium alloys. Accordingly, the improved beams (18) exhibit increased strength, and decreased relaxation without requiring significant or radical deviations from the typical processing steps employed to produce the otherwise unaltered device.
摘要翻译：通过利用包括各种金属和氧化物层，光致抗蚀剂，液体和等离子体蚀刻，等离子体剥离以及相关技术和材料的溅射技术形成电可寻址的集成单片微镜器件（10）。装置（10）包括由通过溅射和选择性蚀刻形成的一个或多个梁（18）支撑的选择性静电可偏转质量或反射镜（12）。梁（18）通过由导电的金属间铝化合物或两种或更多种这种化合物的混合物构成而得到改进。构成改进梁（18）的材料具有相对高的熔点，比FCC晶体结构表现出更少的主滑移系统，可通过用于蚀刻铝和铝合金的相同或类似的蚀刻剂和程序进行蚀刻，并且更坚固并且经历更少的松弛比铝或铝合金。因此，改进的梁（18）表现出增加的强度和减少的松弛，而不需要与用于制造另外未改变的装置的典型处理步骤相比的明显偏差或偏差。＆lt;图像＆GT;

89. 发明授权

KR100401433B1 호환성 있는 수직 소스 라인들을 갖는 불휘발성 메모리 어레이 失效
标题翻译： 호환성있는수직소스라인들을갖는불휘발성메모리어레이
公开(公告)号：KR100401433B1
公开(公告)日：2004-03-20
申请号：KR1019960041874
申请日：1996-09-24
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 메라드프레이둔
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115
摘要： 불휘발성 메모리 어레이는 복수의 확산 수평 소스 라인(17)들을 갖고, 각 소스 라인(17)은 한 쌍의 평행한 수평 스택 도체(ST) 사이에 위치한다. 복수의 확산 수평 소스 라인(17)들은 적어도 하나의 공통 수직 소스 도체(17a)에 연결된다. 공통 수직 소스 도체(17a)는 상기 각 평행한 수평 스택 도체(ST) 쌍 밑에 연속 확산 영역(11)들을 포함한다. 또한, 공통 수직 소스 도체(17a)는 평행한 수평 스택 도체(ST)들 사이에 위치하는 콘택트(SC)들에서 연속 확산 영역들에 결합되는 금속 도체를 포함한다. 그 결과, 스택 도체(ST)들은 일직선 형태로 배열된다. 일직선-스택 도체(ST) 구성은 수직 소스 도체(17a)와 인접한 드레인-컬럼 라인(18)들 사이에 보다 작은 공간의 사용을 가능하게 하고 수직 더미 셀(10) 열들에 대한 필요성을 제거한다. 수직 소스 도체(17a)에서 더 좁은 폭으로 깎이는 일직선-스택의 임의적 사용으로 인해, 일직선 스택 도체(ST)들 밑에 보다 신뢰성 있는 도전 경로가 생긴다.
摘要翻译：非易失性存储器阵列具有多个扩散水平源极线（17），每条源极线（17）位于一对平行水平堆叠导体（ST）之间。多个扩散水平源极线（17）连接到至少一个公共垂直源极导体（17a）。公共垂直源极导体（17a）包括在所述一对平行水平堆叠导体（ST）中的每一个下方的连续扩散区域（11）。另外，公共垂直源极导体（17a）包括金属导体，该金属导体在位于成对的平行水平堆叠导体（ST）之间的触点（SC）处连接到连续扩散区域。结果，堆叠导体（ST）是直的。直堆叠导体（ST）配置允许在垂直源极导体（17a）和相邻的漏极 - 列线（18）之间使用较少的空间，并且消除了使用虚拟单元（10）的垂直列的任何需要。可选地使用在垂直源极导体（17a）处修整为较窄宽度的直堆（ST）导致直堆叠导体（ST）下更确定的导电路径。＆lt;图像＆GT;

90. 发明授权

KR100403749B1 테스트소켓 失效
公开(公告)号：KR100403749B1
公开(公告)日：2004-03-12
申请号：KR1019960002796
申请日：1996-02-06
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 이케야기요카즈 , 프란스와에이.파도바니
IPC分类号： G01R15/00
CPC分类号： H05K7/1023 , G01R1/0483 , Y10S439/912
摘要： A socket with a main socket body 10 for use in a burn-in test of a bare chip 80 with a large number of contact connectors BP is provided with a positioning plate 42 in the top of the socket body 10. This positioning plate has a plurality of through holes 42c with contact members 48 slidingly contained therein. The through holes 42c and contact members 48 are aligned in one to one relationship to contact connections on the bare chip on one side of positioning plate 42 and a plurality of electroconductive film contacts 50 on the other side of the positioning plate 42. The film contacts are movably supported in the socket. Additionally, the film contacts 50 are electrically connected in a one-to-one relationship to socket contact 56 contained in the socket for providing electrical connection between bare chip 80 and socket 10.
摘要翻译：具有主插座本体10的插座用于具有大量接触连接器BP的裸芯片80的预烧测试，在插座本体10的顶部设有定位板42.该定位板具有多个通孔42c，其中滑动地容纳有接触构件48。通孔42c和接触部件48以一对一的关系排列，以定位板42的一侧上的裸芯片上的接触连接和定位板42的另一侧上的多个导电膜接触部50。可移动地支撑在插座中。另外，薄膜触点50以一对一的关系与容纳在插座中的插座触点56电连接，以提供裸芯片80和插座10之间的电连接。

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