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热词
    • 86. 发明公开
    • 쉬프트 레지스터와 게이트 라인 구동 장치
    • 移位寄存器和门线驱动装置
    • KR1020120115126A
    • 2012-10-17
    • KR1020120035612
    • 2012-04-05
    • 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
    • 천시쿠이원하이
    • G09G3/36G11C19/00
    • G11C19/28G09G3/3674G09G2310/0286
    • PURPOSE: A shift register and a gate line driving unit are provided to prevent the floating state of a first node and a signal output terminal by maintaining the first node and the signal output terminal at a low level during a non-operational period. CONSTITUTION: A source of a first thin film transistor(M1) is connected to a first node(PU). A source of a second thin film transistor(M2) is connected to a low level signal terminal(Vss). A source of a third thin film transistor(M3) is connected to a signal output terminal. A source of a fourth thin film transistor(M4) is connected to the low level signal terminal. A capacitor is connected between the first node and the signal output terminal. The first node and the signal output terminal are maintained at a low level. [Reference numerals] (1) Pull-down module; (AA) Clock signal terminal
    • 目的:提供一个移位寄存器和一个栅极线驱动单元,用于通过在第一个节点和信号输出端子在非运行期间保持低电平来防止第一个节点和信号输出端的浮动状态。 构成:第一薄膜晶体管(M1)的源极连接到第一节点(PU)。 第二薄膜晶体管(M2)的源极连接到低电平信号端子(Vss)。 第三薄膜晶体管(M3)的源极连接到信号输出端子。 第四薄膜晶体管(M4)的源极连接到低电平信号端子。 电容器连接在第一节点和信号输出端子之间。 第一节点和信号输出端子保持在低电平。 (附图标记)(1)下拉模块; (AA)时钟信号端子
    • 88. 发明授权
    • TFT-LCD 어레이 기판 및 이를 제조하는 방법
    • TFT-LCD阵列基板及其制造方法
    • KR101118150B1
    • 2012-03-12
    • KR1020090134044
    • 2009-12-30
    • 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
    • 리우지앙임승무천주지에쩐유
    • H01L29/786
    • H01L27/1288H01L29/78618H01L29/78696
    • 본 발명은 TFT-LCD의 어레이 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 제 1 단계에서, 게이트 금속 박막은 기판 상에 증착되고 제 1 패터닝 공정에 의해 게이트 전극들 및 게이트 라인들로 패터닝된다. 제 2 단계에서, 게이트 절연층, 반도체층 및 배리어층은 제 1 단계에서 생성된 구조물 상에 순차적으로 증착되고 제 2 패터닝 공정에 의해 게이트 절연층 패턴, 반도체층 패턴 및 배리어층 패턴으로 패터닝되며, 배리어층은 TFT 채널에서 반도체층이 식각되는 것을 방지하기위해 사용된다. 제 3 단계에서, 오믹 콘택층, 투명 도전층, 소스 드레인 금속층 및 패시베이션층은 제 2 단계에서 생성된 구조물 상에 순차적으로 증착되고 패터닝 공정에서 오믹 콘택층 패턴, 픽셀 전극들, 데이터 라인들, 소스 전극들, 드레인 전극들 및 패시베이션층 패턴으로 패터닝된다.
    • 本发明涉及TFT-LCD阵列基板的制造方法。 该方法包括以下步骤。 在步骤1中,栅极金属薄膜沉积在衬底上并通过第一图案化工艺图案化成栅电极和栅极线。 在步骤2中,随后将栅极绝缘层,半导体层和阻挡层沉积在步骤1的结果上,并通过第二图案化工艺图案化为栅极绝缘层图案,半导体层图案和势垒层图案,其中 阻挡层用于防止TFT沟道处的半导体层被蚀刻。 在步骤3中,随后在步骤2的合成结构上沉积欧姆接触层,透明导电层,源极漏极金属层和钝化层,并将其图案化为欧姆接触层图案,像素电极,数据线,源极 电极,漏电极和钝化层图案。